[發明專利]高純度三甲硅烷基胺、制備方法和用途

有效

• 申請號: 201680080583.0
• 申請日: 2016-12-16
• 公開（公告）號: CN108602840B
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: B·M·凱托拉;J·A·馬多克;B·D·瑞肯;M·D·泰爾根霍夫;X·周
• 申請（專利權）人: 南大光電半導體材料有限公司
• 主分類號: C07F7/10
• 分類號: C07F7/10;C07F7/20
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 吳亦華

本發明公開了一種組合物，其包含：三甲硅烷基胺和小于5ppmw的鹵素。本發明還公開了一種制備甲硅烷基胺的方法，該方法包括使氨和包含氨基硅烷官能團的化合物在足以引起反應的條件下混合以形成甲硅烷基胺和副產物，其中所述包含氨基硅烷官能團的化合物根據式(I)R¹N(R²)_a(SiH₃)_2?a(I)，其中R¹為有機聚合物、C_1?20烴基基團或?SiR³₃¹，其中R³為C_1?6烴基，R²為C_1?20烴基基團、H、或?SiR³₃¹，其中R³如上定義，下標a為0或1，前提條件是除R¹為苯基，R²不為苯基之外，R¹和R²可相同或不同。

相關專利申請的交叉引用

無

技術領域

本發明整體涉及包含三甲硅烷基胺和小于5ppmw鹵素的組合物、制備甲硅烷基胺的方法、用三甲硅烷基胺組合物制備膜的方法、以及由三甲硅烷基胺組合物產生的膜。

背景技術

三甲硅烷基胺(TSA)具有工業應用，包括在光伏和電子應用中用作含硅膜沉積的前體。用于制備TSA的顯著工業過程包括一氯甲硅烷與氨的反應。除TSA之外，該過程還產生含氯副產物，諸如氯化銨。這些副產物在TSA的最終應用中是不希望的。例如，鹵素在使用TSA以化學氣相沉積法形成含硅膜的過程中有害。因此，在這些應用中期望可能的最低量鹵素。

TSA也通過二甲硅烷基胺反應并去除作為副產物的氨產生。然而，鹵素也可存在于由該過程產生的TSA中，因為鹵素可在制備二甲硅烷基胺的過程中引入。

已經開發出產生TSA后從其去除鹵素的方法。然而，減少TSA中的鹵素很困難，并且所用方法可顯著增加產生TSA的成本，增加副產物，降低收率，并且無法完全消除鹵素。

因此，需要一種低鹵素或不含鹵素的TSA組合物，以及以良好收率產生低鹵素或不含鹵素的TSA組合物的經濟方法。

發明內容

本發明涉及一種組合物，其包含三甲硅烷基胺和小于5ppmw的鹵素。

本發明還涉及一種制備甲硅烷基胺的方法，該方法包括：使氨和包含氨基硅烷官能團的化合物在足以引起反應的條件下混合，以形成甲硅烷基胺和副產物，其中所述化合物根據式(I)

R¹N(R²)_a(SiH₃)_2-a (I)，

其中R¹為有機聚合物、C_1-20烴基基團或-SiR³₃，其中每個R³獨立地為C_1-6烴基，每個R²獨立地為C_1-20烴基基團、H、或-SiR³₃¹，其中每個R³獨立地如上定義，下標a為0或1，前提條件是除R¹為苯基，R²不為苯基之外，R¹和R²可相同或不同。

本發明還涉及另一種制備甲硅烷基胺的方法，該方法包括：

i)混合如下組分：

A)包含伯胺或仲胺的化合物，

B)甲硅烷(SiH₄)，以及