[發明專利]高光電變換效率太陽能電池的制造方法及高光電變換效率太陽能電池

有效

• 申請號: 201680090007.4
• 申請日: 2016-10-14
• 公開（公告）號: CN109844961B
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 渡部武紀;三田憐;橋上洋;大塚寬之
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明是一種太陽能電池的制造方法，具有：準備至少在第一主表面具有介電體膜的半導體基板的步驟、部分地去除該半導體基板的介電體膜的步驟、沿著介電體膜部分地被去除的領域形成電極的步驟的太陽能電池的制造方法，其特征是具有對于實施部分地去除介電體膜的步驟與形成電極的步驟之后的半導體基板，測定介電體膜部分地被去除的領域的位置與形成的電極的位置的相對的位置關系的步驟，基于被測定的位置關系，對于新準備的至少在第一主表面具有介電體膜的半導體基板，在調整部分地去除介電體膜的領域的位置后部分地去除介電體膜。由此，提供一種可以減低部分地去除介電體膜的領域與沿著該領域被形成的電極的位置偏移，且使太陽能電池的制造產出率提升的太陽能電池的制造方法。

技術領域

本發明是有關高光電變換效率太陽能電池的制造方法及高光電變換效率太陽能電池。

背景技術

作為采用單結晶或多結晶半導體基板的具有比較高的光電變換效率的太陽能電池構造之一，有將正負的電極全部設在非受光面(背面)的背面電極型太陽能電池。圖1顯示背面電極型太陽能電池的背面的概觀。射極層102及基底層101為交互地被配列，且沿著各個層在層上設置電極(103、104)。射極層幅寬是數mm～數百μm，基底層幅寬則是數百μm～數十μm。此外，電極幅寬數百～數十μm左右為一般，該電極多被稱呼為指狀電極。

圖2顯示背面電極型太陽能電池的剖面構造的模式圖。在基板202的背面的最表層附近形成射極層102及基底層101。各層的厚度為至多1μm左右。在各層上設置指狀電極(205、206)，非電極領域的表面是由氮化硅膜或氧化硅膜等的背面保護膜207所覆蓋。受光面側在減低反射損失的目的下，設置反射防止膜201。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2006-332273號公報

發明內容

發明所要解決的問題

在背面電極型的太陽能電池的制法上的問題點之一，有基底層與基極電極的偏移。在以印刷法形成電極的場合由于版的伸展會隨經時或每一制版而改變，所以要沿著上述之類的幅寬數百μm～數十μm的基底層將幅寬數百～數十μm的電極安定形成是極為困難的。要緩和該偏移而擴展基底層幅寬是制法上最簡單的，而擴展基底層幅寬時會讓變換效率降低，是在例如專利文獻1所公知。如考慮制造成本則印刷法是最有效，有必要確立基底層幅寬在維持下以印刷法產出率佳地電極形成的方法。

本發明是有鑒于上述問題點而作成，目的在于提供可以減少基底層與基極電極的偏移、使太陽能電池的制造產出率提升的高光電變換效率太陽能電池的制造方法。此外，本發明的目的在于提供基底層與基極電極的偏移小、特性佳的高光電變換效率太陽能電池。再者，本發明的目的在于提供可以減少基底層與基極電極的偏移、使太陽能電池的制造產出率提升的太陽能電池的制造系統。

用于解決問題的手段

為了達成上述目的，本發明是一種太陽能電池的制造方法，具有：準備至少在第一主表面具有介電體膜的半導體基板的步驟、

部分地去除該半導體基板的前述介電體膜的步驟、與

沿著前述介電體膜部分地被去除的領域形成電極的步驟，

其特征為：

具有對于實施部分地去除前述介電體膜的步驟與形成前述電極的步驟之后的半導體基板，測定前述介電體膜部分地被去除的領域的位置與前述形成的電極的位置的相對的位置關系的步驟，

基于前述被測定的位置關系，對于新準備的至少在第一主表面具有介電體膜的半導體基板，在調整部分地去除前述介電體膜的領域的位置后部分地去除前述介電體膜。