[發(fā)明專利]用于對EUV容器和EUV收集器進(jìn)行靶材料碎片清潔的系統(tǒng)、方法和裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680079709.2 | 申請日： | 2016-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN108472497B | 公開（公告）日： | 2021-09-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 白宗薰;M·C·亞伯拉罕;D·R·埃文斯;J·M·加扎 | 申請（專利權(quán)）人： | ASML荷蘭有限公司 |
| 主分類號： | A61N5/06 | 分類號： | A61N5/06;G01J3/10;H05G2/00;B08B6/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 王茂華;呂世磊 |
| 地址： | 荷蘭維*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 euv 容器 收集 進(jìn)行 材料 碎片 清潔 系統(tǒng) 方法 裝置 | ||
一種在生成EUV光的同時去除靶材料碎片沉積物的系統(tǒng)和方法，包括：在EUV容器中靠近靶材料碎片沉積物原位生成氫自由基，并且使靶材料碎片沉積物揮發(fā)并且在EUV容器中不需要含氧物質(zhì)的情況下，凈化來自EUV容器的揮發(fā)的靶材料碎片沉積物。
本申請要求于2016年1月21日提交的題為“用于對EUV容器和EUV收集器進(jìn)行靶材料碎片清潔的系統(tǒng)、方法和裝置(SYSTEM，METHOD AND APPARATUS FOR TARGET MATERIALDEBRIS CLEANING OF EUV VESSEL AND EUV COLLECTOR)”的美國實用申請No.15/003,385的權(quán)益，其通過引用整體并入本文。
背景技術(shù)
極紫外(EUV)光用于諸如極紫外光刻(EUVL)等應(yīng)用。
極紫外(EUV)光可以使用EUV光源來生成，在EUV光源中通過高功率激光源來照射靶材料。激光源對靶材料的照射導(dǎo)致生成發(fā)射EUV光的等離子體。
位于EUV容器中的EUV收集器收集并且聚焦由等離子體發(fā)射的EUV光。所收集的EUV光被引導(dǎo)離開EUV容器并且進(jìn)入EUV消耗系統(tǒng)，諸如極紫外光刻系統(tǒng)(EUVL)。
當(dāng)靶材料被高功率激光源照射時，靶材料的很大一部分作為靶材料碎片分布在EUV容器周圍。靶材料碎片沉積在EUV收集器和EUV容器內(nèi)的各個內(nèi)表面上。EUV收集器上的靶材料碎片沉積物降低了EUV收集器的收集性能。EUV容器的內(nèi)表面上的靶材料碎片沉積物最終會從內(nèi)表面剝落并且停留在EUV收集器上，從而進(jìn)一步降低了EUV收集器的收集性能。
實施例正是在這種背景下產(chǎn)生的。
發(fā)明內(nèi)容
概括來說，本發(fā)明通過提供一種用于在EUV容器中靠近靶材料碎片沉積物原位生成氫自由基H*的系統(tǒng)和方法來滿足這些需要。應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明可以以多種方式來實現(xiàn)，包括作為過程、裝置、系統(tǒng)、計算機(jī)可讀介質(zhì)或設(shè)備。原位清潔提供了在生成EUV光的同時清潔EUV收集器和EUV容器的能力。原位清潔允許在不需要中斷EUV生成操作的情況下清潔EUV收集器和EUV容器。下面描述本發(fā)明的若干發(fā)明實施例。
一個實施例提供了一種用于在生成EUV光的同時去除靶材料碎片沉積物的系統(tǒng)，包括在EUV容器中靠近靶材料碎片沉積物原位生成氫自由基，以及使靶材料碎片沉積物揮發(fā)，以及在EUV容器中不需要含氧物質(zhì)的情況下凈化來自EUV容器的揮發(fā)的靶材料碎片沉積物。
另一實施例提供了一種包括EUV容器的EUV光源，EUV容器包括耦合到凈化氣體源的EUV容器凈化氣體入口，凈化氣體源能夠?qū)⒁欢康膬艋瘹怏w分配到EUV容器中。EUV收集器設(shè)置在EUV容器中。EUV收集器包括反射表面。靶材料源能夠?qū)⒁欢康陌胁牧戏峙涞紼UV容器中。一定量的靶材料的第一部分作為第一靶材料碎片沉積物設(shè)置在EUV收集器的反射表面的至少一部分上。第一氫自由基源設(shè)置在EUV容器內(nèi)。第一氫自由基源包括靠近EUV收集器的反射表面設(shè)置的第一氫自由基源出口。第一氫自由基源還包括耦合到氫源的第一氫源入口、耦合到第一信號源的第一氫源電極和耦合到第二信號源的第二氫源電極。第一氫自由基源能夠產(chǎn)生第一量的氫自由基并且從第一氫自由基源出口分配第一量的氫自由基。第一量的氫自由基能夠與第一靶材料碎片沉積物結(jié)合以形成包含第一靶材料碎片沉積物的至少一部分的第一量的揮發(fā)性化合物。EUV容器凈化出口被包括在EUV容器中，并且能夠?qū)⒌谝涣康膿]發(fā)性化合物從EUV容器中排出。
氫自由基源可以包括氫等離子體室，諸如電容性耦合或電感性耦合的氫等離子體室。用于生成氫自由基的電極之一可以是EUV收集器的導(dǎo)電層的一部分。氫自由基源出口可以設(shè)置在EUV收集器的周界周圍或者設(shè)置在EUV收集器的中央孔附近。氫自由基源可以設(shè)置在EUV容器中的一個或多個擋板附近。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于ASML荷蘭有限公司，未經(jīng)ASML荷蘭有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201680079709.2/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
