[發明專利]等離子處理裝置及方法有效
| 申請號: | 201680083905.7 | 申請日: | 2016-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN108885983B | 公開(公告)日: | 2022-11-11 |
| 發明(設計)人: | 淺野敬祐;山田賢一;川崎智弘;沼川信孝 | 申請(專利權)人: | 株式會社JCU |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 牛玉婷 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子 處理 裝置 方法 | ||
提供一種對于作為被處理物的基板均勻地進行基于等離子的表面處理的等離子處理裝置及方法。將基板(11)保持在基板支架(31)上而收容到處理室(14)內。對置于基板(11)的表面而配置有正電極面板(32)。工藝氣體被從噴吹面板(33)朝向正電極面板(32)及基板(11)輸送。在正電極面板(32)上連接高頻電源的正極,在噴吹面板(33)上連接負極,而施加高頻電壓。工藝氣體在作為負電極的噴吹面板(33)與正電極面板(32)之間通過,產生等離子。通過產生的等離子,將基板(11)的表面的污染物質除去。
技術領域
本發明涉及在真空的處理室內對被處理物進行等離子處理的等離子處理裝置及方法。
背景技術
已知有在被設為真空的處理室內作為被處理物而對于例如基板使用等離子進行各種處理的等離子處理裝置。作為等離子處理,例如有將基板表面的臟污除去的清潔、蝕刻、將在基板上形成貫通孔時附著在該貫通孔的壁面上的樹脂殘渣(污跡)除去的去污(desmear)、將基板表面的抗蝕劑(有機物)的殘渣(渣滓)除去的去渣等。在等離子處理中,在將處理室內設為真空而從高頻電源向一對電極間施加了高頻電壓的狀態下導入工藝氣體。由此,使工藝氣體等離子化。并且,通過產生的等離子中的原子團或離子接觸或碰撞在被處理物的表面上,例如將表面的臟污除去而進行清潔。
例如,在日本特開平8-37178號公報所記載的灰化裝置中,將作為被處理物的基板配置到處理室內的一對平板電極之間,進行用等離子將抗蝕劑灰化(Ashing)而除去的灰化處理。在一對平板電極的一方上施加高頻電壓,將另一方接地。并且,在將基板載置在被接地的電極上的狀態下導入工藝氣體,產生等離子而進行處理。
此外,在日本特開2008-186994號公報所記載的等離子清洗裝置中,以夾著作為被處理物的基板的方式配置一對電極,并且從一方的電極側朝向另一方的電極導入工藝氣體,將基板進行等離子清洗。
發明內容
發明要解決的課題
另外,在由上述專利文獻表示那樣的等離子處理裝置中,采用將作為被處理物的基板配置在一對電極間的結構,基板被置于等離子中。因此,基板表面的等離子的量變得過大,容易給基板帶來傷害。此外,基板表面的等離子的量及分布的調整不容易,難以將基板表面均勻地進行處理。
本發明的目的是提供一種當對于被處理物進行等離子處理時、對于被處理物供給充分的等離子、此外等離子的供給量容易調整的等離子處理裝置及方法。
用來解決課題的手段
本發明的等離子處理裝置具備被處理物保持部件、真空槽、噴吹面板和正電極面板。被處理物保持部件保持被處理物。真空槽收納被處理物保持部件,內部被抽真空。噴吹面板具有用于向被被處理物保持部件保持的被處理物輸送工藝氣體的多個噴吹孔,該噴吹面板為負電極,被形成為板狀。正電極面板是將多個棒狀電極排列而構成的,被配置在噴吹面板及被處理物保持部件之間。
另外,優選的是,被處理物是板狀,成為負電極的噴吹面板的表面、正電極面板、和被被處理物保持部件保持的被處理物相互平行地配置。優選的是,噴吹孔朝向電極面板的多個棒狀電極之間而進行開口,并且被配置為矩陣。優選的是,噴吹面板在內部具備具有多個整流孔的整流板。另外,所謂平行,也包括一方相對于另一方傾斜±15°的大致平行。
優選的是,真空槽在被分離為第1槽及第2槽的分離狀態、和第1槽及第2槽被結合而能夠進行抽真空的結合狀態之間變位,在分離狀態下進行被處理物向被處理物保持部件的運入及運出。
優選的是,第1槽具有被處理物保持部件和工藝氣體的排出孔;第2槽具有噴吹面板和電極面板;在第1槽及第2槽的至少一方具有大氣開放孔。
優選的是,被處理物保持部件在使被處理物的兩面露出的狀態下保持被處理物;噴吹面板和電極面板夾著被處理物被設置在被處理物的兩面,對被處理物的兩面進行等離子處理。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





