[發明專利]有機膜組合物以及形成圖案的方法

有效

• 申請號: 201680072484.8
• 申請日: 2016-09-22
• 公開（公告）號: CN108431691B
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 崔有廷;林栽范;許柳美;姜善惠;文秀賢
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: G03F7/11
• 分類號: G03F7/11;G03F7/09;G03F7/00;C08G61/10;C08K5/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 李艷;臧建明

本發明揭示一種有機膜組合物及使用所述有機膜組合物形成圖案的方法，有機膜組合物包含有包含由化學式1表示的結構單元的聚合物、由化學式2表示的添加劑以及溶劑。化學式1及化學式2與實施方式中所定義相同。本發明的有機膜組合物能夠改良間隙填充特征及平面化特征以及抗蝕刻性。

技術領域

本發明涉及一種有機膜組合物及使用所述有機膜組合物形成圖案的方法。

背景技術

近來，根據電子裝置的小型化(miniaturation)和復雜性(complexity)的高度整合設計已經加快先進材料及其相關工藝的發展，且因此，使用熟知光刻膠的微影也需要新穎圖案化材料及技術。

在圖案化工藝中，稱為硬掩膜層(hardmask layer)的有機層可形成為硬夾層以將光刻膠的精細圖案轉移至基板上的足夠深度處而不導致所述圖案崩塌。

硬掩膜層發揮間層的作用以經由選擇性蝕刻工藝將光刻膠的精細圖案轉移至材料層。因此，硬掩膜層需要諸如耐熱性、抗蝕刻性及其類似特征的特征以經受多蝕刻工藝。

另一方面，近年來已表明旋涂式涂布法(spin-on coating)可替代化學氣相沉積法以形成硬掩膜層。旋涂式涂布法不僅可容易執行而且會改良間隙填充(gap-fill)特征及平坦化特征。

一般而言，因為耐熱性及抗蝕刻性與旋涂特征具有折衷關系，故需要滿足所有特征的有機層材料。

發明內容

技術問題

一個實施例提供能夠改良間隙填充特征及平面化特征以及抗蝕刻性的有機膜組合物。

另一實施例提供一種使用有機膜組合物形成圖案的方法。

技術方案

根據一實施例，有機膜組合物包含有包含由化學式1表示的結構單元的聚合物、由化學式2表示的添加劑以及溶劑。

[化學式1]

在化學式1中，

A¹為經取代或未經取代的二價環基或經取代或未經取代的二價雜環基，

B¹為二價有機基團，且

*為連接點：

[化學式2]

在化學式2中，

k、m以及n獨立地為0或1，且k、m以及n的總和為2或3，

當k+m+n為3時，X為-CH-或氮(N)，

當k+m+n為2時，X為直接鍵、-(C_qH_2q)-、-(C_tR^w_2t)-、氧(O)、硫(S)或-S(O₂)-，其中q及t獨立地為1至5的整數，且R^w為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C3至C30環烯基、經取代或未經取代的C1至C20烷胺基、經取代或未經取代的C7至C20芳基烷基、經取代或未經取代的C1至C20雜烷基、經取代或未經取代的C2至C30雜環烷基、經取代或未經取代的C2至C30雜芳基、經取代或未經取代的C1至C4烷基醚基、經取代或未經取代的C7至C20芳基亞烷基醚基、經取代或未經取代的C1至C30鹵烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基或其組合，且

R、R'及R獨立地為氫、羥基、經取代或未經取代的C3至C30單價環基、經取代或未經取代的C1至C30單價直鏈基團或其組合。