[發明專利]激光照射裝置、薄膜晶體管以及薄膜晶體管的制造方法在審
| 申請號: | 201680090915.3 | 申請日: | 2016-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN109964304A | 公開(公告)日: | 2019-07-02 |
| 發明(設計)人: | 水村通伸;野寺伸武;松島吉明;田中優數;松本隆夫 | 申請(專利權)人: | V科技股份有限公司;堺顯示器制品株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/20 | 分類號: | H01L21/20 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華;洪秀川 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 玻璃基板 激光 投影透鏡 投影掩模 激光照射裝置 開口部 照射 液晶顯示裝置 非晶硅薄膜 圖案 方向移動 方向正交 區域照射 圖案設置 顯示不均 不連續 粘附 光源 液晶 移動 制造 | ||
1.一種激光照射裝置,其特征在于,具備:
光源,其產生激光;
投影透鏡,其對分別粘附于玻璃基板上的多個薄膜晶體管的非晶硅薄膜的規定的區域照射所述激光;以及
投影掩模圖案,其設于所述投影透鏡上,以對于所述多個薄膜晶體管分別照射所述激光的方式設有多個開口部,
所述投影透鏡經由所述投影掩模圖案,對于沿規定的方向移動的所述玻璃基板上的所述多個薄膜晶體管照射所述激光,
所述投影掩模圖案設置為,所述開口部在與所述移動的方向正交的一列上不連續。
2.根據權利要求1所述的激光照射裝置,其特征在于,
所述投影透鏡為微透鏡陣列所包含的多個微透鏡,所述微透鏡陣列能夠對所述激光進行分離,
所述投影掩模圖案以如下方式設置所述開口部,即,使與所述移動的方向正交的一列的微透鏡中的、經由所述開口部而照射激光的微透鏡互不相鄰。
3.根據權利要求2所述的激光照射裝置,其特征在于,
從所述光源照射出的激光在一次照射中,經由與所述正交的一列對應的微透鏡而被照射到所述多個薄膜晶體管,
所述投影掩模圖案以如下方式設置所述開口部,即,經由與所述一列對應的微透鏡中的、互不相鄰的微透鏡而照射激光。
4.根據權利要求1至3中的任一項所述的激光照射裝置,其特征在于,
所述投影透鏡分別對于所述多個薄膜晶體管照射規定數量的激光,
所述投影掩模圖案相對于所述移動的方向而設有規定數量的開口部。
5.根據權利要求1至4中的任一項所述的激光照射裝置,其特征在于,
所述投影透鏡向粘附于薄膜晶體管所包含的源電極與漏電極之間的非晶硅薄膜的規定的區域照射激光,從而形成多晶硅薄膜。
6.一種薄膜晶體管的制造方法,其特征在于,包括:
第一步驟,在所述第一步驟中產生激光;
第二步驟,在所述第二步驟中,使用投影透鏡對分別粘附于玻璃基板上的多個薄膜晶體管的非晶硅薄膜的規定的區域照射所述激光,所述投影透鏡設有包含多個開口部的投影掩模圖案;以及
第三步驟,在所述第三步驟中,每次照射所述激光時,使所述玻璃基板沿規定的方向移動,
在所述第二步驟中,經由所述投影掩模圖案照射所述激光,所述投影掩模圖案設置為所述開口部在與所述移動的方向正交的一列上不連續。
7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管的制造方法,其特征在于,
所述投影透鏡為微透鏡陣列所包含的多個微透鏡,所述微透鏡陣列能夠對所述激光進行分離,
在所述第二步驟中,經由如下方式設置所述開口部的所述投影掩模圖案而照射所述激光,即,使與所述移動的方向正交的一列的微透鏡中的、經由所述開口部而照射激光的微透鏡互不相鄰。
8.根據權利要求7所述的薄膜晶體管的制造方法,其特征在于,
所述投影掩模圖案以如下方式設置所述開口部,即,經由與所述一列對應的微透鏡中的、互不相鄰的微透鏡而照射激光。
在所述第二步驟中,所述激光在一次照射中,經由與所述正交方向的一列對應的微透鏡而被照射到所述多個薄膜晶體管。
9.根據權利要求6至8中的任一項所述的薄膜晶體管的制造方法,其特征在于,
在所述第二步驟中,經由投影掩模圖案分別對于所述多個薄膜晶體管照射規定數量的激光,所述投影掩模圖案相對于所述移動的方向而設有規定數量的開口部。
10.根據權利要求6至9中的任一項所述的薄膜晶體管的制造方法,其特征在于,
在所述第二步驟中,向粘附于薄膜晶體管所包含的源電極和漏電極之間的非晶硅薄膜的規定的區域照射激光,從而形成多晶硅薄膜。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





