[發明專利]SELS納米指狀物側壁涂層

有效

• 申請號: 201680079718.1
• 申請日: 2016-04-21
• 公開（公告）號: CN108603837B
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 葛寧;M·奧弗貝;J·E·艾伯特;A·羅加奇;V·什科爾尼科夫
• 申請（專利權）人: 惠普發展公司;有限責任合伙企業
• 主分類號: G01N21/64
• 分類號: G01N21/64;G01N33/553
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬蔚鈞;楊思捷

1.表面增強發光（SELS）傳感器，包括：

基底；

從所述基底上凸起的多個納米指狀物，所述納米指狀物各自包括：

具有側壁和頂部的聚合物支柱；

覆蓋所述側壁的涂層；和

由所述聚合物支柱頂部支承并與所述聚合物支柱頂部接觸的金屬帽，

其中所述涂層包含至少一種選自SiO₂、氮化硅和聚四氟乙烯的材料，所述涂層并未被所述金屬帽覆蓋，并且所述金屬帽具有未被所述涂層覆蓋的暴露頂表面，

所述涂層具有至少1 nm和小于或等于20 nm的厚度，隨著所述側壁的涂層接近基底，所述涂層厚度階梯式降低或逐漸地線性降低。

2.權利要求1的傳感器，其中所述金屬帽包含金或銀、Cu、Pt及其作為合金或多層體系的組合。

3.用于形成表面增強發光（SELS）傳感器的方法，所述方法包括：

在從基底延伸的聚合物支柱的側壁上形成涂層；

在所述聚合物支柱的頂部形成金屬帽并使其與所述聚合物支柱的頂部接觸，

其中所述涂層包含至少一種選自SiO₂、氮化硅和聚四氟乙烯的材料，所述涂層并未被所述金屬帽覆蓋，并且所述金屬帽具有未被所述涂層覆蓋的暴露頂表面，

所述涂層具有至少1 nm和小于或等于20 nm的厚度，隨著所述側壁的涂層接近基底，所述涂層厚度階梯式降低或逐漸地線性降低。

4.權利要求3的方法，其中形成所述涂層包括：

用涂層涂布所述聚合物支柱的側壁和頂部并且去除所述涂層覆蓋各聚合物支柱頂部的部分。

5.權利要求4的方法，其中使用等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）將所述涂層涂布在所述聚合物支柱上。

6.權利要求3的方法，進一步包括通過用限定所述聚合物支柱的母版壓印聚合物團塊來形成所述聚合物支柱。

7.權利要求6的方法，其中所述聚合物團塊包含紫外光致抗蝕劑，并且所述方法進一步包括：

在通過所述母版壓印所述紫外光致抗蝕劑的同時固化所述紫外光致抗蝕劑；和

收回所述母版。

8.用于形成表面增強發光（SELS）傳感器的方法，包括：

通過用限定聚合物支柱的母版在基底上壓印聚合物團塊來形成聚合物支柱；

用涂層涂布從所述基底上延伸的聚合物支柱的側壁和頂部并且

去除所述涂層覆蓋各聚合物支柱頂部的部分；和

在所述聚合物支柱頂部形成金屬帽并使其與所述聚合物支柱頂部接觸，

其中所述涂層包含至少一種選自SiO₂、氮化硅和聚四氟乙烯的材料，

其中所述涂層具有至少1 nm和小于或等于20 nm的厚度，隨著所述側壁的涂層接近基底，所述涂層厚度階梯式降低或逐漸地線性降低。