[發明專利]創建具有富銦側表面和底表面的有源溝道的設備和方法

有效

• 申請號: 201680082393.2
• 申請日: 2016-02-22
• 公開（公告）號: CN108701714B
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: C.S.莫哈帕特拉;A.S.墨菲;G.A.格拉斯;M.V.梅茨;W.拉赫馬迪;G.德維;T.加尼;J.T.卡瓦利羅斯
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐予紅;鄭冀之

可形成具有含銦的三元或以上的III?V族化合物有源溝道的晶體管裝置及用于制作該晶體管裝置的過程，其在制作例如在三柵或環柵（GAA）裝置中使用的那些有源溝道的鰭形有源溝道時使能改進的載流子遷移率。在一個實施例中，含銦的三元或以上的III?V族化合物可沉積在子結構的重構的上表面上的窄溝槽中，這可產生具有富銦側表面和富銦底表面的鰭。這些富銦表面將鄰接晶體管的柵氧化物，并且相對于含銦的三元或以上的III?V族化合物有源溝道的常規同質組成可產生高電子遷移率和改進的切換速度。

技術領域

本描述的實施例通常涉及微電子裝置領域，以及更具體來說涉及在具有富銦表面的微電子晶體管中形成有源溝道以增加載流子遷移率。

背景技術

更高性能、更低成本、集成電路組件的增加小型化以及集成電路的更大封裝密度是對于微電子裝置的制作的微電子工業的現行目標。為了實現這些目標，微電子裝置內的晶體管必須按比例縮小、即變更小。連同晶體管的尺寸的減少，還已經存在采用它們的設計、所使用的材料和/或它們的制作過程中的改進來改進它們的效率的推動力。這類設計改進包括唯一結構的開發，所述唯一結構為例如非平面晶體管，包括三柵晶體管、FinFET、TFET、歐米伽場效應管和雙柵晶體管。

附圖說明

在本說明書的總結部分具體指出并且明確要求本公開的主題。由以下結合附圖的描述和所附權利要求，本公開的上述及其它特征將變得更加顯而易見。理解的是，附圖僅描繪根據本公開的若干實施例，并且因此并不被視為對它的范圍的限制。通過使用附圖，將采用附加的特異性和細節來描述本公開，使得能夠更易于確定本公開的優勢，其中：

圖1-16是根據本描述的另一個實施例、具有非平面晶體管的子結構的含銦的三元或以上的III-V族化合物有源溝道的制作的斜截面視圖、側截面視圖和圖解說明。

圖17-24是根據本描述的實施例的、非平面晶體管的含銦的三元或以上的III-V族化合物有源溝道的絕緣緩沖器的制作的斜截面和側截面視圖。

圖25示出根據本描述的一個實現的計算裝置。

具體實施方式

在以下詳細描述中，參照附圖，所述附圖以說明的方式示出其中可實踐要求主題的具體的實施例。充分詳細地描述這些實施例，以便使本領域的技術人員能夠實踐本主題。要理解的是，各個實施例雖然有所不同，但不一定相互排斥。例如，本文中結合一個實施例描述的特定特征、結構或特性可在其它實施例內實現，而不背離要求主題的精神和范圍。本說明書內提到“一個實施例”或“實施例”意思是結合該實施例描述的特定特征、結構或特性包括在本描述所包含的至少一個實現中。因此，短語“一個實施例”或“在實施例中”的使用不一定指相同實施例。另外要理解，可在不背離要求主題的精神和范圍的情況下，修改每個所公開實施例內的單獨元件的位置或布置。因此，以下詳細的描述不領會為限制意義，并且本主題的范圍僅由適當解釋的所附權利要求連同所附權利要求所授權的等效物的全部范圍來限定。附圖中，遍及若干視圖，相似附圖標記指相同或相似元件或功能性，以及其中所描繪的那些元件不一定相互按比例繪制，而是可放大或縮小的單獨元件，以便更易于理解本描述的上下文中的元件。

如本文中所使用的術語“之上”、“到”、“之間”和“上”指一個層相對于其它層的相對位置。另一個層“之上”或“上”或者接合“到”另一個層的一個層可與另一層直接接觸，或者可具有一個或多個中間層。層“之間”的一個層可與層直接接觸，或者可具有一個或多個中間層。