[發明專利]金屬配線修復方法

有效

• 申請號: 201680070902.X
• 申請日: 2016-03-28
• 公開（公告）號: CN108541339B
• 公開（公告）日: 2022-12-23
• 發明（設計）人: 金賢泰;樸勛;金仙株;樸在雄
• 申請（專利權）人: 株式會社考恩斯特
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/02
• 代理公司: 北京青松知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11384
• 代理人: 鄭青松

本發明是涉及一種金屬配線修復方法，使短路的金屬配線具有均勻和優秀的電性特性，其步驟包括：第一步驟，將損傷的金屬配線之間，由第一排出單元形成第一絕緣膜；第二步驟，在所述第一絕緣膜的上部形成由第二排出單元連接所述損傷的金屬配線的修復金屬層；第三步驟，由所述第一排出單元在所述修復金屬層上部形成第二絕緣膜。

技術領域

本發明涉及半導體、顯示器等的金屬配線修復方法。

背景技術

在半導體或顯示器生產工藝中，由于細微線寬金屬配線發展為更細密且分辨率高的工藝，進而所產生的阻抗問題，具有配線的高度變高的趨勢。

但是，當為了解決配線的短路等問題適用金屬層的修復工藝時，因變高的配線段差，發生修復的金屬層斷開或者密度降低的問題。

如圖1所示，可知將短路的金屬配線10由排出單元40形成修復金屬層30時，因高段差在金屬層之間生成空隙V。現有的顯示器配線具有如下問題：通常是4至8um線寬水準，但在生產高分辨率面板過程中變更為2-3um配線，進而隨著配線的高度從2000至3000A提高至5000至8000A水準，當形成用于修理(短路連接)的修復金屬層30時，在段差(stepcoverage)發生部分膜的厚度薄或者產生空隙(void)。

這些薄膜和空隙V使得修復的金屬層30具有高的阻抗值，或者產生裂痕(crack)，進而成為修復金屬層30斷開的不良因素的同時，成為不均勻的電特性的原因。

發明內容

(要解決的課題)

本發明是為了解決上述的問題，其目的在于在損傷的金屬配線之間形成絕緣層，減少段差，進而防止修復金屬層的短路。此外，通過在所述修復金屬層上形成附加絕緣膜來保護修復金屬層。

(解決課題的方法)

為了解決所述目的，本發明的金屬配線修復方法，其步驟包括：第一步驟，將損傷的金屬配線之間，由第一排出單元形成第一絕緣膜；第二步驟，在所述第一絕緣膜的上部形成由第二排出單元連接所述損傷的金屬配線的修復金屬層；第三步驟，由所述第一排出單元在所述修復金屬層上部形成第二絕緣膜。

作為一個實施例，所述第一絕緣膜及第二絕緣膜可以包括氮化物、氧化物及氮氧化物中選擇的任何一個以上。

作為另一個實施例，所述氮化物可以是Si₃N₄。

作為其他一個實施例，所述氧化物可以是SiO₂。

作為其他一個實施例，所述氮氧化物可以是Si(N,O)_x。

作為其他一個實施例，所述修復金屬層可以由包括Ag、Cu、Au中選擇的任何一個以上的金屬微粒的墨形成。

作為其他一個實施例，所述第一絕緣膜及第二絕緣膜可以由涂抹且硬化墨形成，所述硬化由激光燈形成。

作為其他一個實施例，所述修復金屬層可以由電流體(EHD)噴墨裝置形成。

作為其他一個實施例，所述修復金屬層由激光化學氣相沉積(LASER CVD)裝置形成。

作為其他一個實施例，損傷的金屬配線的厚度可以是2000至8000A。

作為其他一個實施例，形成在所述損傷的金屬配線之間的所述第一絕緣膜及所述修復金屬層的合計厚度，可以小于所述金屬配線的厚度。

作為其他一個實施例，第一絕緣膜及第二絕緣膜由EHD噴墨印刷法形成。

(發明效果)

本發明的優點在于，在損傷的金屬配線之間形成絕緣膜，來減少損傷的金屬配線的段差，可以防止修復金屬層的短路及空隙生成。