[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝襯底及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680082294.4 | 申請(qǐng)日： | 2016-11-10 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108701660B | 公開（公告）日： | 2022-03-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 裵仁燮;姜圣日 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 海成帝愛斯株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/14 | 分類號(hào)： | H01L23/14;H01L21/768;H01L23/492;H01L23/495;H01L23/29;H01L23/00 |
| 代理公司： | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人： | 汪麗紅 |
| 地址： | 韓國(guó)慶尙南道*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 封裝 襯底 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝襯底，在所述半導(dǎo)體封裝襯底中使用由絕緣材料形成的樹脂來填充具有上表面及下表面且由導(dǎo)電材料形成的基礎(chǔ)襯底，所述半導(dǎo)體封裝襯底包括：
管芯墊，由所述導(dǎo)電材料形成且位于所述上表面上；以及
引線，通過與所述管芯墊電隔離而排列于所述上表面上，且包括接合墊，所述接合墊為打線接合區(qū)域，
其中在所述接合墊的中心區(qū)域中形成朝所述下表面突出的突出部，且所述接合墊的中心厚度大于所述接合墊的周邊厚度，
其中所述引線更包括連接至所述接合墊的連接圖案，且所述接合墊的所述中心厚度大于所述連接圖案的厚度，
其中所述連接圖案的下部部分及所述接合墊的下部部分被填充所述樹脂，
其中所述接合墊的所述中心厚度小于所述管芯墊的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝襯底，其中所述引線更包括連接至所述接合墊的引線墊，且在所述下表面上設(shè)置有與所述管芯墊成一體地形成的管芯焊盤及與所述引線墊成一體地形成的引線焊盤。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝襯底，其中所述管芯墊與所述接合墊之間的所述樹脂的一部分被暴露出，且所述管芯墊、所述接合墊及被暴露的所述樹脂具有相同的高度水平。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝襯底，更包括：
半導(dǎo)體芯片，安裝于所述管芯墊上；以及
導(dǎo)線，接合至所述半導(dǎo)體芯片及所述接合墊。
5.一種制造半導(dǎo)體封裝襯底的方法，包括：
在由導(dǎo)電材料形成的基礎(chǔ)襯底的下表面中形成溝渠；
使用樹脂填充所述溝渠；
將所述樹脂固化；
自所述溝渠移除被暴露的所述樹脂；以及
通過將所述基礎(chǔ)襯底的與上表面相對(duì)的表面圖案化以暴露出填充所述溝渠的所述樹脂的至少一部分而在所述基礎(chǔ)襯底的所述上表面上形成管芯墊及引線，所述管芯墊具有平坦的表面，且所述引線與所述管芯墊隔離，
其中所述引線包括具有平坦的表面的接合墊及連接至所述接合墊的連接圖案，
所述溝渠的至少一部分形成于與所述引線對(duì)應(yīng)的區(qū)域中，所述溝渠在與所述接合墊對(duì)應(yīng)的區(qū)域具有第一深度且在與所述連接圖案對(duì)應(yīng)的區(qū)域具有第二深度，且所述第一深度小于所述第二深度，且
作為接合有導(dǎo)線的區(qū)域的所述接合墊包括朝所述下表面突出的突出部，且所述接合墊的中心厚度大于所述接合墊的周邊厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造半導(dǎo)體封裝襯底的方法，更包括將所述溝渠的內(nèi)表面粗糙化。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造半導(dǎo)體封裝襯底的方法，其中所述溝渠是通過半色調(diào)掩模工藝形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造半導(dǎo)體封裝襯底的方法，更包括在所述引線上形成鍍覆層。
9.一種半導(dǎo)體封裝襯底，在所述半導(dǎo)體封裝襯底中使用由絕緣材料形成的樹脂來填充具有上表面及下表面且由導(dǎo)電材料形成的基礎(chǔ)襯底，所述半導(dǎo)體封裝襯底包括：
管芯墊，由所述導(dǎo)電材料形成且位于所述上表面上；
引線，通過與所述管芯墊電隔離而排列于所述上表面上，且包括接合墊、連接圖案及引線墊，所述接合墊是打線接合區(qū)域；以及
引線焊盤，與所述引線墊成一體地形成于所述下表面上，
其中所述接合墊包括朝所述下表面突出的突出部，
所述連接圖案連接所述接合墊與所述引線墊，且
所述接合墊的中心厚度大于所述連接圖案的厚度，
其中所述連接圖案的下部部分及所述接合墊的下部部分被填充所述樹脂，
其中所述接合墊的所述中心厚度小于所述管芯墊的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝襯底，其中所述接合墊的所述中心厚度具有為50微米至90微米的值，且所述連接圖案的所述厚度具有為10微米至40微米的值。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝襯底，其中所述突出部被所述樹脂環(huán)繞。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝襯底，其中所述引線更包括連接至所述接合墊的所述引線墊，且
在所述下表面上設(shè)置有與所述管芯墊成一體地形成的管芯焊盤及與所述引線墊成一體地形成的引線焊盤。
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