[發明專利]半導體基板、以及外延晶片及其制造方法有效
| 申請號： | 201680073555.6 | 申請日： | 2016-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN108368641B | 公開（公告）日： | 2021-04-27 |
| 發明（設計）人： | 后藤健;熊谷義直;村上尚 | 申請（專利權）人： | 株式會社田村制作所;國立大學法人東京農工大學 |
| 主分類號： | C30B29/16 | 分類號： | C30B29/16 |
| 代理公司： | 北京市隆安律師事務所 11323 | 代理人： | 徐謙;劉寧軍 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 以及 外延 晶片 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體基板，被用作通過HVPE法進行外延晶體生長用的基底基板，其特征在于，
包括β-Ga2O3系單晶，以與β-Ga2O3系單晶的[100]軸平行的面為主面，
上述半導體基板的平均位錯密度為1×104/cm2以下，
以前往a軸方向的右旋的旋轉方向為正的角度的、上述主面與β-Ga2O3系單晶的(001)面所成的角度θ為54.3°以上且65.7°以下或者-125.7°以上且-114.3°以下。
2.一種半導體基板，被用作通過HVPE法進行外延晶體生長用的基底基板，其特征在于，
包括β-Ga2O3系單晶，以與β-Ga2O3系單晶的[100]軸平行的面為主面，
上述半導體基板的平均位錯密度為1×103/cm2以下，
以前往a軸方向的右旋的旋轉方向為正的角度的、上述主面與β-Ga2O3系單晶的(001)面所成的角度θ為41.6°以上且78.4°以下或者-138.4°以上且-101.6°以下。
3.一種半導體基板，被用作通過HVPE法進行外延晶體生長用的基底基板，其特征在于，
包括β-Ga2O3系單晶，以與β-Ga2O3系單晶的[100]軸平行的面為主面，
以前往a軸方向的右旋的旋轉方向為正的角度的、上述主面與β-Ga2O3系單晶的(001)面所成的角度θ為0.3°以上且15°以下或者-15°以上且-0.3°以下。
4.一種外延晶片，具有：
權利要求1～3中的任意一項所述的上述半導體基板；以及
外延層，其通過利用HVPE法進行外延晶體生長而形成在上述半導體基板的上述主面上，包括β-Ga2O3系單晶。
5.一種外延晶片的制造方法，包含如下工序：
在包括β-Ga2O3系單晶并以與β-Ga2O3系單晶的[100]軸平行的面為主面的半導體基板上，使包括β-Ga2O3系單晶的外延層通過HVPE法進行外延生長，
上述半導體基板的平均位錯密度為1×104/cm2以下，
以前往a軸方向的右旋的旋轉方向為正的角度的、上述主面與β-Ga2O3系單晶的(001)面所成的角度θ為54.3°以上且65.7°以下或者-125.7°以上且-114.3°以下。
6.一種外延晶片的制造方法，包含如下工序：
在包括β-Ga2O3系單晶并以與β-Ga2O3系單晶的[100]軸平行的面為主面的半導體基板上，使包括β-Ga2O3系單晶的外延層通過HVPE法進行外延生長，
上述半導體基板的平均位錯密度為1×103/cm2以下，
以前往a軸方向的右旋的旋轉方向為正的角度的、上述主面與β-Ga2O3系單晶的(001)面所成的角度θ為41.6°以上且78.4°以下或者-138.4°以上且-101.6°以下。
7.一種外延晶片的制造方法，包含如下工序：
在包括β-Ga2O3系單晶并以與β-Ga2O3系單晶的[100]軸平行的面為主面的半導體基板上，使包括β-Ga2O3系單晶的外延層通過HVPE法進行外延生長，
上述外延層的生長率為2.5μm/h以上，
以前往a軸方向的右旋的旋轉方向為正的角度的、上述主面與β-Ga2O3系單晶的(001)面所成的角度θ為0.3°以上且15°以下或者-15°以上且-0.3°以下。
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