[發明專利]密封用樹脂組合物和半導體裝置

有效

• 申請號: 201680076081.0
• 申請日: 2016-11-28
• 公開（公告）號: CN108473777B
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 山下勝志;高橋佑衣
• 申請（專利權）人: 住友電木株式會社
• 主分類號: C08L101/00
• 分類號: C08L101/00;C08K3/36;C08L79/00;H01L23/29;H01L23/31
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;池兵

1.一種密封用樹脂組合物，其用于密封由SiC、GaN、Ga₂O₃或金剛石形成的功率半導體元件，所述密封用樹脂組合物的特征在于，包含：

熱固性樹脂(A)；和

二氧化硅(B)，

所述二氧化硅(B)包含Fe、Mn、Ni和Ti，

所述Fe的含量相對于所述二氧化硅(B)總量為200ppm以下，

所述Fe和所述Mn的含量的合計值相對于所述二氧化硅(B)總量為1ppm以上204ppm以下，

所述Fe、所述Mn、所述Ni和所述Ti的含量的合計值相對于所述二氧化硅(B)總量為250ppm以下，

所述Fe的含量相對于所述Fe、所述Mn、所述Ni和所述Ti的含量的合計值的比率為86.0％以下，

所述密封用樹脂組合物為顆粒狀、平板狀或片狀。

2.根據權利要求1所述的密封用樹脂組合物，其特征在于：

所述熱固性樹脂(A)包含具有兩個以上的馬來酰亞胺基的化合物。

3.根據權利要求1所述的密封用樹脂組合物，其特征在于：

SiO₂的含量相對于所述二氧化硅(B)總量為99.8質量％以上。

4.根據權利要求1所述的密封用樹脂組合物，其特征在于：

所述二氧化硅(B)的含量相對于該密封用樹脂組合物整體為55質量％以上90質量％以下。

5.根據權利要求1所述的密封用樹脂組合物，其特征在于：

將該密封用樹脂組合物在200℃、120秒鐘的條件下進行加熱之后，在250℃、240分鐘的條件下進行加熱而得到的固化物的250℃的彎曲彈性模量為3GPa以上16GPa以下。

6.根據權利要求1所述的密封用樹脂組合物，其特征在于：

將該密封用樹脂組合物在200℃、120秒鐘的條件下進行加熱之后，在250℃、240分鐘的條件下進行加熱而得到的固化物的玻璃化轉變溫度為250℃以上350℃以下。

7.根據權利要求1所述的密封用樹脂組合物，其特征在于：

該密封用樹脂組合物以覆蓋搭載在基板上的所述功率半導體元件的面中與所述基板相對的一面的相反側的另一面的方式進行密封。

8.根據權利要求1所述的密封用樹脂組合物，其特征在于：

所述密封用樹脂組合物用于形成對工作環境為200℃以上的所述功率半導體元件進行密封的密封材料。

9.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

功率半導體元件，其搭載在基板上，并且由SiC、GaN、Ga₂O₃或金剛石形成；和

密封材料，其由權利要求1至8中任一項所述的密封用樹脂組合物的固化物構成，并且密封所述功率半導體元件。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于：

所述密封材料以覆蓋所述功率半導體元件中的與所述基板相對的一面的相反側的另一面的方式對所述功率半導體元件進行了密封。