[發(fā)明專利]基板處理裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法以及記錄介質(zhì)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680085628.3 | 申請(qǐng)日: | 2016-08-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109196623A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-01-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 廣地志有;柳澤愛(ài)彥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社國(guó)際電氣 |
| 主分類號(hào): | H01L21/268 | 分類號(hào): | H01L21/268;H01L21/02;H01L21/20;H05B6/68 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 范勝杰;金慧善 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 溫度數(shù)據(jù) 加熱裝置 溫度測(cè)量裝置 電磁波 測(cè)量 基板處理裝置 半導(dǎo)體裝置 熱處理技術(shù) 非接觸式 對(duì)基板 抑制基 基板 加熱 破損 變形 電源 輸出 制造 | ||
本發(fā)明提供一種技術(shù),具有:加熱裝置,其使用電磁波對(duì)基板進(jìn)行加熱;非接觸式溫度測(cè)量裝置,其測(cè)量上述基板的溫度;控制部,其獲取由上述溫度測(cè)量裝置測(cè)量出的溫度數(shù)據(jù),并進(jìn)行上述溫度數(shù)據(jù)與預(yù)先設(shè)定的作為閾值的上限溫度和下限溫度的比較,在上述溫度數(shù)據(jù)高于上述上限溫度的情況下,或者,上述溫度數(shù)據(jù)低于上述下限溫度的情況下,控制為降低上述加熱裝置的輸出或者關(guān)閉上述加熱裝置的電源。由此,能夠提供能夠抑制基板的變形或者破損的電磁波熱處理技術(shù)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及基板處理裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法以及記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)
作為半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體器件)的制造工序之一,例如有被退火處理等代表的改質(zhì)處理,該退火處理是使用加熱裝置加熱處理室內(nèi)的基板,改變?cè)诨宓谋砻娉赡さ谋∧ぶ械慕M成、晶體結(jié)構(gòu)、或者修復(fù)成膜的薄膜內(nèi)的晶體缺陷等。在近年來(lái)的半導(dǎo)體器件中,小型化、高集成化變得顯著,與此相伴,需要對(duì)形成有具有高縱橫比的圖案的高密度基板進(jìn)行改質(zhì)處理。作為這樣的對(duì)高密度基板的改質(zhì)處理方法,探討了使用微波的熱處理方法。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2015-070045
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
在以往的使用微波的熱處理中,存在由于在熱處理中基板變形而不能均勻地加熱基板的情況。
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制基板的變形或者破損的電磁波熱處理技術(shù)。
用于解決課題的手段
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式,提供一種具有加熱裝置、非接觸式溫度測(cè)量裝置、控制部的技術(shù),其中,
上述加熱裝置使用電磁波對(duì)基板進(jìn)行加熱,
上述非接觸式溫度測(cè)量裝置測(cè)量上述基板的溫度,
上述控制部獲取由上述溫度測(cè)量裝置測(cè)量出的溫度數(shù)據(jù),并進(jìn)行上述溫度數(shù)據(jù)與預(yù)先設(shè)定的作為閾值的上限溫度和下限溫度的比較,在上述溫度數(shù)據(jù)高于上述上限溫度的情況下,或者,上述溫度數(shù)據(jù)低于上述下限溫度的情況下,控制為降低上述加熱裝置的輸出或者關(guān)閉上述加熱裝置的電源。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明,能夠提供能夠抑制基板的變形或者破損的電磁波熱處理技術(shù)。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式中適當(dāng)使用的基板處理裝置的單片型處理爐的概略結(jié)構(gòu)圖,是以縱剖視圖示出處理爐部分的圖。
圖2的(A)是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式中適當(dāng)使用的基板處理裝置的溫度測(cè)量方法的圖,是測(cè)量隔熱板的溫度時(shí)的圖。圖2的(B)是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式中適當(dāng)使用的基板處理裝置的溫度測(cè)量方法的圖,是測(cè)量基板的溫度時(shí)的圖。
圖3是本發(fā)明中適當(dāng)使用的基板處理裝置的控制器的概略結(jié)構(gòu)圖。
圖4是表示本發(fā)明中的基板處理的流程的圖。
圖5是表示本發(fā)明中的基板處理的溫度變化與電磁波供給部的關(guān)系的圖。
圖6是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式中適當(dāng)使用的基板處理裝置的縱型處理爐的概略結(jié)構(gòu)圖,是以縱剖視圖示出處理爐部分的圖。
具體實(shí)施方式
<本發(fā)明的第一實(shí)施方式>
以下,基于附圖對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
(1)基板處理裝置的結(jié)構(gòu)
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





