[發明專利]等離子處理裝置及方法

有效

• 申請號: 201680083905.7
• 申請日: 2016-05-30
• 公開（公告）號: CN108885983B
• 公開（公告）日: 2022-11-11
• 發明（設計）人: 淺野敬祐;山田賢一;川崎智弘;沼川信孝
• 申請（專利權）人: 株式會社JCU
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/3065
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 牛玉婷

1.一種等離子處理裝置，具備：

被處理物保持部件，保持被處理物；

真空槽，收納上述被處理物保持部件，該真空槽的內部被抽真空；

成為負電極的板狀的噴吹面板，具有多個噴吹孔，上述多個噴吹孔用于向被上述被處理物保持部件保持的上述被處理物輸送工藝氣體；以及

正的電極面板，配置在上述噴吹面板與上述被處理物保持部件之間，上述電極面板是通過排列多個棒狀電極而構成的，

上述被處理物是板狀，成為上述負電極的上述噴吹面板的表面、上述正的電極面板、和被上述被處理物保持部件保持的上述被處理物相互平行地配置，

從上述被處理物起在一側朝向工藝氣體導入孔依次配置上述電極面板和上述噴吹面板，上述噴吹面板與上述電極面板之間的距離比上述電極面板與上述被處理物之間的距離大。

2.如權利要求1所述的等離子處理裝置，

上述噴吹孔朝向上述電極面板的多個棒狀電極之間而進行開口，并且被配置為矩陣。

3.如權利要求2所述的等離子處理裝置，

上述噴吹面板在內部具備具有多個整流孔的整流板。

4.如權利要求3所述的等離子處理裝置，

上述真空槽在被分離為第1槽及第2槽的分離狀態、和上述第1槽及上述第2槽被結合而能夠進行抽真空的結合狀態之間變位，在上述分離狀態下進行上述被處理物向上述被處理物保持部件的運入及運出。

5.如權利要求4所述的等離子處理裝置，

上述第1槽具有上述被處理物保持部件和上述工藝氣體的排出孔；

上述第2槽具有上述噴吹面板和上述電極面板；

在上述第1槽及上述第2槽的至少一方具有大氣開放孔。

6.如權利要求1～4中任一項所述的等離子處理裝置，

上述被處理物保持部件在使上述被處理物的兩表面露出的狀態下保持上述被處理物；

上述噴吹面板和上述電極面板夾著上述被處理物被設置在上述被處理物的兩側，對上述被處理物的兩表面進行等離子處理。

7.如權利要求4所述的等離子處理裝置，

上述第1槽及上述第2槽具有上述噴吹面板和上述電極面板；

上述第1槽或上述第2槽具有上述被處理物保持部件、上述工藝氣體的排出孔、和大氣開放孔。

8.如權利要求1～5、7中任一項所述的等離子處理裝置，

上述噴吹面板、上述電極面板和上述被處理物保持部件具有供熱介質循環的通路。

9.如權利要求6所述的等離子處理裝置，

上述噴吹面板、上述電極面板和上述被處理物保持部件具有供熱介質循環的通路。

10.如權利要求4所述的等離子處理裝置，

上述被處理物保持部件在使上述被處理物的兩面露出的狀態下保持上述被處理物；

上述噴吹面板和上述電極面板夾著上述被處理物被設置在上述被處理物的兩側，對上述被處理物的兩表面進行等離子處理；

上述第1槽及上述第2槽具有上述噴吹面板和上述電極面板；

上述第1槽或上述第2槽具有上述被處理物保持部件、上述工藝氣體的排出孔、和大氣開放孔。

11.一種等離子處理方法，具有：

在真空槽內通過被處理物保持部件保持板狀的被處理物的步驟；以及

對平行于上述被處理物配置的正的電極面板與負的電極面板之間施加高頻電壓、并且從配置在負的電極面板上的多個噴吹孔將工藝氣體朝向上述被處理物噴吹來對上述被處理物進行等離子處理的步驟，所述負的電極面板相對于上述正的電極面板，在與上述被處理物的配置側相反側即工藝氣體導入孔側，與上述正的電極面板分離地且與上述正的電極面板并排地配置，

上述負的電極面板與上述正的電極面板之間的距離大于上述正的電極面板與上述被處理物之間的距離。

12.一種等離子處理方法，具有：

在真空槽內在使板狀的被處理物的兩面露出的狀態下，通過被處理物保持部件保持上述被處理物的步驟；以及

對平行于上述被處理物的上述兩面配置的正的電極面板與負的電極面板之間施加高頻電壓、并且從配置在負的電極面板上的多個噴吹孔將工藝氣體朝向上述被處理物的上述兩面噴吹來對上述被處理物的上述兩面進行等離子處理的步驟，所述負的電極面板相對于上述正的電極面板，在與上述被處理物的配置側相反側即工藝氣體導入孔側，與上述正的電極面板分離地且與上述正的電極面板并排地配置，

在上述被處理物的兩側，上述負的電極面板與上述正的電極面板之間的距離大于上述正的電極面板與上述被處理物之間的距離。