[發明專利]光學成像配置的安裝配置

有效

• 申請號: 201680085915.4
• 申請日: 2016-05-17
• 公開（公告）號: CN109154780B
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: D.謝弗;J.普羅克諾
• 申請（專利權）人: 卡爾蔡司SMT有限責任公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G02B7/18;G02B7/182
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王蕊瑞

提供一種將光學成像配置(101)的組件(111)、特別是光學組件連接至支撐結構(102.1)的支撐單元(112)的連接配置(109)，其包含連接元件單元(110)。連接元件單元(110)具有包含支撐接口區(110.3)的支撐接口端(110.1)以及包含組件接口區(110.4)的組件接口端(110.2)。支撐接口區(110.3)構造為形成機械連接至支撐單元(112)的支撐接口，而組件接口區(110.4)構造為形成機械連接至組件(111)的組件接口。連接元件單元(110)定義在支撐接口區(110.3)與組件接口區(110.4)之間的力流路徑，其中當組件(111)經由連接元件單元(110)而由支撐單元(112)支撐時，支撐組件(111)的支撐力沿力流路徑流動。至少一個寄生負載補償單元(114)位于組件接口區(110.4)附近且在力流路徑之外，且寄生負載補償單元(114)構造為降低和/或抵消由于連接元件單元(110)的熱膨脹而在至少一個寄生負載方向上引入至組件(111)的熱膨脹誘發寄生負載。

技術領域

本發明關于用于曝光過程的光學成像配置的組件的連接配置，特別是用于由微光刻系統所執行的曝光過程。本發明更關于連接光學成像配置的組件的方法以及光學成像方法。本發明也可在制造微電子裝置(特別是半導體裝置)的光學光刻過程背景下使用、或在制造用于這類光學光刻過程期間的裝置(例如掩模或掩模母版)的背景下使用。

背景技術

一般而言，在制造微電子裝置(例如半導體裝置)的背景下所使用的光學系統包含多個光學元件單元，其包含配置在光學系統的曝光光路徑中的光學元件(例如透鏡及反射鏡等)。這些光學元件通常在曝光過程中協作以將形成于掩模、掩模母版或類似物上的圖案的像轉印至基板(例如晶片)上。光學元件通常于一個或多個功能上不同的光學元件組中結合。這些不同的光學元件組可由不同的光學曝光單元保持。特別是主要為在所謂真空紫外光(VUV)范圍的波長(例如在193nm的波長)下工作的折射系統，這類光學曝光單元通常由保持一個或多個光學元件的一組光學元件模塊所建構。這些光學元件模塊通常包含支撐一個或多個光學元件保持器的外部大致為環形的支撐裝置，其中每一光學元件保持器又保持光學元件。

然而，由于半導體裝置的持續微型化，用于制造這些半導體裝置的光學系統的增強分辨率為永久的需求。此增強分辨率的需求顯然推動了對提高數值孔徑(NA)及提高光學系統的成像準確度的需求。

達成增強分辨率的一個方法為降低用于曝光過程的光的波長。近年來，采用的方法使用在極紫外光(EUV)范圍的光，一般使用范圍在5nm到20nm，多數情況為約13nm的波長。在此EUV范圍，不再可能使用一般的折射光學件。這是由于以下的事實：在此EUV范圍中，通常用于折射光學元件的材料顯示太高的吸收程度而無法獲得高質量的曝光結果。因此，在EUV范圍中，包含反射元件(例如反射鏡或類似者)的反射系統用于曝光過程中，以將形成于掩模上的圖案的像轉印至基板(例如晶片)上。

在EUV范圍中使用高數值孔徑(例如NA＞0.4到0.5)反射系統的轉換對光學成像配置的設計帶來了相當大的挑戰。

其中一個關鍵的準確度要求為基板上像的位置的準確度，其也稱作視線(line ofsight，LoS)準確度。視線準確度一般約與數值孔徑的倒數成比例。因此，數值孔徑NA＝0.45的光學成像配置的視線準確度比數值孔徑NA＝0.33的光學成像配置的視線準確度小1.4倍。一般而言，對NA＝0.45的數值孔徑，視線準確度的范圍小于0.5nm。若在曝光過程中允許重復曝光，則準確度一般將再降低1.4倍。因此，在此情況下，視線準確度的范圍甚至低于0.3nm。

除其他外，上述因素導致對參與曝光過程的組件之間的相對位置以及個別組件的變形有非常嚴格的要求。此外，為了可靠地獲得高質量半導體裝置，不僅需要提供呈現高成像準確度的光學系統，也需要在整個曝光過程期間及整個系統使用壽命期間維持這樣的高準確度。因此，在曝光過程中合作的光學成像配置組件(舉例來說，即掩模、光學元件及晶片)必須以明確限定的方式來支撐，以維持該光學成像配置組件之間的預定空間關系并最小化所不希望的變形以及提供高質量的曝光過程。