[發(fā)明專利]等離子體處理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680073889.3
• 申請日: 2016-12-02
• 公開（公告）號: CN108369909B
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 保坂勇貴;梅澤義弘;中島俊希;宇田真代
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H05H1/46
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

等離子體處理裝置(10)包括：隔擋件(61)、遮閉件(62)和驅(qū)動裝置(70)。隔擋件(61)為圓筒形，在側(cè)壁形成有多個貫通孔(61h)。遮閉件(62)為圓筒形，在隔擋件(61)的軸向上沿隔擋件(61)的側(cè)壁可移動地設(shè)置于隔擋件(61)的周圍。驅(qū)動裝置(70)使遮閉件(62)沿隔擋件(61)的側(cè)壁移動。多個貫通孔(61h)以遮閉件(62)越向下方移動，與遮閉件(62)的移動量對應(yīng)的、沒有被遮閉件(62)覆蓋的的合成傳導(dǎo)率的變化量越增加的方式配置于隔擋件(61)的側(cè)壁。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的各個方面和實施方式涉及等離子體處理裝置。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體器件或FPD(Flat Panel Display：平板顯示器)等電子器件的制造中，為了進(jìn)行被處理體的加工，對被處理體進(jìn)行等離子體處理。用于等離子體處理的等離子體處理裝置，具有例如處理容器、載置臺、氣體供給部和排氣裝置。載置臺設(shè)置于處理容器內(nèi)，氣體供給部和排氣裝置與處理容器內(nèi)的空間連接。

近年來，要求在一個等離子體處理裝置中連續(xù)地進(jìn)行不同的壓力條件的兩個以上的等離子體處理。在伴隨這種壓力變化的等離子體處理中，優(yōu)選縮短使壓力變化的期間、即過渡期間。為了縮短壓力的過渡期間，優(yōu)選減小配置被處理體的空間的體積。

作為這種響應(yīng)這種要求的等離子體處理裝置，提案有例如專利文獻(xiàn)1中記載的等離子體處理裝置。專利文獻(xiàn)1中記載的等離子體處理裝置，具有介于載置臺與處理容器之間的兩個隔擋件(baffle plate)。兩個隔擋件的上方的第1空間包括配置被處理體的區(qū)域，氣體供給部與該第1空間連接。另外，排氣裝置與兩個隔擋件部件的下方的第2空間連接。

兩個隔擋件是在水平方向延伸的圓形的板，在這兩個隔擋件上形成有多個開口，這些開口在周向上排列。專利文獻(xiàn)1中記載的等離子體處理裝置中，通過使兩個隔擋件中的一個在周向上旋轉(zhuǎn)，調(diào)整兩個隔擋件的開口的鉛垂方向上的重疊程度。由此，專利文獻(xiàn)1中記載的等離子體處理裝置中，第1空間與第2空間之間的傳導(dǎo)率被調(diào)整，第1空間的壓力被調(diào)整。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2001-196313號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明想要解決的技術(shù)問題

然而，專利文獻(xiàn)1中記載的等離子體處理裝置中，如果不使兩個隔擋件的間隔極端地小，則難以將第1空間的壓力設(shè)定為高壓力。即，如果不使兩個隔擋件的間隔極端地小，則難以減小第1空間與第2空間之間的傳導(dǎo)率。但是，當(dāng)兩個隔擋件的間隔變窄時，這兩個隔擋件彼此接觸，有時會產(chǎn)生微粒。

另外，為了允許兩個隔擋件彼此的接觸，或者為了高精度地制作兩個隔擋件以使得兩者之間的間隙小，需要增大這兩個隔擋件的厚度。但是，在兩個隔擋件的厚度大的情況下，即使以兩者的開口完全重疊的方式配置兩個隔擋件，第1空間與第2空間之間的傳導(dǎo)率也不會變大。因此，難以降低第1空間的壓力。因此，專利文獻(xiàn)1中記載的等離子體處理裝置，難以提高配置被處理體的處理空間內(nèi)的壓力的控制性。另外，為了降低第1空間的壓力，雖然可以考慮增大兩個隔擋件的開口的大小，但是當(dāng)開口的大小變大時等離子體會侵入第2空間中。

另外，如果增大兩個隔擋件的厚度，則隔擋件的重量也增大。由此，隔擋件的驅(qū)動裝置變得大型化。因此，增大隔擋件的厚度、或者增大形成于隔擋件的開口的大小并不現(xiàn)實。

用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案