[發明專利]多模壓控振蕩器

在審

• 申請號: 201680073622.4
• 申請日: 2016-12-13
• 公開（公告）號: CN108370234A
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發明（設計）人: 譚軍
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H03B5/12
• 分類號: H03B5/12
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種電路，包括：

壓控振蕩器，包括一個或多個電感器、一個或多個電容器以及至少兩個交叉耦合的晶體管；

第一晶體管，與所述交叉耦合的晶體管具有相反的器件類型；

第二晶體管，與所述交叉耦合的晶體管具有相反的器件類型；以及

第一電容性衰減器電路和第二電容性衰減器電路，

其中所述第一晶體管通過第一電容性衰減器電路交叉耦合到所述第二晶體管，并且所述第二晶體管通過所述第二電容性衰減器電路交叉耦合到所述第一晶體管。

2.根據權利要求1所述的電路，其中，在第一模式中，當所述第一晶體管和所述第二晶體管被關斷時，所述第一電容性衰減器電路和所述第二電容性衰減器電路衰減跨所述壓控振蕩器的信號，并且其中，在第二模式中，當所述第一晶體管和所述第二晶體管以交叉耦合配置被導通時，所述第一電容性衰減器電路和所述第二電容性衰減器電路不衰減跨所述壓控振蕩器的所述信號。

3.根據權利要求1所述的電路，還包括配置在所述第一電容性衰減器電路和所述第二電容性衰減器電路之間的開關，其中所述開關在第一模式中閉合并且所述開關在第二模式中斷開。

4.根據權利要求1所述的電路，還包括耦合到所述第一晶體管的控制端子和所述第二晶體管的控制端子的偏置電壓，其中在第一模式中，所述偏置電壓被設置成第一電壓以將所述第一晶體管和所述第二晶體管關斷，并且在第二模式中，所述偏置電壓被設置成第二電壓以將所述第一晶體管和所述第二晶體管導通。

5.一種電路，包括：

第一導電類型的第一晶體管，所述第一晶體管具有控制端子、第一端子和第二端子；

所述第一導電類型的第二晶體管，所述第二晶體管具有控制端子、第一端子和第二端子；

第二導電類型的第三晶體管，所述第三晶體管具有控制端子、第一端子和第二端子，其中所述第三晶體管的第二端子耦合到所述第一晶體管的第二端子；

所述第二導電類型的第四晶體管，所述第四晶體管具有控制端子、第一端子和第二端子，其中所述第四晶體管的第二端子耦合到所述第二晶體管的第二端子；

諧振電路，配置在所述第三晶體管的第二端子與所述第四晶體管的第二端子之間；

第一電容器，具有第一端子和第二端子，其中所述第一電容器的第一端子耦合到所述第一晶體管的第二端子，并且所述第一電容器的第二端子耦合到所述第二晶體管的控制端子；

第二電容器，具有第一端子和第二端子，其中所述第二電容器的第一端子耦合到所述第一電容器的第二端子；

第三電容器，具有第一端子和第二端子，其中所述第三電容器的第一端子耦合到所述第二晶體管的第二端子，并且所述第三電容器的第二端子耦合到所述第一晶體管的控制端子；以及

第四電容器，具有第一端子和第二端子，其中所述第四電容器的第一端子耦合到所述第三電容器的第二端子。

6.根據權利要求5所述的電路，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管在第一操作模式中關斷，并且所述第一晶體管和所述第二晶體管在第二操作模式中導通。

7.根據權利要求5所述的電路，還包括開關，所述開關具有耦合到所述第二電容器的第二端子的第一端子以及耦合到所述第四電容器的第二端子的第二端子。

8.根據權利要求7所述的電路，其中所述開關是NMOS晶體管。

9.根據權利要求5所述的電路，還包括：

第一電阻器，具有耦合到所述第二電容器的第二端子的第一端子和耦合到模式控制電壓的第二端子；以及

第二電阻器，具有耦合到所述第二電容器的第二端子的第一端子和耦合到模式控制電壓的第二端子。

10.根據權利要求5所述的電路，還包括：

第一電阻器，具有耦合到所述第一晶體管的控制端子的第一端子和耦合到偏置電壓的第二端子；以及

第二電阻器，具有耦合到所述第二晶體管的控制端子的第一端子和耦合到所述偏置電壓的第二端子。