[發明專利]半導體裝置的測定方法

有效

• 申請號: 201680088683.8
• 申請日: 2016-09-01
• 公開（公告）號: CN109643667B
• 公開（公告）日: 2023-08-25
• 發明（設計）人: 大久野幸史;鹿間省三;樽井陽一郎
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L29/872
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置的測定方法，其是對半導體裝置使用探針而施加電壓的半導體裝置的測定方法，

所述半導體裝置具備：

第1導電型的半導體襯底；

第1導電型的外延層，其形成于所述半導體襯底的上表面；

至少1個第2導電型的第2導電型區域，其在所述外延層的表層具有輪廓而局部地形成；

肖特基電極，其覆蓋所述外延層的上表面以及所述第2導電型區域的上表面而形成；

陽極電極，其形成于所述肖特基電極的上表面；以及

陰極電極，其形成于所述半導體襯底的下表面，

使所述探針與俯視觀察時位于形成至少1個所述第2導電型區域的所述輪廓的范圍內的所述陽極電極的上表面接觸，施加電壓，

在對所述半導體裝置施加比閾值高的電壓的情況下，使所述探針僅與俯視觀察時位于形成至少1個所述第2導電型區域的所述輪廓的范圍內的所述陽極電極的上表面接觸，

在對所述半導體裝置施加比閾值低的電壓的情況下，使所述探針與俯視觀察時位于形成至少1個所述第2導電型區域的所述輪廓的范圍內的所述陽極電極的上表面接觸，而且，還與俯視觀察時位于未形成所述第2導電型區域的范圍的所述陽極電極的上表面接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的測定方法，其中，

所述第2導電型區域是在俯視觀察時所述輪廓內的整體呈第2導電型的區域。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置的測定方法，其中，

所述半導體裝置還具備至少1個第2導電型的JBS區域，該JBS區域在所述外延層的表層局部地形成，且，具有與所述肖特基電極接觸的呈第2導電型的區域和與所述肖特基電極接觸的呈第1導電型的區域，

所述JBS區域的呈第2導電型的區域的形成寬度小于所述第2導電型區域的形成寬度，

所述JBS區域的摻雜劑濃度比所述第2導電型區域的摻雜劑濃度高。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置的測定方法，其中，

所述第2導電型區域具有在俯視觀察時被呈第2導電型的區域包圍的呈第1導電型的區域。

5.一種半導體裝置的測定方法，其是對半導體裝置使用探針而施加電壓的半導體裝置的測定方法，

所述半導體裝置具備：

第1導電型的半導體襯底；

第1導電型的外延層，其形成于所述半導體襯底的上表面；

第1肖特基電極，其在所述外延層的上表面至少形成1個；

第2肖特基電極，其在所述外延層的上表面至少形成1個，且，與所述第1肖特基電極相比，與所述外延層之間的肖特基勢壘高；

陽極電極，其形成于所述第1肖特基電極的上表面以及所述第2肖特基電極的上表面；以及

陰極電極，其形成于所述半導體襯底的下表面，

使所述探針與俯視觀察時位于形成至少1個所述第2肖特基電極的范圍內的所述陽極電極的上表面接觸，施加電壓。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置的測定方法，其中，

在對所述半導體裝置施加比閾值高的電壓的情況下，使所述探針僅與俯視觀察時位于形成至少1個所述第2肖特基電極的范圍內的所述陽極電極的上表面接觸，

在對所述半導體裝置施加比閾值低的電壓的情況下，使所述探針與俯視觀察時位于形成至少1個所述第2肖特基電極的范圍內的所述陽極電極的上表面接觸，并且，還與俯視觀察時位于未形成所述第2肖特基電極的范圍的所述陽極電極的上表面接觸。