[發(fā)明專利]蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的制造方法及有機半導(dǎo)體元件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680083684.3
• 申請日: 2016-07-22
• 公開（公告）號: CN108779549B
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 西田光志;岸本克彥;矢野耕三
• 申請（專利權(quán)）人: 鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/24;H01L51/50;H05B33/10
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334
• 代理人: 汪飛亞;薛曉偉

1.一種蒸鍍遮罩的制造方法，所述蒸鍍遮罩包括：

基底膜，其具有多個第一開口部且包含高分子；

復(fù)合磁體層，其形成于所述基底膜上，且具有實心部及非實心部；及

框架，其接合于所述基底膜的周緣部；

所述多個第一開口部形成于對應(yīng)所述非實心部的區(qū)域；

所述蒸鍍遮罩的制造方法包括：

步驟A，其準(zhǔn)備包含高分子的基底膜及框架；

步驟B，其將所述基底膜固定于所述框架；

步驟C，其在所述基底膜形成多個第一開口部；及

步驟D，在所述步驟C之后，在所述基底膜上形成包含平均粒徑小于500nm的軟鐵素體粉末及樹脂的復(fù)合磁體層。

2.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍遮罩的制造方法，其特征在于，所述步驟B包含拉緊所述基底膜的步驟。

3.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍遮罩的制造方法，其特征在于，在所述步驟C與所述步驟D之間，還包含將所述基底膜洗凈的步驟。

4.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍遮罩的制造方法，其特征在于，所述步驟D通過噴墨法進行。