[發明專利]激光照射裝置、薄膜晶體管以及薄膜晶體管的制造方法在審
| 申請號: | 201680090915.3 | 申請日: | 2016-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN109964304A | 公開(公告)日: | 2019-07-02 |
| 發明(設計)人: | 水村通伸;野寺伸武;松島吉明;田中優數;松本隆夫 | 申請(專利權)人: | V科技股份有限公司;堺顯示器制品株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/20 | 分類號: | H01L21/20 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華;洪秀川 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 玻璃基板 激光 投影透鏡 投影掩模 激光照射裝置 開口部 照射 液晶顯示裝置 非晶硅薄膜 圖案 方向移動 方向正交 區域照射 圖案設置 顯示不均 不連續 粘附 光源 液晶 移動 制造 | ||
依賴于激光的能量密度的偏差,玻璃基板所包含的多個薄膜晶體管的特性產生偏差,從而在將玻璃基板用于液晶顯示裝置的液晶時,會產生顯示不均這樣的問題。本發明的一個實施方式中的激光照射裝置的特征在于,具有:光源,其產生激光;投影透鏡,其對分別粘附于玻璃基板上的多個薄膜晶體管的非晶硅薄膜的規定的區域照射該激光;投影掩模圖案,其設于該投影透鏡上,以對于該多個薄膜晶體管分別照射該激光的方式設有多個開口部,該投影透鏡經由該投影掩模圖案,對于沿規定的方向移動的該玻璃基板上的該多個薄膜晶體管照射該激光,該投影掩模圖案設置為,該開口部在與該移動的方向正交的一列上不連續。
技術領域
本發明涉及薄膜晶體管的形成,尤其涉及用于對薄膜晶體管上的非晶硅薄膜照射激光而形成多晶硅薄膜的激光照射裝置、薄膜晶體管以及薄膜晶體管的制造方法。
背景技術
作為反參差結構的薄膜晶體管,存在有將非晶硅薄膜使用于溝道區域的薄膜晶體管。不過,非晶硅薄膜由于電子遷移率小,因此如果將該非晶硅薄膜使用于溝道區域,則存在薄膜晶體管中的電荷的遷移率減小這樣的難點。
因此,存在如下技術:通過利用激光將非晶硅薄膜的規定的區域瞬間加熱而實現多晶體化,形成電子遷移率較高的多晶硅薄膜,從而將該多晶硅薄膜使用于溝道區域。
例如,專利文獻1公開了如下內容:在溝道區域形成非晶硅薄膜,然后,向該非晶硅薄膜照射準分子激光器等的激光來進行激光退火,由此通過短時間內的熔融凝固來進行使多晶硅薄膜晶體化的處理。專利文獻1記載了如下內容:通過進行該處理,能夠使薄膜晶體管的源極與漏極間的溝道區域成為電子遷移率較高的多晶硅薄膜,從而能夠實現晶體管動作的高速化。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2016-100537號公報
發明內容
發明的概要
發明要解決的課題
在專利文獻1記載的薄膜晶體管中,源極與漏極間的溝道區域由一處(一個)多晶硅薄膜形成。因此,薄膜晶體管的特性依賴于一處(一個)多晶硅薄膜。
在此,準分子激光器等的激光的能量密度在其每次照射(發射)時都產生偏差,因此使用該激光形成的多晶硅薄膜的電子遷移率也產生偏差。因此,使用該多晶硅薄膜形成的薄膜晶體管的特性也依賴于激光的能量密度的偏差。
其結果是,有可能導致玻璃基板所包含的多個薄膜晶體管的特性產生偏差。
本發明鑒于上述問題而完成,其目的在于提供能夠抑制玻璃基板所包含的多個薄膜晶體管的特性的偏差的激光照射裝置、薄膜晶體管及薄膜晶體管的制造方法。
用于解決技術問題的技術方案
本發明的一個實施方式的激光照射裝置具有:光源,其產生激光;投影透鏡,其對分別粘附于玻璃基板上的多個薄膜晶體管的非晶硅薄膜的規定的區域照射該激光;以及投影掩模圖案,其設于該投影透鏡上,以對于該多個薄膜晶體管分別照射該激光的方式設有多個開口部,該投影透鏡經由該投影掩模圖案對于沿規定的方向移動的該玻璃基板上的該多個薄膜晶體管照射該激光,該投影掩模圖案設置為該開口部在與該移動的方向正交的一列上不連續。
在本發明的一個實施方式的激光照射裝置中也可以為,該投影透鏡為微透鏡陣列所包含的多個微透鏡,所述微透鏡陣列能夠對該激光進行分離,該投影掩模圖案以如下方式設置該開口部,即,使與該移動的方向正交的一列的微透鏡中的、經由該開口部而照射激光的微透鏡互不相鄰。
在本發明的一個實施方式的激光照射裝置中也可以為,從該光源照射出的激光在一次照射中,經由與該正交方向的一列對應的微透鏡而被照射到該多個薄膜晶體管,該投影掩模圖案以如下方式設置該開口部,即,經由與該一列對應的微透鏡中的、互不相鄰的微透鏡而照射激光。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





