[發明專利]半導體基板、以及外延晶片及其制造方法

有效

• 申請號: 201680073555.6
• 申請日: 2016-11-16
• 公開（公告）號: CN108368641B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發明（設計）人: 后藤健;熊谷義直;村上尚
• 申請（專利權）人: 株式會社田村制作所;國立大學法人東京農工大學
• 主分類號: C30B29/16
• 分類號: C30B29/16
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 徐謙;劉寧軍

提供一種能夠通過HVPE法以高的生長率生長包括β?Ga₂O₃系單晶的外延層或者能夠生長表面形態良好的包括β?Ga₂O₃系單晶的外延層的、包括β?Ga₂O₃系單晶的半導體基板、具有該半導體基板和外延層的外延晶片及其外延晶片的制造方法。作為一實施方式，提供一種半導體基板(11)，其被用作通過HVPE法進行外延晶體生長用的基底基板，包括β?Ga₂O₃系單晶，以與β?Ga₂O₃系單晶的[100]軸平行的面為主面(12)。

技術領域

本發明涉及半導體基板、以及外延晶片及其制造方法。

背景技術

以往，已知在β-Ga₂O₃系基板上，通過利用MBE(Molecular Beam Epitaxy：分子束外延)法進行外延晶體生長來形成β-Ga₂O₃單晶膜的技術(例如，參照專利文獻1)。

根據專利文獻1，通過將β-Ga₂O₃系基板的主面的面方位設為規定的面方位，能夠利用MBE法以高的生長率生長β-Ga₂O₃單晶膜。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1:國際公開第2013/035464號

發明內容

發明要解決的問題

本發明的目的之一在于，提供一種能夠通過HVPE法以高的生長率生長包括β-Ga₂O₃系單晶的外延層的、包括β-Ga₂O₃系單晶的半導體基板、具有該半導體基板和外延層的外延晶片及其外延晶片的制造方法。

另外，本發明的另一目的在于，提供一種能夠通過HVPE法生長表面形態良好的包括β-Ga₂O₃系單晶的外延層的、包括β-Ga₂O₃系單晶的半導體基板、具有該半導體基板和外延層的外延晶片及其外延晶片的制造方法。

用于解決問題的方案

為了達到上述目的，本發明的一個方面提供下述[1]～[7]的半導體基板、[8]的外延晶片或者[9]～[16]的外延晶片的制造方法。

[1]一種半導體基板，被用作通過HVPE法進行外延晶體生長用的基底基板，包括β-Ga₂O₃系單晶，以與β-Ga₂O₃系單晶的[100]軸平行的面為主面。

[2]根據上述[1]所述的半導體基板，以前往a軸方向的右旋的旋轉方向為正的角度的、上述主面與β-Ga₂O₃系單晶的(001)面所成的角度θ為30°以上且90°以下或者-150°以上且-90°以下。

[3]根據上述[2]所述的半導體基板，上述半導體基板的平均位錯密度為1×10⁴/cm²以下，上述角度θ為54.3°以上且65.7°以下或者-125.7°以上且-114.3°以下。