[發(fā)明專利]多模壓控振蕩器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680073622.4
• 申請日: 2016-12-13
• 公開（公告）號: CN108370234A
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 譚軍
• 申請（專利權(quán)）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H03B5/12
• 分類號: H03B5/12
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

本公開的特征和優(yōu)點包括多模壓控振蕩器(VCO)。在一個實施例中，一種電路包括VCO、第一晶體管和第二晶體管以及第一電容性衰減器和第二電容性衰減器。第一晶體管和第二晶體管通過衰減器交叉耦合。在第一模式中，第一晶體管和第二晶體管關(guān)斷，并且電容性衰減器衰減在第一晶體管的控制輸入和第二晶體管的控制輸入處的VCO的輸出端子上的信號。在另一模式中，第一晶體管和第二晶體管導通，并且電容性衰減被降低或關(guān)閉，使得第一晶體管和第二晶體管的控制輸入接收VCO的輸出上的信號。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求2016年06月20日提交的美國申請No.15/187,710以及根據(jù)35U.S.C.§119，本申請有權(quán)享有并要求2015年12月18日提交的美國臨時申請No.62/269,811的申請日的權(quán)益；以及2016年05月17日提交的美國臨時申請No.62/337,579的權(quán)益，其內(nèi)容針對所有目的以其整體通過引用并入本文。

背景技術(shù)

本公開涉及壓控振蕩器，并且具體地涉及多模壓控振蕩器。

許多電子系統(tǒng)需要某種信號來控制系統(tǒng)的電路和功能的時序。生成時序信號的一個常見的電路是壓控振蕩器(VCO)。VCO通常接收輸入電壓并產(chǎn)生具有由輸入電壓確定的頻率的周期性信號。

一種常見的VCO架構(gòu)使用漏極連接在壓控電感器/電容器(LC)儲能電路兩端的差分交叉耦合NMOS晶體管。已知這種電路在大電壓擺幅以非常高的頻率操作，但是它們會消耗大量的功率。另一種常見的VCO架構(gòu)使用跨LC儲能電路的交叉耦合CMOS器件(PMOS和NMOS晶體管)。CMOS VCO消耗較少的功率，但可能比NMOS VCO具有更多的相位噪聲和較小的電壓擺幅。

多模VCO可以在NMOS模式和CMOS模式之間切換。然而，例如，如果電路中的大電容干擾LC儲能電路的電容，則這種架構(gòu)的性能可能會受損。此外，NMOS模式中的電壓擺幅不應(yīng)受僅在CMOS模式中使用的電路系統(tǒng)的影響。此外，例如，用于在多種模式之間重新配置VCO的切換電路可能由于減小調(diào)諧范圍或退化相位噪聲而降低性能。

這里描述的實施例公開了可以克服這些和其他挑戰(zhàn)的多模VCO。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的特征和優(yōu)點包括多模壓控振蕩器(VCO)。在一個實施例中，一種電路包括VCO、第一晶體管和第二晶體管以及第一電容性衰減器和第二電容性衰減器。第一晶體管和第二晶體管通過衰減器交叉耦合。在第一模式中，第一晶體管和第二晶體管關(guān)斷，并且電容性衰減器衰減在第一晶體管和第二晶體管的控制輸入處的VCO的輸出端子上的信號衰減。在另一模式中，第一晶體管和第二晶體管導通，并且電容性衰減被降低或關(guān)閉，使得第一晶體管和第二晶體管的控制輸入接收在VCO的輸出端上的信號。

以下詳細描述和附圖提供對本公開的本質(zhì)和優(yōu)點的更好理解。

附圖說明

圖1圖示了根據(jù)一個實施例的壓控振蕩器電路。

圖2圖示了根據(jù)一個實施例的另一壓控振蕩器電路。

圖3圖示了根據(jù)另一實施例的壓控振蕩器的示例電路實施方式。

圖4A圖示了根據(jù)一個示例實施例的處于NMOS模式的圖3的電路的操作。

圖4B圖示了根據(jù)一個實施例的處于NMOS模式的示例壓控振蕩器的信號。

圖4C圖示了根據(jù)一個示例實施例的處于CMOS模式的圖3的電路的操作。

圖5圖示了一個示例諧振電路。

圖6A-圖6B圖示了特定實施例的示例應(yīng)用。

圖7圖示了根據(jù)一個實施例的另一示例壓控振蕩器電路。

具體實施方式