[發明專利]襯底組件和相關方法

在審

• 申請號: 201680086029.3
• 申請日: 2016-07-22
• 公開（公告）號: CN109311658A
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: S·本加利;M·吉里
• 申請（專利權）人: 惠普發展公司;有限責任合伙企業
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 畢錚;陳嵐

1.一種方法，包括：

蝕刻中間層的部分以形成襯底組件中的傳感器腔體，襯底組件具有基底層和中間層，基底層包括第一材料，并且中間層包括不同于第一材料的第二材料；

在傳感器腔體中形成第一電極和第二電極；以及

形成與傳感器腔體流體連通的流體輸運通道，流體輸運通道包括不同于第一材料和第二材料的第三材料。

2.權利要求1所述的方法，還包括將中間層提供為鄰近第二分離層的第一分離層。

3.權利要求2所述的方法，還包括在第一分離層上沉積鈍化層并且在第二分離層上沉積蓋層。

4.權利要求1所述的方法，還包括在襯底組件上施加旋涂式玻璃層。

5.權利要求4所述的方法，其中形成流體輸運通道包括在旋涂式玻璃層和襯底組件上沉積環氧化物層。

6.權利要求5所述的方法，還包括在將環氧化物層沉積在旋涂式玻璃材料上之后從傳感器腔體移除旋涂式玻璃層。

7.權利要求1所述的方法，其中蝕刻中間層的部分以形成傳感器腔體包括在中間層中蝕刻近似在3微米和5微米之間的深度，以及在中間層中蝕刻近似在2微米和5微米之間的寬度。

8.權利要求1所述的方法，其中在傳感器腔體中形成第一電極和第二電極包括在襯底組件上和在傳感器腔體內沉積導電層，掩蔽或圖案化第一電極和第二電極，以及蝕刻導電層以提供位于傳感器腔體中的三維第一電極和三維第二電極。

9.一種方法，包括：

蝕刻中間層的部分以形成襯底組件中的傳感器腔體，襯底組件具有基底層和中間層；

在傳感器腔體內沉積導電層；

經由導電層在傳感器腔體中蝕刻至少兩個電極；

利用旋涂式玻璃層涂敷傳感器腔體；以及

在旋涂式玻璃層之上沉積環氧化物層以形成與傳感器腔體流體連通的流體輸運通道。

10.權利要求9所述的方法，其中在中間層中蝕刻傳感器腔體包括將中間層蝕刻有近似在2微米和5微米之間的寬度，以及近似在3微米和5微米之間的深度。

11.權利要求9所述的方法，還包括在將環氧化物層沉積在旋涂式玻璃層上之后從傳感器腔體移除旋涂式玻璃層。

12.一種用于形成用于微流體設備的傳感器裝置的方法，所述方法包括：

形成具有以下的襯底組件：

包括第一材料的基底層；

沉積在基底層上的第一分離層，第一分離層由第二材料形成；

位于第一分離層上的鈍化層；

沉積在鈍化層上的第二分離層；以及

沉積在第二分離層上的蓋層；

蝕刻蓋層和第二分離層以限定傳感器腔體；

在蓋層和傳感器腔體上沉積導電層；

蝕刻導電層的部分以限定位于傳感器腔體中的第一電極和第二電極；

利用旋涂式玻璃層涂覆導電層、位于傳感器腔體中的鈍化層和蓋層；

蝕刻掉除了位于傳感器腔體中的旋涂式玻璃層之外的旋涂式玻璃層；

在導電層、旋涂式玻璃層和蓋層上沉積管芯表面優化層；

在管芯表面優化層之上沉積環氧化物層；以及

移除傳感器腔體內形成的旋涂式玻璃層。

13.權利要求12所述的方法，還包括在蝕刻蓋層和第二分離層之前，在蓋層上旋涂第一光致抗蝕劑層并且掩蔽蓋層之上的傳感器腔體圖案。

14.權利要求12所述的方法，還包括在將導電層沉積在蓋層和傳感器腔體上之前，在蓋層和第二分離層上沉積限定傳感器腔體的接合層。

15.權利要求12所述的方法，還包括在形成傳感器腔體之后并且在沉積導電層之前，在蓋層、鈍化層或第二分離層的壁中的至少一個上沉積限定傳感器腔體的原子層沉積層。