[發明專利]用于排氣冷卻的設備

在審

• 申請號: 201680083129.0
• 申請日: 2016-04-13
• 公開（公告）號: CN108701583A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: 達斯廷·W·胡;邁克爾·S·考克斯;韋斯特·T·布賴恩特;約翰遜·M·羅杰;羅森宗·言;索曼納·丁克什
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

一種排氣冷卻設備(117)，包括至少一個冷卻板(314、412、514、614、814、914)，用于將紊流引入到排氣冷卻設備(117)內排氣流動。裝置(318、518、618、818、918)可以是多個鰭片(320、322、324、326、328)、具有彎曲頂部(544、644)的圓柱體(518、618)或具有斜角葉片(826、926)的擴散器(824、925)。排氣冷卻設備(117)內的排氣的紊流使顆粒自排氣中離開，而最小化排氣冷卻設備(117)下游的設備中形成顆粒。

技術領域

本公開內容的實施方式一般涉及半導體處理設備。更特定而言，本公開內容的實施方式涉及消除(abatement)系統和用于消除半導體工藝中產生的化合物的真空處理系統。

背景技術

半導體處理設施所用的處理氣體包括許多因法規要求及環境與安全考慮而在棄置前必須消除或處理的化合物，如全氟碳化物(PFCs)。一般而言，遠程等離子體源可耦接至處理腔室以消除離開處理腔室的化合物。可將試劑注入等離子體源以協助消除化合物。

用于消除PFCs的常規消除技術利用水蒸氣作為試劑，其提供良好的破壞移除效率(DRE)。然而，在遠程等離子體源中使用水蒸氣消除特定化合物可能導致在遠程等離子體源和遠程等離子體源下游的設備(如排氣線和泵)中形成固體顆粒。此外，離開遠程等離子體源的排氣可處于升高的溫度，此可導致在遠程等離子體源下游的泵處的問題。

因此，用于消除半導體工藝中產生的化合物的改良的消除系統是本領域中所需的。

發明內容

本公開內容的實施方式涉及消除系統和用于消除半導體工藝中產生的化合物的真空處理系統。在一個實施方式中，排氣冷卻設備包括具有入口和出口的主體以及設置在主體內的多個冷卻板。多個冷卻板形成蛇形通道。

在另一個實施方式中，排氣冷卻設備包括具有入口和出口的主體以及設置在主體內的多個中空圓柱體。多個中空圓柱體是同心的。

在另一個實施方式中，排氣冷卻設備包括具有入口和出口的主體、設置在主體內的冷卻板和設置在冷卻板上方的裝置。該裝置包括壁和耦接該壁的板。

附圖說明

本公開內容的特征已簡要概述于前，并在以下有更詳盡的論述，可以通過參考所附附圖中繪示的本案實施方式以作了解。然而，值得注意的是，所附附圖僅繪示本公開內容的典型實施方式，而由于本公開內容可允許其他等效的實施方式，因此所附附圖并不會視為本公開內容的范圍的限制。

圖1是包括根據本文所述的一個實施方式的排氣冷卻設備的真空處理系統的示意性側視圖。

圖2A是根據本文所述的一個實施方式的排氣冷卻設備的示意性截面圖。

圖2B是根據本文所述的另一個實施方式的排氣冷卻設備的示意性截面圖。

圖2C是根據本文所述的一個實施方式的圓柱體和耦接構件的示意性截面俯視圖。

圖3是根據本文所述的一個實施方式的排氣冷卻設備的截面圖。

圖4是根據本文所述的一個實施方式的排氣冷卻設備的截面圖。

圖5是根據本文所述的一個實施方式的排氣冷卻設備的截面圖。

圖6是根據本文所述的一個實施方式的排氣冷卻設備的截面圖。

圖7A是根據本文所述的一個實施方式的襯墊的一部分的透視圖。

圖7B是根據本文所述的一個實施方式的襯墊的透視圖。

圖8是根據本文所述的一個實施方式的排氣冷卻設備的截面圖。

圖9是根據本文所述的一個實施方式的排氣冷卻設備的截面圖。