[發明專利]局部線圈設備、磁共振成像(MRI)設備及局部線圈設備的控制方法在審
| 申請號： | 201680071354.2 | 申請日： | 2016-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN108366754A | 公開（公告）日： | 2018-08-03 |
| 發明（設計）人： | 韋吉斯·喬治 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | A61B5/055 | 分類號： | A61B5/055;G01R33/38;G01R33/31 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人： | 蘇銀虹;曾世驍 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 局部線圈 配置 磁共振成像設備 磁共振成像 電抗控制器 溫度傳感器 對象接收 接收線圈 電抗 感測 射頻 參考 響應 | ||
1.一種局部線圈設備，包括：
射頻RF接收線圈；
溫度傳感器，被配置為感測局部線圈設備的溫度；以及
電抗控制器，被配置為在局部線圈設備的溫度大于或等于參考值的情況下，控制RF接收線圈的電抗。
2.如權利要求1所述的局部線圈設備，還包括：去耦電路，被配置為在RF發送模式下增大RF接收線圈的阻抗，并在RF接收模式下減小RF接收線圈的阻抗。
3.如權利要求2所述的局部線圈設備，其中，溫度傳感器感測去耦電路的溫度，
其中，如果感測到的去耦電路的溫度大于或等于所述參考值，則電抗控制器控制去耦電路的電抗。
4.如權利要求3所述的局部線圈設備，其中，去耦電路包括二極管，
其中，溫度傳感器感測二極管的溫度。
5.如權利要求4所述的局部線圈設備，其中，二極管是PIN二極管。
6.如權利要求4所述的局部線圈設備，其中，二極管在RF發射模式下接收正向電壓，在RF接收模式下接收反向電壓。
7.如權利要求1所述的局部線圈設備，其中，電抗控制器包括變容二極管。
8.如權利要求2所述的局部線圈設備，其中，去耦電路包括電容器、電感器和二極管，
電感器與二極管串聯連接，
電感器和二極管與電容器并聯連接。
9.如權利要求8所述的局部線圈設備，其中，電抗控制器與二極管并聯連接。
10.如權利要求1所述的局部線圈設備，其中，電抗控制器降低局部線圈設備的RF接收頻率。
11.如權利要求1所述的局部線圈設備，還包括：收發器，與磁共振成像MRI設備連接，用于在RF發射模式下發射RF信號，
其中，溫度傳感器感測收發器的溫度。
12.如權利要求11所述的局部線圈設備，其中，電抗控制器與收發器并聯連接。
13.如權利要求11所述的局部線圈設備，其中，溫度傳感器與收發器并聯連接。
14.如權利要求11所述的局部線圈設備，其中，電抗控制器降低收發器的共模頻率。
15.一種控制局部線圈設備的方法，包括：
感測局部線圈設備的溫度；以及
如果局部線圈設備的溫度大于或等于參考值，則控制射頻RF接收線圈的電抗。
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