[發明專利]半導體裝置的測定方法

有效

• 申請號: 201680088683.8
• 申請日: 2016-09-01
• 公開（公告）號: CN109643667B
• 公開（公告）日: 2023-08-25
• 發明（設計）人: 大久野幸史;鹿間省三;樽井陽一郎
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L29/872
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

本發明涉及以下技術，即，在對半導體裝置施加高電壓的測試時，為了防止損傷波及到探針，對在探針的附近產生點破壞進行抑制。在半導體裝置的測定方法中，半導體裝置具備：半導體襯底(1)；外延層(2)；至少1個第2導電型的第2導電型區域(3)，其在外延層的表層具有輪廓而局部地形成；肖特基電極(11)；陽極電極(12)；以及陰極電極(13)。使探針(21)與俯視觀察時位于形成至少1個第2導電型區域的輪廓的范圍內的陽極電極的上表面接觸，施加電壓。

技術領域

本申請的說明書所公開的技術涉及半導體裝置的測定方法。

背景技術

如果針對使用了碳化硅(SiC)的肖特基勢壘二極管(Schottky?barrier?diode，即，SBD)，或者，針對使用了碳化硅(SiC)的結勢壘控制肖特基二極管(junction?barriercontrolled?schottky?diode；JBS)，例如，如專利文獻1(日本特開2014-229651號公報)所記載的那樣，進行施加高電壓的測試，則有時由于SiC中的晶體缺陷而產生點破壞。

就以往的半導體芯片而言，有時流過電流的區域成為均勻的構造，特別地，在測定用探針的附近產生上述的點破壞。

在測定用探針的附近產生了點破壞的情況下，破壞時的損傷波及到探針，因此需要中斷測試、更換探針。

專利文獻1：日本特開2014-229651號公報

發明內容

如上述所示，就以往的SiC-SBD或者SiC-JBS而言，如果進行施加高電壓的測試，則有時由于SiC中的晶體缺陷而產生點破壞。

該點破壞是在發生了正反饋的情況下通過熱破壞而產生的，該正反饋是指在以晶體缺陷為起點產生高泄漏電流而發熱，進而，通過該發熱而使泄漏電流增加。

在該熱破壞在探針的附近產生的情況下，電極融化飛散而附著到探針，或者，探針本身通過熱而變形，產生上述這樣的對探針的損傷。

如果在殘存這樣的損傷的狀態下繼續測定，則例如，產生諸如電極觸痕變大引起組裝問題，或者，對電極下部的半導體裝置表面造成損傷而引起功能不全這樣的測定問題。

因此，在探針的附近產生了點破壞的情況下，需要中斷測試、更換探針。特別地，在使用了內含大量晶體缺陷的半導體材料，例如，碳化硅(SiC)的半導體裝置的測試中，由于大量產生點破壞，從而測試中斷頻率以及探針的更換頻率變高。因此，存在處理能力下降的問題。

本申請的說明書所公開的技術就是為了解決上述所記載的問題而提出的，其涉及在對半導體裝置施加高電壓的測試時，為了防止損傷波及到探針，對在探針的附近產生點破壞這一情況進行抑制的技術。

本申請的說明書所公開的技術的第1方式是對半導體裝置使用探針(21、25)而施加電壓的半導體裝置的測定方法，所述半導體裝置具備：第1導電型的半導體襯底(1)；第1導電型的外延層(2)，其形成于所述半導體襯底(1)的上表面；至少1個第2導電型的第2導電型區域(3、5)，其在所述外延層(2)的表層具有輪廓而局部地形成；肖特基電極(11)，其覆蓋所述外延層(2)的上表面以及所述第2導電型區域(3、5)的上表面而形成；陽極電極(12)，其形成于所述肖特基電極(11)的上表面；以及陰極電極(13)，其形成于所述半導體襯底(1)的下表面，使所述探針(21)與俯視觀察時位于形成至少1個所述第2導電型區域(3、5)的所述輪廓的范圍內的所述陽極電極(12)的上表面接觸，施加電壓。