[發(fā)明專(zhuān)利]用于對(duì)EUV容器和EUV收集器進(jìn)行靶材料碎片清潔的系統(tǒng)、方法和裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680079709.2 | 申請(qǐng)日： | 2016-12-13 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN108472497B | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-09-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 白宗薰;M·C·亞伯拉罕;D·R·埃文斯;J·M·加扎 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | ASML荷蘭有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | A61N5/06 | 分類(lèi)號(hào)： | A61N5/06;G01J3/10;H05G2/00;B08B6/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 王茂華;呂世磊 |
| 地址： | 荷蘭維*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 euv 容器 收集 進(jìn)行 材料 碎片 清潔 系統(tǒng) 方法 裝置 | ||
一種在生成EUV光的同時(shí)去除靶材料碎片沉積物的系統(tǒng)和方法，包括：在EUV容器中靠近靶材料碎片沉積物原位生成氫自由基，并且使靶材料碎片沉積物揮發(fā)并且在EUV容器中不需要含氧物質(zhì)的情況下，凈化來(lái)自EUV容器的揮發(fā)的靶材料碎片沉積物。
本申請(qǐng)要求于2016年1月21日提交的題為“用于對(duì)EUV容器和EUV收集器進(jìn)行靶材料碎片清潔的系統(tǒng)、方法和裝置(SYSTEM，METHOD AND APPARATUS FOR TARGET MATERIALDEBRIS CLEANING OF EUV VESSEL AND EUV COLLECTOR)”的美國(guó)實(shí)用申請(qǐng)No.15/003,385的權(quán)益，其通過(guò)引用整體并入本文。
背景技術(shù)
極紫外(EUV)光用于諸如極紫外光刻(EUVL)等應(yīng)用。
極紫外(EUV)光可以使用EUV光源來(lái)生成，在EUV光源中通過(guò)高功率激光源來(lái)照射靶材料。激光源對(duì)靶材料的照射導(dǎo)致生成發(fā)射EUV光的等離子體。
位于EUV容器中的EUV收集器收集并且聚焦由等離子體發(fā)射的EUV光。所收集的EUV光被引導(dǎo)離開(kāi)EUV容器并且進(jìn)入EUV消耗系統(tǒng)，諸如極紫外光刻系統(tǒng)(EUVL)。
當(dāng)靶材料被高功率激光源照射時(shí)，靶材料的很大一部分作為靶材料碎片分布在EUV容器周?chē)０胁牧纤槠练e在EUV收集器和EUV容器內(nèi)的各個(gè)內(nèi)表面上。EUV收集器上的靶材料碎片沉積物降低了EUV收集器的收集性能。EUV容器的內(nèi)表面上的靶材料碎片沉積物最終會(huì)從內(nèi)表面剝落并且停留在EUV收集器上，從而進(jìn)一步降低了EUV收集器的收集性能。
實(shí)施例正是在這種背景下產(chǎn)生的。
發(fā)明內(nèi)容
概括來(lái)說(shuō)，本發(fā)明通過(guò)提供一種用于在EUV容器中靠近靶材料碎片沉積物原位生成氫自由基H*的系統(tǒng)和方法來(lái)滿(mǎn)足這些需要。應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明可以以多種方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，包括作為過(guò)程、裝置、系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)或設(shè)備。原位清潔提供了在生成EUV光的同時(shí)清潔EUV收集器和EUV容器的能力。原位清潔允許在不需要中斷EUV生成操作的情況下清潔EUV收集器和EUV容器。下面描述本發(fā)明的若干發(fā)明實(shí)施例。
一個(gè)實(shí)施例提供了一種用于在生成EUV光的同時(shí)去除靶材料碎片沉積物的系統(tǒng)，包括在EUV容器中靠近靶材料碎片沉積物原位生成氫自由基，以及使靶材料碎片沉積物揮發(fā)，以及在EUV容器中不需要含氧物質(zhì)的情況下凈化來(lái)自EUV容器的揮發(fā)的靶材料碎片沉積物。
另一實(shí)施例提供了一種包括EUV容器的EUV光源，EUV容器包括耦合到凈化氣體源的EUV容器凈化氣體入口，凈化氣體源能夠?qū)⒁欢康膬艋瘹怏w分配到EUV容器中。EUV收集器設(shè)置在EUV容器中。EUV收集器包括反射表面。靶材料源能夠?qū)⒁欢康陌胁牧戏峙涞紼UV容器中。一定量的靶材料的第一部分作為第一靶材料碎片沉積物設(shè)置在EUV收集器的反射表面的至少一部分上。第一氫自由基源設(shè)置在EUV容器內(nèi)。第一氫自由基源包括靠近EUV收集器的反射表面設(shè)置的第一氫自由基源出口。第一氫自由基源還包括耦合到氫源的第一氫源入口、耦合到第一信號(hào)源的第一氫源電極和耦合到第二信號(hào)源的第二氫源電極。第一氫自由基源能夠產(chǎn)生第一量的氫自由基并且從第一氫自由基源出口分配第一量的氫自由基。第一量的氫自由基能夠與第一靶材料碎片沉積物結(jié)合以形成包含第一靶材料碎片沉積物的至少一部分的第一量的揮發(fā)性化合物。EUV容器凈化出口被包括在EUV容器中，并且能夠?qū)⒌谝涣康膿]發(fā)性化合物從EUV容器中排出。
氫自由基源可以包括氫等離子體室，諸如電容性耦合或電感性耦合的氫等離子體室。用于生成氫自由基的電極之一可以是EUV收集器的導(dǎo)電層的一部分。氫自由基源出口可以設(shè)置在EUV收集器的周界周?chē)蛘咴O(shè)置在EUV收集器的中央孔附近。氫自由基源可以設(shè)置在EUV容器中的一個(gè)或多個(gè)擋板附近。
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