[發明專利]同位素的電參數在審
| 申請號: | 201680090613.6 | 申請日: | 2016-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN109964133A | 公開(公告)日: | 2019-07-02 |
| 發明(設計)人: | P·H·馬祖爾基維茨;葛寧;H·A·霍爾德 | 申請(專利權)人: | 惠普發展公司;有限責任合伙企業 |
| 主分類號: | G01R31/00 | 分類號: | G01R31/00;G04F1/02 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 劉書航;陳嵐 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 同位素 電參數 化學反應 反應控制 測量 | ||
一種示例器件包括:同位素部分,包括具有至少一種同位素的材料;反應控制部分,用以引起包括所述至少一種同位素的化學反應;以及電參數部分,用以測量在電參數上的改變以確定在具有所述至少一種同位素的材料的量上的改變,電參數基于化學反應而改變。
背景技術
許多元素具有在自然界中存在的同位素。元素是由在其原子核中的質子的數量定義的。例如,碳在其原子核中具有6個質子,氮在其原子核中具有7個質子,并且鋅在其原子核中具有30個質子。一些元素具有在原子核中具有不同數量的中子的各種同位素。例如,鋅具有在自然界中存在的具有34、36、37、38或者40個中子的五種穩定的同位素。
附圖說明
為了更完整地理解各種示例,現在參照與隨附附圖有關地取得的以下描述,在附圖中:
圖1是示例器件的示意圖示;
圖2是示例系統的示意圖示;
圖3是另一個示例系統的示意圖示;
圖4是圖示示例處理的流程圖;并且
圖5圖示具有包括由處理器可執行的指令的計算機可讀存儲介質的示例系統的框圖。
具體實施方式
各種示例提供了可以使用元素的同位素形成的器件。在各種示例中,可以形成存儲器器件,其中每個存儲器元件、或者位可以由至少一種同位素形成。可以測量與同位素相關聯的電參數以確定同位素的狀態。例如,包含同位素的材料的電阻抗可以指示包含同位素的材料的水平或者包含不同同位素的兩種材料的比率。所述水平或者比率可以通過諸如化學反應的反應來改變,因此改變確定的狀態。化學反應可以是同位素的氧化并且可以是可逆的。
如在上面指出的那樣,各種元素可以具有在自然界中存在的穩定的同位素。牽涉元素的化學反應的速率可以取決于在反應中使用的該元素的同位素而改變。例如,以下反應圖示在甲基溴和氰化物的反應中碳的不同同位素的使用:
不同同位素的使用改變反應的速率,一種已知為動力學同位素效應(KIE)的效應。在上面的示例中,當與使用碳12的反應的速率進行比較時,在使用碳13的情況下反應的速率降低。在以上示例中,KIE可以被表示為:
KIE=k12/k13=1.082±0.008
在各種示例中,一種或多種同位素的各種方面可以被用于檢測或者確定電參數。例如,反應的速率可以對應于包含同位素的材料的電阻抗上的改變。在這點上,包含同位素的材料的水平或者包含不同同位素的兩種材料的比率可以基于測量的電參數(諸如阻抗)來確定。例如,化學反應可以包括同位素的氧化。增加的氧化可能造成降低的電阻抗。因此,當包含不同同位素的兩種材料被氧化相同長度的時間時,由于具有一種同位素的材料與具有另一種同位素的材料相比氧化得更快,所以兩種材料的電阻抗可以是不同的。
因此,可以以高效并且成本有效的方式檢測同位素材料,而不使用昂貴并且笨重的設備,諸如質譜儀。進一步地,例如在只有有限的一組實體或者用戶(諸如制造商)可獲得并且知道用于編碼信息的材料和同位素的知識的情況下,可以增強安全性。附加地,同位素材料的測試或者檢測可以在沒有可能要求的任何破壞性操作(例如,移除同位素材料)的情況下執行。
現在參照各圖,圖1圖示具有至少一種同位素的示例器件。在圖1的示例中,示例器件100包括同位素部分110、反應控制部分120和電參數部分130。在各種示例中,示例器件100可以在印制電路板(PCB)上實現。
同位素部分110可以包括具有至少一種同位素的材料。例如,同位素部分110可以包括具有諸如例如鋅、鉬或者鎳的元素的穩定同位素的材料。在各種示例中,除了(一種或多種)同位素之外,材料還可以包括對于例如牽涉(一種或多種)同位素的反應而言可能需要的其它組分。
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