[發(fā)明專利]金屬配線修復(fù)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680070902.X
• 申請(qǐng)日: 2016-03-28
• 公開（公告）號(hào): CN108541339B
• 公開（公告）日: 2022-12-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金賢泰;樸勛;金仙株;樸在雄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社考恩斯特
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/02
• 代理公司: 北京青松知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11384
• 代理人: 鄭青松

1.一種金屬配線修復(fù)方法，其特征在于，包括：

第一步驟，在因損傷而缺失的金屬配線的空隙，由第一排出單元形成第一絕緣膜；

第二步驟，在所述第一絕緣膜的上部形成由第二排出單元連接所述損傷的金屬配線的修復(fù)金屬層；

第三步驟，由所述第一排出單元在所述修復(fù)金屬層上部形成第二絕緣膜，

其中，所述第一絕緣膜僅填充于因損傷而缺失的金屬配線的空隙，

所述第一絕緣膜及第二絕緣膜由相同的噴墨印刷法形成，且所述第一絕緣膜及第二絕緣膜由相同材料形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬配線修復(fù)方法，其特征在于，

所述第一絕緣膜及第二絕緣膜包括氮化物、氧化物及氮氧化物中選擇的任何一個(gè)以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金屬配線修復(fù)方法，其特征在于，

所述氮化物是Si₃N₄。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金屬配線修復(fù)方法，其特征在于，

所述氧化物是SiO₂。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬配線修復(fù)方法，其特征在于，

所述修復(fù)金屬層由包括Ag、Cu、Au中選擇的任何一個(gè)以上的金屬微粒的墨形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬配線修復(fù)方法，其特征在于，

所述第一絕緣膜及第二絕緣膜由涂抹且硬化墨形成，所述硬化由激光燈形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬配線修復(fù)方法，其特征在于，

所述修復(fù)金屬層由電流體噴墨裝置形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬配線修復(fù)方法，其特征在于，

所述修復(fù)金屬層由激光化學(xué)氣相沉積裝置形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬配線修復(fù)方法，其特征在于，

損傷的金屬配線的厚度是2000至8000A。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的金屬配線修復(fù)方法，其特征在于，

形成在所述損傷的金屬配線之間的所述第一絕緣膜及所述修復(fù)金屬層的合計(jì)厚度，小于所述金屬配線的厚度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬配線修復(fù)方法，其特征在于，

第一絕緣膜及第二絕緣膜由電流體噴墨印刷法形成。