[發(fā)明專利]用于對EUV容器和EUV收集器進行靶材料碎片清潔的系統(tǒng)、方法和裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680079709.2 | 申請日： | 2016-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN108472497B | 公開（公告）日： | 2021-09-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 白宗薰;M·C·亞伯拉罕;D·R·埃文斯;J·M·加扎 | 申請（專利權(quán)）人： | ASML荷蘭有限公司 |
| 主分類號： | A61N5/06 | 分類號： | A61N5/06;G01J3/10;H05G2/00;B08B6/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 王茂華;呂世磊 |
| 地址： | 荷蘭維*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 euv 容器 收集 進行 材料 碎片 清潔 系統(tǒng) 方法 裝置 | ||
1.一種EUV光源，包括：
EUV容器，包括耦合到凈化氣體源的EUV容器凈化氣體入口，所述凈化氣體源能夠?qū)⒁欢康膬艋瘹怏w分配到所述EUV容器中；
設(shè)置在所述EUV容器中的EUV收集器，所述EUV收集器包括反射表面；
靶材料源，能夠?qū)⒁欢康陌胁牧戏峙涞剿鯡UV容器中，所述一定量的靶材料的第一部分設(shè)置在所述EUV收集器的所述反射表面的至少一部分上作為第一靶材料碎片沉積物；
設(shè)置在所述EUV容器內(nèi)的第一氫自由基源，所述第一氫自由基源包括電容性耦合的氫等離子體室，所述電容性耦合的氫等離子體室包括：
靠近所述EUV收集器的所述反射表面設(shè)置的第一氫自由基源出口；
耦合到氫源的第一氫源入口；
耦合到第一信號源的第一氫源電極；以及
耦合到第二信號源的第二氫源電極，所述第一氫自由基源能夠產(chǎn)生第一量的氫自由基并且從所述第一氫自由基源出口分配所述第一量的氫自由基，所述第一量的氫自由基能夠與所述第一靶材料碎片沉積物結(jié)合以形成第一量的揮發(fā)性化合物，所述第一量的所述揮發(fā)性化合物包含所述第一靶材料碎片沉積物的至少一部分；以及
EUV容器凈化出口，能夠?qū)⑺龅谝涣康乃鰮]發(fā)性化合物從所述EUV容器中排出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV光源，其中所述電容性耦合的氫等離子體室包括耦合到第三信號源的第三氫源電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的EUV光源，其中所述第三氫源電極包括所述EUV收集器的導(dǎo)電層的至少一部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV光源，其中所述第一氫自由基源出口圍繞所述EUV收集器的周界設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV光源，其中所述第一氫自由基源出口設(shè)置在所述EUV收集器的中央孔附近。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV光源，其中所述第一氫自由基源以防止含氧物質(zhì)進入所述EUV容器的方式產(chǎn)生所述第一量的氫自由基。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV光源，其中所述第一氫源電極被包括在所述EUV收集器中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV光源，其中所述第一氫自由基源具有基本上環(huán)形的形狀，并且其中所述第一氫自由基源出口靠近所述EUV收集器的周界設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV光源，還包括：
被包括在所述EUV容器中的多個EUV容器內(nèi)表面，所述多個EUV容器內(nèi)表面包括多個擋板；
所述一定量的靶材料的第二部分，設(shè)置在所述多個EUV容器內(nèi)表面的至少一部分上作為第二靶材料碎片沉積物；
設(shè)置在所述EUV容器內(nèi)的第二氫自由基源，所述第二氫自由基源包括：
靠近所述多個擋板中的至少一個擋板設(shè)置的第二氫自由基源出口；
耦合到所述氫源的第二氫源入口；
耦合到第三信號源的第三氫源電極；以及
耦合到第四信號源的第四氫源電極，所述第二氫自由基源能夠產(chǎn)生第二量的氫自由基并且從所述第二氫自由基源出口分配所述第二量的氫自由基，所述第二量的氫自由基能夠與所述第二靶材料碎片沉積物結(jié)合以形成第二量的所述揮發(fā)性化合物，所述第二量的所述揮發(fā)性化合物包含所述第二靶材料碎片沉積物的至少一部分；以及
所述EUV容器凈化出口，能夠?qū)⑺龅诙康乃鰮]發(fā)性化合物從所述EUV容器中排出。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV光源，還包括中央孔氫自由基源，所述中央孔氫自由基源具有設(shè)置在所述EUV收集器的中央孔附近的中央孔氫自由基源出口，并且其中所述第一氫自由基源出口靠近所述EUV收集器的周界設(shè)置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的EUV光源，其中所述中央孔氫自由基源是電感性耦合的氫等離子體室。
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