[發明專利]半導體電路、驅動方法和電子設備

有效

• 申請號: 201680078102.2
• 申請日: 2016-12-16
• 公開（公告）號: CN108475521B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 神田泰夫;鳥毛裕二
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: G11C11/15
• 分類號: G11C11/15;G11C11/412;H01L21/8244;H01L21/8246;H01L27/105;H01L27/11;H01L29/82;H01L43/08
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 鄭宗玉

該半導體電路包括：第一電路，被配置為使用第一節點的電壓來由此生成反轉電壓，并且將反轉電壓施加到第二節點；第二電路，被配置為使用第二節點的電壓來由此生成反轉電壓，并且將反轉電壓施加到第一節點；第一晶體管，當被導通時將第一節點連接到第三節點；第二晶體管，當被導通時向第三節點供應第一直流電壓；和第一存儲單元，連接到第三節點，并且具有能夠采取第一電阻狀態或第二電阻狀態的第一存儲元件。

技術領域

本公開涉及半導體電路、半導體電路的驅動方法和包括半導體電路的電子設備。

背景技術

從環保的角度來看，期望電子設備的低功耗。在半導體電路中，例如，經常使用所謂的功率門控的技術。功率門控選擇性地暫停被供應到一些電路的電力以便減小功耗。期望的是，緊接在重新啟動電力供應之后使電力供應已被暫停的電路恢復到電力供應的暫停之前的操作狀態。在如此短的時間段內實現恢復操作的一種方法是將非易失性存儲器包含在電路中。例如，PTL 1公開了具有作為易失性存儲器的SRAM(靜態隨機存取存儲器)和自旋轉移矩(spin transfer torque)存儲裝置的組合的電路。

引用列表

專利文獻

PTL 1:WO2009/028298A1

發明內容

順便提及，期望存儲電路中的寫入錯誤減少，并且期待寫入錯誤的進一步減少。

期望提供可以減少寫入錯誤的半導體電路、驅動方法和電子設備。

根據本公開的實施例的半導體電路包括第一電路、第二電路、第一晶體管、第二晶體管和第一存儲部分。第一電路能夠基于第一節點處的電壓生成第一節點處的電壓的反轉電壓，并且將反轉電壓施加到第二節點。第二電路能夠基于第二節點處的電壓生成第二節點處的電壓的反轉電壓，并且將反轉電壓施加到第一節點。第一晶體管被導通以將第一節點耦合到第三節點。第二晶體管被導通以將第一直流電壓供應到第三節點。第一存儲部分耦合到第三節點，并且包括能夠采取第一電阻狀態或第二電阻狀態的第一存儲裝置。

根據本公開的實施例的驅動方法在包括第一電路、第二電路、第一晶體管、第二晶體管和第一存儲部分的半導體電路上執行，第一電路能夠基于第一節點處的電壓生成第一節點處的電壓的反轉電壓，并且將反轉電壓施加到第二節點，第二電路能夠基于第二節點處的電壓生成第二節點處的電壓的反轉電壓，并且將反轉電壓施加到第一節點，第一晶體管被導通以將第一節點耦合到第三節點，第二晶體管被導通以將第一直流電壓供應到第三節點，以及第一存儲部分包括第一端子和第二端子，其中第一端子耦合到第三節點，第二端子被供應控制電壓，并且第一存儲部分包括能夠采取第一電阻狀態或第二電阻狀態的第一存儲裝置，該驅動方法包括：在第一時段中執行第一驅動，第一驅動將控制電壓設定為與第一直流電壓的電壓電平不同的第一電壓電平，導通第二晶體管，并且斷開第一晶體管，從而允許第一存儲裝置的電阻狀態成為第一電阻狀態；以及在第一時段之后的第二時段中執行第二驅動，第二驅動將控制電壓設定為第二電壓電平，從而允許第一存儲裝置的電阻狀態成為取決于第一節點處的電壓的電阻狀態。

根據本公開的實施例的電子設備包括半導體電路和電池。電池將電源電壓供應到半導體電路。半導體電路包括第一電路、第二電路、第一晶體管、第二晶體管和第一存儲部分。第一電路能夠基于第一節點處的電壓生成第一節點處的電壓的反轉電壓，并且將反轉電壓施加到第二節點。第二電路能夠基于第二節點處的電壓生成第二節點處的電壓的反轉電壓，并且將反轉電壓施加到第一節點。第一晶體管被導通以將第一節點耦合到第三節點。第二晶體管被導通以將第一直流電壓供應到第三節點。第一存儲部分耦合到第三節點，并且包括能夠采取第一電阻狀態或第二電阻狀態的第一存儲裝置。

在本公開的各個實施例中的半導體電路、驅動方法和電子設備中，第一電路和第二電路允許彼此反轉的電壓出現在第一節點和第二節點中。第一晶體管被導通，從而允許第一存儲部分所耦合到的第三節點被耦合到第一節點。此外，第二晶體管被導通，以將第一直流電壓供應到第三節點。