[發(fā)明專利]密封用樹脂組合物和半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680076081.0
• 申請日: 2016-11-28
• 公開（公告）號: CN108473777B
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 山下勝志;高橋佑衣
• 申請（專利權(quán)）人: 住友電木株式會社
• 主分類號: C08L101/00
• 分類號: C08L101/00;C08K3/36;C08L79/00;H01L23/29;H01L23/31
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;池兵

本發(fā)明的密封用樹脂組合物用于密封由SiC、GaN、Ga₂O₃或金剛石形成的功率半導(dǎo)體元件，所述密封用樹脂組合物包含熱固性樹脂(A)和二氧化硅(B)，所述二氧化硅(B)包含F(xiàn)e，所述Fe的含量相對于所述二氧化硅(B)總量為220ppm以下，所述密封用樹脂組合物為顆粒狀、平板狀或片狀。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及密封用樹脂組合物和半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

對于半導(dǎo)體裝置中所使用的樹脂組合物，從抑制芯片的翹曲的觀點出發(fā)，進行了各種研究。作為這樣的技術(shù)，可舉出例如專利文獻1中記載的內(nèi)容。專利文獻1中記載有一種含有環(huán)氧樹脂和馬來酰亞胺樹脂的樹脂糊劑組合物。根據(jù)該文獻的記載，通過將該樹脂糊劑組合物用作半導(dǎo)體裝置的芯片接合材料，能夠抑制在銅引線框上經(jīng)由芯片接合材料形成的硅芯片的翹曲。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平11-322816號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的技術(shù)問題

上述文獻中所記載的樹脂糊劑為將硅芯片和引線框粘接的芯片粘接材料，與密封通常的半導(dǎo)體元件的密封材料是不同的產(chǎn)品。

本發(fā)明人進行研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，上述文獻中所記載的樹脂糊劑，在應(yīng)用于將下述那樣的功率半導(dǎo)體元件密封的密封材料時，在對高溫環(huán)境下的長時間使用的耐久性的方面，有改善的余地。

在此，使用SiC、GaN、Ga₂O₃或者金剛石那樣的寬帶隙材料形成的功率半導(dǎo)體元件，被設(shè)計成可在高電壓/大電流下使用，因此，發(fā)熱量比通常的硅芯片大，因此會在更加高溫的環(huán)境下進行動作。

用于解決技術(shù)問題的手段

本發(fā)明人對于用于密封功率半導(dǎo)體元件的密封用樹脂組合物，著眼于對高溫環(huán)境下的長時間使用的耐久性和二氧化硅的雜質(zhì)，進行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過適當(dāng)?shù)乜刂贫趸璧碾s質(zhì)的種類和含量，能夠提高該耐久性，從而完成了本發(fā)明。

根據(jù)本發(fā)明，提供一種密封用樹脂組合物，其用于密封由SiC、GaN、Ga₂O₃或金剛石形成的功率半導(dǎo)體元件，其特征在于，包含：

熱固性樹脂(A)；和

二氧化硅(B)，

所述二氧化硅(B)包含F(xiàn)e，

所述Fe的含量相對于所述二氧化硅(B)總量為220ppm以下，

所述密封用樹脂組合物為顆粒狀、平板(tablet)狀或片(sheet)狀。

根據(jù)本發(fā)明，提供一種半導(dǎo)體裝置，其包括：

功率半導(dǎo)體元件，其搭載在基板上，并且由SiC、GaN、Ga₂O₃或金剛石形成；和

密封材料，其由使上述的密封用樹脂組合物固化而得到的固化物構(gòu)成，并且密封所述功率半導(dǎo)體元件。

發(fā)明效果

采用本發(fā)明，能夠提供能夠使密封材料的對高溫環(huán)境下的長時間使用的耐久性提高的密封用樹脂組合物和使用該密封用樹脂組合物的半導(dǎo)體裝置。

附圖說明

上述的目的和其他的目的、特征和優(yōu)點，通過以下說明的優(yōu)選實施方式和附隨于其的以下的附圖將會更明了。

圖1是表示本實施方式的半導(dǎo)體裝置的一個例子的截面圖。

圖2是表示本實施方式的半導(dǎo)體裝置的一個例子的截面圖。