[發明專利]高光電變換效率太陽能電池的制造方法及高光電變換效率太陽能電池

有效

• 申請號: 201680090007.4
• 申請日: 2016-10-14
• 公開（公告）號: CN109844961B
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 渡部武紀;三田憐;橋上洋;大塚寬之
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種太陽能電池的制造方法，具有準備至少在第一主表面具有介電體膜的半導體基板的步驟、部分地去除該半導體基板的前述介電體膜的步驟、沿著前述介電體膜部分地被去除的領域形成電極的步驟的太陽能電池的制造方法，其特征是，

具有對于實施部分地去除前述介電體膜的步驟與形成前述電極的步驟之后的半導體基板，測定前述介電體膜部分地被去除的領域的位置與前述形成的電極的位置的相對的位置關系的步驟，基于前述位置關系，對于新準備的至少在第一主表面具有介電體膜的半導體基板，在調整部分地去除前述介電體膜的領域的位置后部分地去除前述介電體膜。

2.根據權利要求1記載的太陽能電池的制造方法，其中，

將前述相對的位置關系的測定、一一在前述半導體基板的面內選擇出的坐標進行，而且，將部分地去除前述介電體膜的領域的位置的調整、一一對該選擇出的坐標進行。

3.根據權利要求1記載的太陽能電池的制造方法，其中，

將前述半導體基板的面內分割成多個領域，一一對被分割后的領域分配代表該領域的坐標，將前述相對的位置關系的測定、一一對前述被分割后的領域被分配的坐標進行，而且，將部分地去除前述介電體膜的領域的位置的調整、一一對該被分配的坐標進行。

4.根據權利要求1記載的太陽能電池的制造方法，其中，

將前述相對的位置關系的測定、僅針對前述電極的長邊方向所正交的方向進行。

5.根據權利要求1記載的太陽能電池的制造方法，其中，

將前述電極的形成、采用網版印刷法進行。

6.根據權利要求1記載的太陽能電池的制造方法，其中，

將前述介電體膜的部分的去除、使用激光進行。

7.根據權利要求1記載的太陽能電池的制造方法，其中，

在部分地去除前述介電體膜的步驟之后、形成前述電極的步驟之前，在前述介電體膜部分地被去除的領域讓不純物擴散、形成擴散層。

8.根據權利要求1記載的太陽能電池的制造方法，其中，

作為前述半導體基板，準備在前述第一主表面具有擴散層的基板。

9.根據權利要求1至8中任一項記載的太陽能電池的制造方法，其中，

通過部分地去除前述介電體膜，將除去該介電體膜的領域的每單位面積的介電體膜量作成在未去除前述介電體膜的領域的每單位面積的介電體膜量的1/10以下。

10.一種太陽能電池，在半導體基板的第一主表面，具有基底層與鄰接該基底層的射極層，在前述基底層上配置電極的太陽能電池，其特征是，

前述基底層在前述第一主表面上具有長度與幅寬的線狀領域；該線狀領域具有比前述線狀領域的長度短的直線狀領域；該直線狀領域包含被配置在前述線狀領域的從其他直線狀領域的延長上偏移的位置者；

前述射極層是在前述基底層與鄰接在該基底層的前述射極層的邊界，具有從前述射極層側起凸出的楔狀領域；前述楔狀領域底邊部的長度為1μm以上20μm以下；該楔狀領域頂部的角度為70°以上110°以下。

11.根據權利要求10記載的太陽能電池，其中，

前述基底層的幅寬是50μm以上250μm以下；前述電極的幅寬是30μm以上200μm以下。