[發(fā)明專利]創(chuàng)建具有富銦側(cè)表面和底表面的有源溝道的設備和方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680082393.2
• 申請日: 2016-02-22
• 公開（公告）號: CN108701714B
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發(fā)明（設計）人: C.S.莫哈帕特拉;A.S.墨菲;G.A.格拉斯;M.V.梅茨;W.拉赫馬迪;G.德維;T.加尼;J.T.卡瓦利羅斯
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐予紅;鄭冀之

1.一種具有含銦的三元或以上的III-V族化合物有源溝道的微電子結(jié)構(gòu)，其中所述含銦的三元或以上的III-V族化合物有源溝道包括至少一個側(cè)表面和底表面，其中所述至少一個側(cè)表面和所述底表面具有比所述含銦的三元或以上的III-V族化合物有源溝道的平均銦含量更高的銦含量。

2.如權(quán)利要求1所述的微電子結(jié)構(gòu)，其中，所述含銦的三元或以上的III-V族化合物有源溝道包括砷化銦鎵、銻化銦鎵、銻化砷化銦鎵、磷化銦鎵、磷化砷化銦鎵、磷化銻化銦鎵和磷化銻化砷化銦鎵中的一個。

3.如權(quán)利要求1所述的微電子結(jié)構(gòu)，其中所述含銦的三元或以上的III-V族化合物有源溝道包括鰭。

4.如權(quán)利要求1所述的微電子結(jié)構(gòu)，所述微電子結(jié)構(gòu)還包括襯底，在所述襯底之上形成所述含銦的三元或以上的III-V族化合物有源溝道。

5.如權(quán)利要求4所述的微電子結(jié)構(gòu)，其中，所述含銦的三元或以上的III-V族化合物有源溝道包括具有一對相反側(cè)表面的鰭，并且其中所述側(cè)表面中的每個具有比所述含銦的三元或以上的III-V族化合物有源溝道的所述平均銦含量更高的銦含量，以及其中所述鰭的所述相反表面與所述襯底的第一表面大體上垂直。

6.如權(quán)利要求4所述的微電子結(jié)構(gòu)，所述微電子結(jié)構(gòu)還包括在所述含銦的三元或以上的III-V族化合物有源溝道與所述襯底之間形成的子結(jié)構(gòu)，其中所述子結(jié)構(gòu)鄰接所述含銦的三元或以上的III-V族化合物有源溝道底表面。

7.如權(quán)利要求6所述的微電子結(jié)構(gòu)，其中所述子結(jié)構(gòu)包括摻雜劑以及從由砷化銦鎵、砷化銦和銻化銦所組成的組中選取的溝道材料。

8.如權(quán)利要求6所述的微電子結(jié)構(gòu)，其中所述子結(jié)構(gòu)包括從由砷化銦鋁、磷化銦、磷化鎵、砷化鎵、銻化砷化鎵、銻化砷化鋁、砷化銦鋁鎵、磷化銦鋁鎵和砷化鋁鎵所組成的組中選取的材料。

9.如權(quán)利要求8所述的微電子結(jié)構(gòu)，所述微電子結(jié)構(gòu)還包括摻雜劑。

10.一種制作微電子結(jié)構(gòu)的方法，所述制作微電子結(jié)構(gòu)的方法包括：

在襯底上形成至少一個鰭，其中所述至少一個鰭包括從所述襯底延伸的一對相反側(cè)壁；

形成鄰接所述鰭側(cè)壁中的每個的隔離結(jié)構(gòu)；

通過去除所述至少一個鰭來形成溝槽；

在所述溝槽中形成子結(jié)構(gòu)，其中所述子結(jié)構(gòu)包括暴露的上表面；

處理所述子結(jié)構(gòu)以重構(gòu)所述子結(jié)構(gòu)上表面；

在所述溝槽內(nèi)形成含銦的三元或以上的III-V族化合物有源溝道，其中所述含銦的三元或以上的III-V族化合物有源溝道的側(cè)表面鄰接所述溝槽，并且具有比所述含銦的三元或以上的III-V族化合物有源溝道的平均銦含量更高的銦含量，并且其中所述含銦的三元或以上的III-V族化合物有源溝道包括鄰接所述子結(jié)構(gòu)上表面的底表面，其中所述含銦的三元或以上的III-V族化合物有源溝道底表面具有比所述含銦的三元或以上的III-V族化合物有源溝道的所述平均銦含量更高的銦含量。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成含銦的三元或以上的III-V族化合物有源溝道包括從砷化銦鎵、銻化銦鎵、銻化砷化銦鎵、磷化銦鎵、磷化砷化銦鎵、磷化銻化銦鎵和磷化銻化砷化銦鎵中的一個來形成所述含銦的三元或以上的III-V族化合物有源溝道。

12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中處理所述子結(jié)構(gòu)以重構(gòu)所述子結(jié)構(gòu)上表面包括加熱所述子結(jié)構(gòu)。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中加熱所述子結(jié)構(gòu)包括將所述子結(jié)構(gòu)在大約30秒與25分鐘之間的持續(xù)時間內(nèi)加熱到大約500oC與800oC之間的溫度。

14.如權(quán)利要求10所述的方法，其中處理所述子結(jié)構(gòu)以重構(gòu)所述子結(jié)構(gòu)上表面包括采用蝕刻劑來蝕刻所述子結(jié)構(gòu)上表面。