[發(fā)明專利]層疊型熱電轉(zhuǎn)換元件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680084024.7 | 申請日: | 2016-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN108780834A | 公開(公告)日: | 2018-11-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林幸子 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號: | H01L35/32 | 分類號: | H01L35/32;H01L35/22 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 接合 熱電轉(zhuǎn)換元件 層疊型 絕緣層 絕緣材料 摩爾比 穩(wěn)定化氧化鋯 復(fù)合氧化物 金屬氧化物 稀土元素 直接接合 合金 自由 | ||
本發(fā)明的層疊型熱電轉(zhuǎn)換元件的特征在于,其為具備包含p型半導(dǎo)體材料的p型層、包含n型半導(dǎo)體材料的n型層和包含絕緣材料的絕緣層的層疊型熱電轉(zhuǎn)換元件,上述p型層與上述n型層接合而形成pn接合對,在上述p型層與上述n型層的接合面的一部分區(qū)域中,上述p型半導(dǎo)體材料與上述n型半導(dǎo)體材料直接接合,在上述接合面的其他區(qū)域中,上述p型半導(dǎo)體材料與上述n型半導(dǎo)體材料借助上述絕緣層而接合,上述p型半導(dǎo)體材料為包含Ni的合金,上述n型半導(dǎo)體材料為包含Sr、Ti、Zr、稀土元素和O的復(fù)合氧化物,且Zr/(Ti+Zr)所示的摩爾比為0.0001≤Zr/(Ti+Zr)≤0.1,上述絕緣材料為包含選自由Y2O3和CaO組成的組中的至少1種金屬氧化物M和ZrO2的部分穩(wěn)定化氧化鋯,且M/(ZrO2+M)所示的摩爾比為0.026≤M/(ZrO2+M)≤0.040。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及層疊型熱電轉(zhuǎn)換元件。
背景技術(shù)
作為將熱能轉(zhuǎn)換為電能的方法,有直接法和間接法。間接法是將熱能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能等并發(fā)電的方法,火力發(fā)電等是代表性的方法。
另一方面,作為直接法中使用的元件,已知有熱電轉(zhuǎn)換元件。
專利文獻(xiàn)1中公開了一種層疊型熱電轉(zhuǎn)換元件,其是通過將層疊p型半導(dǎo)體片(p型層)、n型半導(dǎo)體片(n型層)和絕緣層而成的層疊體進(jìn)行脫脂和焙燒而制作的。層疊型熱電轉(zhuǎn)換元件具有如下結(jié)構(gòu):在接合面的一部分的區(qū)域中,使p型層與n型層直接接合,在接合面的其他區(qū)域中,借助絕緣層使p型層與n型層接合。
層疊型熱電轉(zhuǎn)換元件與設(shè)有用于使p型層與n型層之間絕緣的空隙層的π(Pi)型熱電轉(zhuǎn)換元件等相比,可以提高元件中的熱電轉(zhuǎn)換材料的占有率,還可以提高元件的強(qiáng)度。另外,為了將p型層與n型層直接接合,與借助電極等將它們接合的π型熱電轉(zhuǎn)換元件等相比,可以降低元件內(nèi)的電路電阻。層疊型熱電轉(zhuǎn)換元件通過這些特征而具有可以提高熱電轉(zhuǎn)換效率、元件的強(qiáng)度的優(yōu)點(例如參照專利文獻(xiàn)2)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2004-281928號公報
專利文獻(xiàn)2:國際公開第2012/011334號
發(fā)明內(nèi)容
關(guān)于專利文獻(xiàn)1和2中公開的層疊型熱電轉(zhuǎn)換元件,實際發(fā)電的輸出功率低于根據(jù)p型層、n型層和絕緣層的構(gòu)成在理論上期待的輸出功率。因此,期望用于充分發(fā)揮層疊型熱電轉(zhuǎn)換元件中期待的發(fā)電能力的改良。
本發(fā)明是為了解決上述問題而作出的,其目的在于,提供:發(fā)電能力更高的層疊型熱電轉(zhuǎn)換元件。
為了達(dá)成上述目的,本發(fā)明的層疊型熱電轉(zhuǎn)換元件的特征在于,其為具備p型半導(dǎo)體材料的p型層、包含n型半導(dǎo)體材料的n型層和包含絕緣材料的絕緣層的層疊型熱電轉(zhuǎn)換元件,上述p型層與上述n型層接合而形成pn接合對,在上述p型層與上述n型層的接合面的一部分區(qū)域中,上述p型半導(dǎo)體材料與上述n型半導(dǎo)體材料直接接合,在上述接合面的其他區(qū)域中,上述p型半導(dǎo)體材料與上述n型半導(dǎo)體材料借助上述絕緣層而接合,上述p型半導(dǎo)體材料為包含Ni的合金,上述n型半導(dǎo)體材料為包含Sr、Ti、Zr、稀土元素和O的復(fù)合氧化物,且Zr/(Ti+Zr)所示的摩爾比為0.0001≤Zr/(Ti+Zr)≤0.1,上述絕緣材料為包含選自由Y2O3和CaO組成的組中的至少1種金屬氧化物M和ZrO2的部分穩(wěn)定化氧化鋯,且M/(ZrO2+M)所示的摩爾比為0.026≤M/(ZrO2+M)≤0.040。
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H01L35-28 .只利用Peltier或Seebeck效應(yīng)進(jìn)行工作的
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