[發明專利]局部線圈設備、磁共振成像(MRI)設備及局部線圈設備的控制方法

在審

• 申請號: 201680071354.2
• 申請日: 2016-11-08
• 公開（公告）號: CN108366754A
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發明（設計）人: 韋吉斯·喬治
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: A61B5/055
• 分類號: A61B5/055;G01R33/38;G01R33/31
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 蘇銀虹;曾世驍

提供了一種局部線圈設備、磁共振成像設備及局部線圈設備的控制方法。局部線圈設備包括射頻(RF)接收線圈，被配置為從對象接收RF信號，溫度傳感器，被配置為感測局部線圈設備的溫度，和電抗控制器，被配置為響應于局部線圈設備的溫度大于或等于參考值，控制RF接收線圈的電抗。

技術領域

與示例性實施例一致的設備和方法涉及局部線圈設備、磁共振成像(MRI)設備及局部線圈設備的控制方法。

背景技術

通常，醫學成像設備被用于獲取患者的信息以提供圖像。醫學成像設備的示例包括X射線成像設備、超聲診斷設備、計算機斷層掃描(CT)掃描儀和磁共振成像(MRI)設備。

MRI設備允許相對自由的圖像拍攝條件并可提供優秀的對比度和關于軟組織的各種診斷信息圖像。

MRI使用被電離輻射的射頻(RF)和對人體無害的磁場在人體中的氫核中引起核磁共振(NMR)現象以對原子核的密度和物理屬性和化學屬性進行成像。

具體地，MRI設備向機架的內部施加恒定磁場，隨后供應預定的頻率和能量以將從原子核中發射的能量轉換為信號，從而對對象的內部進行成像。

MRI設備包括用于發射RF脈沖的RF發射線圈和用于接收電磁波(即，從激發的原子核中發射的磁共振(MR)信號)的RF接收線圈。

此外，MRI設備包括單獨的RF接收線圈使得它可從協助MRI設備的局部線圈設備接收關于對象的數據。

MRI設備的RF發射線圈向對象施加被調諧至一頻率的RF脈沖，并且局部線圈設備的RF接收線圈以相同頻率接收RF脈沖。

發明內容

技術問題

示例性實施例提供一種局部線圈設備及局部線圈設備的控制方法，其中，局部線圈設備用于在局部線圈設備的溫度上升到大于或等于預定水平時控制電路的電抗，從而降低局部線圈設備的溫度。

示例性實施例提供一種磁共振成像(MRI)設備，用于在MRI設備的溫度上升到大于或等于預定水平時控制電路的電抗，從而降低MRI設備的問題。

解決方案

根據示例性實施例的一方面，提供一種局部線圈設備，包括：射頻(RF)接收線圈，被配置為從對象接收RF信號，溫度傳感器，被配置為感測局部線圈設備的溫度，和電抗控制器，被配置為響應于局部線圈設備的溫度大于或等于參考值，控制RF接收線圈的電抗。

局部線圈設備還可包括去耦電路，被配置為在RF接收線圈停止從對象接收RF信號的RF發射模式下增大RF接收線圈的阻抗，并在RF接收線圈從對象接收RF信號的RF接收模式下減少RF接收線圈的阻抗。

溫度傳感器還可被配置為感測去耦電路的溫度，并且電抗控制器還可被配置為響應于去耦電路的溫度大于或等于所述參考值，控制去耦電路的電抗，

去耦電路包括二極管，并且溫度傳感器還可被配置為感測二極管的溫度。

二極管可以是PIN二極管。

二極管可被配置為在RF發射模式下接收正向電壓，并在RF接收模式下接收反向電壓。

去耦電路還可包括電容器、電感器和二極管，電感器可與二極管串聯連接，并且電感器和二極管可與電容器并聯連接。

電抗控制器可與電感器并聯連接。

電抗控制器可包括變容二極管。

電抗控制器還可被配置為響應于局部線圈設備的溫度大于或等于所述參考值，降低局部線圈設備的RF接收頻率。