[發明專利]微電子封裝有效
| 申請號: | 201680071162.1 | 申請日: | 2016-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN108369942B | 公開(公告)日: | 2019-12-03 |
| 發明(設計)人: | 賈維爾·A·迪拉克魯茲;阿比歐拉·奧佐拉奧;阿修克·S·普拉布;克里斯多夫·W·拉丁;孫卓文 | 申請(專利權)人: | 英帆薩斯公司 |
| 主分類號: | H01L25/065 | 分類號: | H01L25/065;H01L25/10;H01L25/11;H01L23/48;H01L23/49;H01L23/31;H01L23/00 |
| 代理公司: | 11408 北京寰華知識產權代理有限公司 | 代理人: | 林柳岑;賀亮<國際申請>=PCT/US2 |
| 地址: | 美國加州95134*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微電子裝置 上表面 引線接合 耦接 表面安裝 保護層 微電子封裝 電路 整合 垂直 延伸 | ||
1.一種垂直整合的微電子封裝,其包括:
電路平臺,其具有上表面以及與其所述上表面相對的下表面,所述電路平臺的所述上表面具有只有引線接合的表面區域;
第一微電子裝置,其在所述只有引線接合的表面區域中耦接至所述電路平臺的所述上表面;
第一引線接合線,其耦接至所述第一微電子裝置的上表面,而且從所述第一微電子裝置的所述上表面延伸離開;
第二微電子裝置,其在只有表面安裝的區域中處于面朝下的朝向來耦接至所述第一引線接合線的上方的末端,所述第二微電子裝置位于所述第一微電子裝置之上而且至少部分地重疊所述第一微電子裝置;
第二引線接合線,其在所述只有引線接合的表面區域中耦接至所述電路平臺的所述上表面,并且耦接至所述第一微電子裝置的所述上表面;
保護層,其被設置在所述電路平臺以及所述第一微電子裝置之上,所述保護層具有下表面以及與其之所述下表面相對的上表面,其中所述保護層的所述下表面接觸所述電路平臺的所述上表面,所述保護層的所述上表面具有所述只有表面安裝的區域;以及
所述保護層的所述上表面在所述只有表面安裝的區域中具有被設置于其上的處于所述面朝下的朝向的所述第二微電子裝置,以用于耦接至所述第一引線接合線的所述上方的末端。
2.根據權利要求1所述的垂直整合的微電子封裝,其進一步包括第三引線接合線,所述第三引線接合線在所述只有引線接合的表面區域中耦接至所述電路平臺的所述上表面,而且從所述電路平臺的所述上表面延伸離開,其中所述第三引線接合線的上方的末端在所述只有表面安裝的區域中耦接至處于所述面朝下的朝向的所述第二微電子裝置。
3.根據權利要求2所述的垂直整合的微電子封裝,其中所述保護層被設置以用于圍繞所述第一引線接合線以及所述第三引線接合線的長度的至少部分,并且用于覆蓋所述第二引線接合線。
4.根據權利要求2所述的垂直整合的微電子封裝,其中所述只有表面安裝的區域的至少一部分對應于所述只有引線接合的表面區域。
5.根據權利要求2所述的垂直整合的微電子封裝,其進一步包括:
第三微電子裝置,其在所述只有引線接合的表面區域中處于面朝上的朝向來耦接至所述電路平臺的所述上表面,所述第三微電子裝置在所述第三微電子裝置和所述第一微電子裝置之間具有間隙下相鄰所述第一微電子裝置;以及
所述第三引線接合線以及所述第二引線接合線的下方的末端在所述第一微電子裝置以及所述第三微電子裝置之間耦接至所述電路平臺的所述上表面。
6.根據權利要求5所述的垂直整合的微電子封裝,其進一步包括:
第四微電子裝置,其在所述只有引線接合的表面區域中處于所述面朝上的朝向來耦接至所述電路平臺的所述上表面;以及
第四引線接合線,其將所述第一微電子裝置的所述上表面與所述第四微電子裝置的所述上表面相互連接。
7.根據權利要求1所述的垂直整合的微電子封裝,其中所述第二微電子裝置是被動微電子裝置。
8.根據權利要求1所述的垂直整合的微電子封裝,其中所述第二微電子裝置包含具有0.1微法拉或更大的電容器。
9.根據權利要求1所述的垂直整合的微電子封裝,其中所述第二微電子裝置為了具有1GHz或更高的頻率響應而包含耦接至所述第一微電子裝置的電容器。
10.根據權利要求1所述的垂直整合的微電子封裝,其中所述第二微電子裝置是主動微電子裝置。
11.根據權利要求1所述的垂直整合的微電子封裝,其中所述第二引線接合線的每一個具有一毫微亨利或更小的自感。
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