[發明專利]荷電粒子線裝置及掃描電子顯微鏡

有效

• 申請號: 201680070516.0
• 申請日: 2016-11-29
• 公開（公告）號: CN108292580B
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發明（設計）人: 熊本和哉;松田定好
• 申請（專利權）人: 松定精度株式會社
• 主分類號: H01J37/244
• 分類號: H01J37/244;H01J37/10;H01J37/22;H01J37/28
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 南霆;王寧

本發明提供一種荷電粒子線裝置，具有：荷電粒子源，射出荷電粒子線(12)；加速電源，加速從所述荷電粒子源射出的荷電粒子線(12)，并連接于所述荷電粒子源；物鏡透鏡(26)，將所述荷電粒子線(12)聚焦于試料(23)；及第二檢測器(11)。第二物鏡透鏡(26)為設置于相對試料(23)入射荷電粒子線(12)的側的相反側。第二檢測器(110)，其為使伴隨著所述荷電粒子線(12)入射而從所述試料(23)射出的電磁波以及在所述試料(23)反射的電磁波中至少其中之一入射。第二檢測器(110)并檢測入射的電磁波。

技術領域

本發明涉及荷電粒子線裝置及掃描電子顯微鏡。更具體而言，本發明涉及能期待性能提高的荷電粒子線裝置及掃描電子顯微鏡。

背景技術

就荷電粒子線裝置而言，存在著掃描電子顯微鏡(Scanning ElectronMicroscope：以下，簡稱“SEM”。)、電子探針微分析(EPMA,Electron Probe MicroAnalyser)、電子束熔接機、電子線描繪裝置、及離子束顯微鏡。

傳統的SEM中，從高分辨率化的觀點來看，特別下工夫于透鏡的短焦點化。為了高分辨率化，必須強化透鏡的光軸上磁束密度分布B(z)中的B。而且，為了高分辨率化，必須薄化透鏡的厚度(即B分布的z寬)。

下述專利文獻1中，記載了具備兩個物鏡透鏡(第一物鏡透鏡與第二物鏡透鏡)的SEM(之后，將相對于試料的電子槍側的透鏡稱為第一物鏡透鏡。從試料來看，位于電子槍的相反側的物鏡透鏡稱為第二物鏡透鏡)。更具體而言，第二物鏡透鏡用于加速電壓Vacc為0.5～5kV的低加速時的高分辨率觀察模式。第一物鏡透鏡用于加速電壓Vacc為0.5～30kV的通常觀察模式。

下述專利文獻1中，第一物鏡透鏡與第二物鏡透鏡不會同時動作。第一物鏡透鏡與第二物鏡透鏡通過模式切換手段來切換每個模式。而且，下述專利文獻1的第二實施例([0017]段落)中，記載了將第二物鏡透鏡的磁極的一部分通過電性的絕緣部電流電位分離。然后，于磁極的一部分與試料，施加電壓Vdecel。

下述專利文獻1的第一實施例([0010]～[0016]段落)中，二次電子(或反射電子)檢測器設置于比第一物鏡透鏡更靠近電子槍側。試料部所產生的二次電子(或反射電子)通過第一物鏡透鏡中，并進入檢測器。

下述專利文獻2也揭示SEM的構成。專利文獻2的SEM中的物鏡透鏡配置于相對于試料的電子槍的相反側。二次電子通過來自二次電子檢測器的導引電場來偏向，而被捕捉于二次電子檢測器。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本國公開專利公報“特開2007-250223號公報”

[專利文獻2]日本國公開專利公報“特開平6-181041號公報”

發明內容

[發明所欲解決的課題]

本發明的目的在于提供期待性能上升的荷電粒子線裝置及掃描電子顯微鏡。

[用于解決課題的手段]

為了解決上述的課題，涉及本發明的一態様的荷電粒子線裝置具備：荷電粒子源，射出荷電粒子線；加速電源，加速從所述荷電粒子源射出的荷電粒子線，并連接于所述荷電粒子源；物鏡透鏡，將所述荷電粒子線聚焦于所述試料；第二檢測器，其為使伴隨著所述荷電粒子線入射而從所述試料射出的電磁波以及在所述試料反射的電磁波中至少其中之一入射，并檢測入射的電磁波；其中，相對于所述試料，所述物鏡透鏡為設置于所述荷電粒子線的入射側的相反側。

[發明的效果]

根據本發明，能期待性能提升的荷電粒子線裝置及掃描電子顯微鏡件為供軸桿穿設的套筒。

附圖說明