[發(fā)明專利]利用圖案化遮蔽膜的OLED裝置制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201680070515.6
• 申請日: 2016-11-04
• 公開（公告）號: CN108292715A
• 公開（公告）日: 2018-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: S·H·金;B·林
• 申請（專利權(quán)）人: 沙特基礎(chǔ)工業(yè)全球技術(shù)公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/00
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 王永偉;趙蓉民

1.用于施加膜層至基底的圖案化遮蔽膜，所述圖案化遮蔽膜包括：基層；和穿透所述基層、限定所述膜層的預(yù)定圖案的多個通孔，其中所述膜層和所述基層具有至少一個不同的表面潤濕性特征，并且所述基底和所述膜層具有至少一個相同的表面潤濕性特征。

2.權(quán)利要求1所述的圖案化遮蔽膜，其中所述基層是疏水的，并且所述基底和所述膜層是親水的。

3.權(quán)利要求1或2所述的圖案化遮蔽膜，其中所述多個通孔通過激光劃線法或沖孔法形成。

4.前述權(quán)利要求所述的圖案化遮蔽膜，其中所述膜層是有機(jī)發(fā)光二極管中的電極、絕緣層或有機(jī)發(fā)射層。

5.前述權(quán)利要求所述的圖案化遮蔽膜，其中所述基層包括水溶性聚合物材料。

6.前述權(quán)利要求所述的圖案化遮蔽膜，進(jìn)一步包括布置在所述基層的表面上的疏水層，其中所述多個通孔穿透所述疏水層和所述基層。

7.前述權(quán)利要求所述的圖案化遮蔽膜，進(jìn)一步包括在所述基層上形成的粘合劑層，其中所述粘合劑層被配置以將所述圖案化遮蔽膜粘附至所述基底，并且所述多個通孔穿透所述粘合劑層和所述基層。

8.權(quán)利要求7所述的圖案化遮蔽膜，其中所述粘合劑層具有至少一個與所述基層相同的潤濕性特征。

9.權(quán)利要求7或8所述的圖案化遮蔽膜，其中所述粘合劑層和所述基層是疏水的。

10.在基底上制造圖案化膜層的方法，所述方法包括：

提供圖案化遮蔽膜，所述圖案化遮蔽膜包括基層和穿透所述基層并且限定所述圖案化膜層的預(yù)定圖案的多個通孔，其中所述膜層和所述基層具有至少一個不同的表面潤濕性特征，并且所述基底和所述膜層具有至少一個相同的表面潤濕性特征；

在所述基底上定位所述圖案化遮蔽膜；

將膜層材料沉積在所述基底上和所述多個通孔中；和

從所述基底移除所述圖案化遮蔽膜。

11.權(quán)利要求10所述的方法，其中所述基層和所述基底具有相反的極性，并且所述膜層和所述基底具有基本上相似的極性。

12.權(quán)利要求10或11所述的方法，其中提供圖案化遮蔽膜包括用疏水表面涂層處理所述基層的表面，和形成穿透所述基層和所述疏水表面涂層的所述多個通孔。

13.權(quán)利要求10-12所述的方法，進(jìn)一步包括在從所述基底移除所述圖案化遮蔽膜前干燥所述膜層材料。

14.權(quán)利要求10-13所述的方法，其中所述方法在室溫和大氣壓下進(jìn)行。

15.權(quán)利要求10-14所述的方法，其中沉積所述膜層材料包括將所述膜層材料噴涂到所述基底上和所述通孔中。

16.權(quán)利要求10-15所述的方法，其中所述膜層材料包括銀或鋁。

17.權(quán)利要求10-16所述的方法，其中提供圖案化遮蔽膜進(jìn)一步包括在形成所述多個通孔前在所述基層上施加粘合劑層，其中所述多個通孔穿透所述粘合劑層和所述基層，并且在所述基底上定位所述圖案化遮蔽膜進(jìn)一步包括將所述圖案化遮蔽膜粘附至所述基底。

18.權(quán)利要求10-17所述的方法，其中提供遮蔽膜進(jìn)一步包括提供基層，和以所述預(yù)定圖案激光劃線穿透所述基層的所述多個通孔。

19.權(quán)利要求10-17所述的方法，其中提供遮蔽膜進(jìn)一步包括提供基層，和以所述預(yù)定圖案沖孔穿透所述基層的所述多個通孔。

20.用于施加膜層至基底的圖案化遮蔽膜，所述圖案化遮蔽膜包括：基層；和穿透所述基層、限定所述膜層的預(yù)定圖案的多個通孔，其中所述基底和所述膜層是親水的，并且所述基層是疏水的。