[發(fā)明專利]減成圖案化的互連下方的自對準(zhǔn)通孔有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680082948.3 | 申請日： | 2016-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN108701645B | 公開（公告）日： | 2023-10-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | M·昌德霍克;R·E·申克爾;俞輝在;K·L·林;J·S·沙瓦拉;S·A·博亞爾斯基;S·蘇里;C·T·卡弗;S·納斯卡爾 | 申請（專利權(quán)）人： | 太浩研究有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 愛爾蘭*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 圖案 互連 下方 對準(zhǔn) | ||
1.一種用于制造電子器件的方法，包括：
在襯底上的第一絕緣層上的互連層中形成多個互連特征；
通過所述互連特征中的至少一個在所述第一絕緣層中形成開口；以及
在所述開口中沉積間隙填充層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
在所述互連層上沉積第一圖案化的硬掩模層以生成第一硬掩模特征；
在所述互連層上沉積可填充硬掩模層；
使用所述第一圖案化的硬掩模層和所述可填充硬掩模層作為掩模在所述互連層中形成溝槽；以及
將第二絕緣層沉積到所述溝槽中，其中所述第一絕緣層相對于第二絕緣層具有蝕刻選擇性。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
在所述互連特征上沉積第二圖案化的硬掩模層；以及
通過所述第二圖案化的硬掩模層蝕刻所述互連特征中的所述至少一個。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述開口包括所述互連特征中的所述至少一個下方的通孔部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
將襯墊層沉積到所述開口中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
將第三硬掩模層沉積到所述開口的通孔部分中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
使所述間隙填充層凹陷；
在所凹陷的間隙填充層上沉積導(dǎo)電層；以及
對所述導(dǎo)電層進(jìn)行退火。
8.一種用于制造自對準(zhǔn)通孔的方法，包括：
在襯底上的第一絕緣層上的互連層上沉積第一硬掩模層；
在所述互連層上沉積可填充硬掩模層；
在所述互連層中形成溝槽以生成多個互連特征；
將第二絕緣層沉積到所述溝槽中；
在所述第二絕緣層上沉積第三圖案化的硬掩模層；
通過所述第三圖案化的硬掩模層蝕刻所述互連特征中的至少一個以生成第一開口；
通過所述第一開口蝕刻所述第一絕緣層以生成第二開口；以及
將間隙填充層沉積到所述第二開口中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括：
在所述互連層上沉積間隔體層；以及
蝕刻所述間隔體層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一開口是所述互連特征中的所述至少一個下方的通孔。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括：
將襯墊層沉積到所述第一開口中。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括：
使所述間隙填充層凹陷；
在所凹陷的間隙填充層上沉積導(dǎo)電層；以及
對所述導(dǎo)電層進(jìn)行退火。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述互連層包括鎢、釕、鈷、鋁、銀、銅、硅、鍺、鎳或其任意組合。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一絕緣層相對于第二絕緣層具有蝕刻選擇性。
15.一種電子器件，包括：
位于襯底上的第一絕緣層上的第一互連層中的多個互連特征；
開口，所述開口包括所述互連特征中的至少一個中的溝槽部分以及所述溝槽部分下方的所述第一絕緣層中的通孔部分；以及
位于所述通孔部分中的間隙填充層，其中所述通孔部分與所述互連特征中的所述至少一個自對準(zhǔn)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子器件，還包括：
位于所述通孔部分中的襯墊層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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