[發明專利]層疊型熱電轉換元件在審
| 申請號： | 201680084024.7 | 申請日： | 2016-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN108780834A | 公開（公告）日： | 2018-11-09 |
| 發明（設計）人： | 林幸子 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H01L35/32 | 分類號： | H01L35/32;H01L35/22 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 接合 熱電轉換元件 層疊型 絕緣層 絕緣材料 摩爾比 穩定化氧化鋯 復合氧化物 金屬氧化物 稀土元素 直接接合 合金 自由 | ||
1.一種層疊型熱電轉換元件，其特征在于，其為具備包含p型半導體材料的p型層、包含n型半導體材料的n型層和包含絕緣材料的絕緣層的層疊型熱電轉換元件，
所述p型層與所述n型層接合而形成pn接合對，在所述p型層與所述n型層的接合面的一部分區域中，所述p型半導體材料與所述n型半導體材料直接接合，在所述接合面的其他區域中，所述p型半導體材料與所述n型半導體材料借助所述絕緣層而接合，
所述p型半導體材料為包含Ni的合金，
所述n型半導體材料為包含Sr、Ti、Zr、稀土元素和O的復合氧化物，且Zr/(Ti+Zr)所示的摩爾比為0.0001≤Zr/(Ti+Zr)≤0.1，
所述絕緣材料為包含選自由Y2O3和CaO組成的組中的至少1種金屬氧化物M和ZrO2的部分穩定化氧化鋯，且M/(ZrO2+M)所示的摩爾比為0.026≤M/(ZrO2+M)≤0.040。
2.根據權利要求1所述的層疊型熱電轉換元件，其中，所述絕緣材料中所含的所述金屬氧化物M為Y2O3。
3.根據權利要求1或2所述的層疊型熱電轉換元件，其中，所述p型半導體材料為包含Ni和Mo的合金。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的層疊型熱電轉換元件，其中，所述n型半導體材料中所含的稀土元素為La。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的層疊型熱電轉換元件，其中，所述p型層還含有作為n型半導體使用的材料。
6.根據權利要求5所述的層疊型熱電轉換元件，其中，所述p型層中所含的、作為n型半導體使用的所述材料中包含Zr。
7.根據權利要求1～4中任一項所述的層疊型熱電轉換元件，其中，所述p型層還含有與所述n型層中所含的n型半導體材料為相同組成的所述n型半導體材料。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社村田制作所，未經株式會社村田制作所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201680084024.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
