[發明專利]基板處理裝置、半導體裝置的制造方法以及記錄介質

在審

• 申請號: 201680085628.3
• 申請日: 2016-08-31
• 公開（公告）號: CN109196623A
• 公開（公告）日: 2019-01-11
• 發明（設計）人: 廣地志有;柳澤愛彥
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268;H01L21/02;H01L21/20;H05B6/68
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 范勝杰;金慧善

1.一種基板處理裝置，其特征在于，具有：

加熱裝置，其使用電磁波對基板進行加熱；

非接觸式溫度測量裝置，其測量上述基板的溫度；以及

控制部，其獲取由上述溫度測量裝置測量出的溫度數據，并進行上述溫度數據與預先設定的上限溫度和下限溫度的比較，在上述溫度數據高于上述上限溫度的情況下，或者，上述溫度數據低于上述下限溫度的情況下，控制為降低上述加熱裝置的輸出或者關閉上述加熱裝置的電源。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述上限溫度是比對上述基板進行處理的基板處理溫度高的溫度，被設定為基板處理溫度+5％以內的溫度。

3.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述下限溫度是比對上述基板進行處理的基板處理溫度低的溫度，被設定為基板處理溫度－5％以內的溫度。

4.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述控制部構成為，在降低上述加熱裝置的輸出或者關閉上述加熱裝置的電源后，上述溫度數據低于上述上限溫度或者高于上述下限溫度時，控制為提高上述加熱裝置的輸出或者接通上述加熱裝置的電源。

5.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有如下的工序：

將基板搬入基板處理裝置的處理室內，其中，上述基板處理裝置具有使用電磁波對基板進行加熱的加熱裝置、測量上述基板的溫度的非接觸式溫度測量裝置以及至少控制上述加熱裝置和上述溫度測量裝置的控制部；

通過從上述加熱裝置供給的電磁波對上述基板進行加熱并處理；以及

在處理上述基板的處理中，獲取由上述溫度測量裝置測量出的溫度數據，進行上述溫度數據與預先設定的上限溫度和下限溫度的比較，在上述溫度數據高于上述上限溫度的情況下，或者，上述溫度數據低于上述下限溫度的情況下，控制為降低上述加熱裝置的輸出或者關閉上述加熱裝置的電源。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

上述上限溫度是比對上述基板進行處理的基板處理溫度高的溫度，被設定為基板處理溫度+5％以內的溫度。

7.根據權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

上述下限溫度是比對上述基板進行處理的基板處理溫度低的溫度，被設定為基板處理溫度－5％以內的溫度。

8.根據權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在降低上述加熱裝置的輸出或者關閉上述加熱裝置的電源后，上述溫度數據低于上述上限溫度或者高于上述下限溫度時，上述控制部控制為提高上述加熱裝置的輸出或者接通上述加熱裝置的電源。

9.一種計算機可讀記錄介質，其特征在于，該記錄介質記錄有通過計算機使基板處理裝置執行如下步驟的程序：

將基板搬入基板處理裝置的處理室內，其中，上述基板處理裝置具有使用電磁波對基板進行加熱的加熱裝置、測量上述基板的溫度的非接觸式溫度測量裝置以及至少控制上述加熱裝置和上述溫度測量裝置的控制部；

通過從上述加熱裝置供給的電磁波對上述基板進行加熱并處理；以及

在處理上述基板的處理中，獲取由上述溫度測量裝置測量出的溫度數據，進行上述溫度數據與預先設定的作為閾值的上限溫度和下限溫度的比較，在上述溫度數據高于上述上限溫度的情況下，或者，上述溫度數據低于上述下限溫度的情況下，控制為降低上述加熱裝置的輸出或者關閉上述加熱裝置的電源。

10.根據權利要求9所述的記錄介質，其特征在于，

上述上限溫度是比對上述基板進行處理的基板處理溫度高的溫度，被設定為基板處理溫度+5％以內的溫度。

11.根據權利要求9所述的記錄介質，其特征在于，

上述下限溫度是比對上述基板進行處理的基板處理溫度低的溫度，被設定為基板處理溫度－5％以內的溫度。

12.根據權利要求9所述的記錄介質，其特征在于，

在降低上述加熱裝置的輸出或者關閉上述加熱裝置的電源后，上述溫度數據低于上述上限溫度或者高于上述下限溫度時，上述控制部控制為提高上述加熱裝置的輸出或者接通上述加熱裝置的電源。