[發明專利]使用稀釋的TMAH處理微電子基底的方法

有效

• 申請號: 201680076430.9
• 申請日: 2016-11-14
• 公開（公告）號: CN108431929B
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發明（設計）人: 華萊士·P·普林茨;高橋修平;岡村直之;山下正道;德里克·W·巴塞特;安東尼奧·路易斯·帕切科·羅通達羅
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/3213;H01L21/768;H01L21/82
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;蘇虹

1.一種用于處理微電子基底的方法，包括：

將微電子基底容納至處理室中，所述微電子基底包括硅的層、特征或結構；

將處理溶液施加至所述微電子基底以蝕刻硅，所述處理溶液包含稀釋溶液和TMAH；以及

在所述處理溶液中或者在所述處理室中的環境中提供受控的氧含量以通過所述處理溶液實現硅的目標蝕刻選擇性，或者在整個所述硅的層、特征或結構上的目標蝕刻均勻性，或者兩者兼有，

所述方法還包括在處理期間將所述微電子基底暴露于包含小于20％的氧濃度的氣體以在所述處理室中的環境中提供所述受控的氧含量，

其中所述氣體是包含按重量計比氧更大量的氮的含氮氣體。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括將所述處理溶液保持在20℃至70℃的溫度下。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述稀釋溶液包含水或去離子水。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述稀釋溶液還包含過氧化氫或臭氧以在所述處理溶液中提供所述受控的氧含量。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述稀釋溶液包含小于1重量％的濃度的過氧化氫或臭氧。

6.根據權利要求4所述的方法，其中所述稀釋溶液包含0.3重量％至0.0001重量％的濃度的過氧化氫或臭氧。

7.根據權利要求4所述的方法，其中所述稀釋溶液包含1份/十億份至10份/百萬份的濃度的過氧化氫或臭氧。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述處理溶液包含20重量％至30重量％的TMAH。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述處理溶液包含0.1重量％至5重量％的TMAH。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述硅的層、特征或結構包括多晶硅特征或結構。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述硅的層、特征或結構包括3DNAND結構或圖案。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述3DNAND結構或圖案包括10:1或更大的縱向尺寸相對橫向尺寸的縱橫比。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述橫向尺寸為50nm至100nm，所述縱向尺寸為1000nm至2000nm。

14.根據權利要求1所述的方法，其中所述硅的層、特征或結構包括形成在其中的銅通道結構或圖案。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述銅通道結構或圖案是包括10:1或更大的縱橫比的硅通孔特征。

16.根據權利要求1所述的方法，其中所述硅的層、特征或結構包括微凸塊結構或圖案。

17.根據權利要求1所述的方法，其中所述氣體包含小于5％的氧濃度。

18.根據權利要求1所述的方法，其中所述氣體包含1份/十億份至10ppm的氧濃度。

19.根據權利要求1所述的方法，還包括在將所述微電子基底暴露于所述處理溶液和所述氣體之后并且在提供用于暴露于所述處理溶液和所述氣體的后續微電子基底之前，測量經蝕刻的硅的層、特征或結構的厚度或輪廓并調節所述受控的氧含量、所述處理溶液的溫度、所述氣體或處理液體中的氮對于氧的相對濃度、或者所述氣體或所述處理液體的壓力、或其任意組合，以將所述后續微電子基底暴露于所述處理溶液和所述氣體。