[發明專利]半導體電路、驅動方法和電子設備

有效

• 申請號: 201680078102.2
• 申請日: 2016-12-16
• 公開（公告）號: CN108475521B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 神田泰夫;鳥毛裕二
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: G11C11/15
• 分類號: G11C11/15;G11C11/412;H01L21/8244;H01L21/8246;H01L27/105;H01L27/11;H01L29/82;H01L43/08
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 鄭宗玉

1.一種半導體電路，包括：

第一電路，第一電路能夠基于第一節點處的電壓生成第一節點處的電壓的反轉電壓，并且將該反轉電壓施加到第二節點；

第二電路，第二電路能夠基于第二節點處的電壓生成第二節點處的電壓的反轉電壓，并且將該反轉電壓施加到第一節點；

第一晶體管，第一晶體管被導通以將第一節點耦合到第三節點；

第二晶體管，第二晶體管被導通以將第一直流電壓供應到第三節點；

第一存儲部分，第一存儲部分耦合到第三節點并且包括能夠采取第一電阻狀態或第二電阻狀態的第一存儲裝置；和

驅動器，

其中第一存儲部分包括第一端子和第二端子，第一端子耦合到第三節點，第二端子被供應控制電壓，

其中，在第一時段中，所述驅動器將所述控制電壓設定為與第一直流電壓的電壓電平不同的第一電壓電平，導通第二晶體管，并且斷開第一晶體管，從而允許第一存儲裝置的電阻狀態成為第一電阻狀態，以及

其中，在第一時段之后的第二時段中，所述驅動器將所述控制電壓設定為第二電壓電平，從而允許第一存儲裝置的電阻狀態成為取決于第一節點處的電壓的電阻狀態。

2.根據權利要求1所述的半導體電路，還包括：

第三晶體管，第三晶體管包括漏極、源極和與第一節點或第二節點耦合的柵極，并且其中第二直流電壓被供應到漏極和源極中的一個；和

第四晶體管，第四晶體管被導通以將第三晶體管的漏極和源極中的另一個耦合到第三節點。

3.根據權利要求1所述的半導體電路，還包括：

第三晶體管，第三晶體管包括漏極、源極和與第一節點或第二節點耦合的柵極，并且其中漏極和源極中的一個耦合到第三節點；和

第四晶體管，第四晶體管被導通以將第二直流電壓供應到第三晶體管的漏極和源極中的另一個。

4.根據權利要求3所述的半導體電路，還包括：

第三電路，第三電路能夠基于第四節點處的電壓生成第四節點處的電壓的反轉電壓，并且將該反轉電壓施加到第五節點；

第四電路，第四電路能夠基于第五節點處的電壓生成第五節點處的電壓的反轉電壓，并且將該反轉電壓施加到第四節點；

第五晶體管，第五晶體管被導通以將第四節點耦合到第六節點；

第六晶體管，第六晶體管被導通以將第一直流電壓供應到第六節點；

第二存儲部分，第二存儲部分耦合到第六節點并且包括能夠采取第一電阻狀態或第二電阻狀態的第二存儲裝置；和

第七晶體管，第七晶體管包括漏極、源極和與第四節點或第五節點耦合的柵極，并且其中漏極和源極中的一個耦合到第六節點，

其中第四晶體管被導通以將第二直流電壓供應到第七晶體管的漏極和源極中的另一個。

5.根據權利要求2所述的半導體電路，其中，在第一時段中，所述驅動器將所述控制電壓設定為與第一直流電壓的電壓電平不同的第一電壓電平，導通第二晶體管，并且斷開第一晶體管和第四晶體管，從而允許第一存儲裝置的電阻狀態成為第一電阻狀態，以及

其中，在第一時段之后的第二時段中，所述驅動器將所述控制電壓設定為第二電壓電平，從而允許第一存儲裝置的電阻狀態成為取決于第一節點處的電壓的電阻狀態。

6.根據權利要求5所述的半導體電路，其中，在第二時段之后的第三時段中，所述驅動器將所述控制電壓設定為第二電壓電平，導通第一晶體管，并且斷開第二晶體管和第四晶體管，從而將第一節點處的電壓設定為取決于第一存儲裝置的電阻狀態的電壓。

7.根據權利要求1所述的半導體電路，其中，

第一存儲部分包括第八晶體管，第八晶體管被導通以將第三節點耦合到第一存儲裝置的第一端子。

8.根據權利要求1所述的半導體電路，其中，

第一存儲部分包括第八晶體管，第八晶體管被導通以將控制電壓供應到第一存儲裝置的第二端子。