[發明專利]等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201680073889.3
• 申請日: 2016-12-02
• 公開（公告）號: CN108369909B
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 保坂勇貴;梅澤義弘;中島俊希;宇田真代
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H05H1/46
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種對被處理體進行等離子體處理的等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

處理容器；

設置于所述處理容器內，用于載置所述被處理體的載置臺；

隔擋件，其為圓筒形，在側壁形成有多個貫通孔，分隔出所述載置臺上的處理空間和所述載置臺的周圍的排氣空間；

遮閉件，其為圓筒形，內周面的直徑比所述隔擋件的外周面的直徑長，在所述隔擋件的軸向上沿隔擋件的側壁可移動地設置于所述隔擋件的周圍；和

驅動裝置，其通過使所述遮閉件沿所述隔擋件的側壁移動，來改變沒有被所述遮閉件覆蓋的所述多個貫通孔構成的合成傳導率，

所述多個貫通孔，以所述遮閉件越向下方移動，與所述遮閉件的移動量對應的、沒有被所述遮閉件覆蓋的貫通孔的合成傳導率的變化量越增加的方式配置于所述隔擋件的側壁，

按照所述遮閉件的位置每變化了規定距離時所述遮閉件的上端所經過的所述隔擋件的側壁的位置將該側壁劃分為多個區域，

在從上數第2個以下的所述區域中，越往下方的所述區域、所述區域中所包含的所述貫通孔的個數越多，或者，越往下方的所述區域、各所述區域的所述貫通孔的開口面積越大。

2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

以在所述遮閉件向下方移動時所述遮閉件的上端所經過的順序對各個所述區域升序地分配編號s，將各個所述貫通孔的傳導率設為C_h，將表示作為目標的、與所述遮閉件的移動量對應的所述處理容器內的壓力變化的直線的斜率設為-α，將該直線的截距設為β，將供給到所述處理空間的氣體的質量流量設為Q的情況下，配置于用編號s表示的所述區域的所述貫通孔的個數n(s)，滿足以下的關系式：

3.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

配置于各個所述區域的各個所述貫通孔，以在該區域內相鄰的貫通孔彼此的間隔均等的方式配置在該區域內。

4.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

配置于被分配了較大的值的所述編號s的所述區域內的各個所述貫通孔的開口面積，比配置于被分配了較小的值的所述編號s的所述區域內的各個所述貫通孔的開口面積大。

5.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

各個所述貫通孔，以在所述隔擋件的軸向上與其他貫通孔的重疊較少的方式配置于所述隔擋件的側壁。