[發(fā)明專利]SELS納米指狀物側(cè)壁涂層

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680079718.1
• 申請日: 2016-04-21
• 公開（公告）號: CN108603837B
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 葛寧;M·奧弗貝;J·E·艾伯特;A·羅加奇;V·什科爾尼科夫
• 申請（專利權(quán)）人: 惠普發(fā)展公司;有限責任合伙企業(yè)
• 主分類號: G01N21/64
• 分類號: G01N21/64;G01N33/553
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬蔚鈞;楊思捷

表面增強發(fā)光(SELS)傳感器可以包括基底和從該基底上凸起的多個納米指狀物。各納米指狀物可以包括具有側(cè)壁和頂部的聚合物支柱、覆蓋該側(cè)壁的涂層和由該支柱頂部支承并與該支柱頂部接觸的金屬帽。

發(fā)明背景

表面增強發(fā)光(SEL)有時用于分析無機材料和復(fù)雜的有機分子的結(jié)構(gòu)。SELS將電磁輻射或光聚焦到分析物或含有分析物的溶液上，其中檢測光與分析物之間的相互作用用于分析。

附圖概述

圖1是示例性SELS傳感器的一部分的截面圖。

圖2是形成SELS傳感器的示例性方法的流程圖。

圖3是另一示例性SELS傳感器的截面圖。

圖4A是圖3的示例性傳感器的一部分的側(cè)視圖。

圖4B是圖4A的示例性傳感器的一部分的頂視圖。

圖5A是在示例性納米指狀物靠近后圖3的示例性傳感器的一部分的側(cè)視圖。

圖5B是在示例性納米指狀物靠近后圖5A的示例性傳感器的一部分的頂視圖。

圖6是另一示例性SELS傳感器的一部分的截面圖。

圖7是另一示例性SELS傳感器的一部分的截面圖。

圖8是形成SELS傳感器的示例性方法的流程圖。

圖9是用于圖8的示例性方法的支承示例性支柱的示例性基底的截面圖。

圖10是依據(jù)圖8的方法用涂層涂布后圖9的基底與支柱的截面圖。

圖11是在除去該支柱頂部上的那些涂層部分之后，準備用于形成如圖7中所示的金屬帽的圖10的基底與支柱的截面圖。

圖12是支承用于形成圖9的示例性基底和示例性支柱的示例性聚合物材料團塊的示例性基底的截面圖。

圖13是支承準備好用于由母版壓印以形成圖9的支柱的圖12的示例性聚合物材料團塊的示例性基底的截面圖。

圖14是在用母版壓印過程中支承示例性聚合物材料團塊的示例性基底的截面圖。

實例詳述

圖1是示例性表面增強發(fā)光(SELS)傳感器20的截面圖，其可用于感測光與沉積在傳感器20上的分析物之間的相互作用。在一個實施方案中，傳感器20便于使用表面增強拉曼光譜(SERS)進行測試或識別。如下文中將要描述的那樣，傳感器20包括由聚合物支柱形成的納米指狀物形式，其中涂層覆蓋該聚合物支柱的側(cè)壁，并且其中各個支柱具有由各支柱頂部支承并與其接觸的金屬帽。該涂層減少了來自下方的聚合物支柱材料對金屬與測試的分析物的污染。由于該涂層不包封該聚合物支柱的頂部，便于將金屬帽固定到該聚合物支柱的頂部。在一些實施方案中，該涂層進一步用于調(diào)節(jié)或控制該聚合物支柱的剛度。

傳感器20包括基底24和納米指狀物28。基底24包括用于支承納米指狀物28的基座或底座。在一個實施方案中，基底24包含硅、石英、玻璃或聚合物膜如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)的層。在一些實施方案中，基底24可以附加地包含在硅基底與納米指狀物28之間的電介質(zhì)材料的中間層。此類層間電介質(zhì)可以由諸如SiO₂、TEOS、SiC鈍化層、氮化硅等等的材料形成。在其它實施方案中，可以采用其它層間電介質(zhì)材料。在再其它實施方案中，基底24可以由其它材料如石英、陶瓷、聚合物以及其它材料來形成。