[發(fā)明專(zhuān)利]利用圖案化遮蔽膜的OLED裝置制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680070515.6
• 申請(qǐng)日: 2016-11-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108292715A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·H·金;B·林
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 沙特基礎(chǔ)工業(yè)全球技術(shù)公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L51/56
• 分類(lèi)號(hào): H01L51/56;H01L51/00
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 王永偉;趙蓉民

公開(kāi)了用于施加膜層至基底的圖案化遮蔽膜。所述圖案化遮蔽膜包括基層和多個(gè)通孔。多個(gè)通孔穿透基層并限定膜層的預(yù)定圖案。膜層和基層具有至少一個(gè)不同的表面潤(rùn)濕性特征，并且基底和膜層具有至少一個(gè)相同的潤(rùn)濕性特征。具體地，基底和膜層可以是親水的，而基層可以是疏水的。可選地，基底和所述膜層可以是疏水的，而基層可以是親水的。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及用于薄膜沉積的圖案化遮蔽膜(patterned film mask)，并且更具體地涉及利用其制造有機(jī)發(fā)光裝置的方法。

背景技術(shù)

當(dāng)今，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)被越來(lái)越多地用于照明應(yīng)用，因?yàn)槠浔绕渌Ｒ?guī)照明源更加能量有效。OLED一般具有由位于兩個(gè)電極之間的一個(gè)或多個(gè)有機(jī)層構(gòu)成的堆疊結(jié)構(gòu)。兩個(gè)電極中的至少一個(gè)，陽(yáng)極或陰極電極，由能夠使OLED發(fā)出的光可見(jiàn)的透明傳導(dǎo)材料形成。

用作電極的透明傳導(dǎo)材料應(yīng)具有某些性質(zhì)，如低電阻率和高光透射率，以生成具有期望性能的OLED裝置。氧化銦錫(ITO)，由于其在可見(jiàn)波長(zhǎng)范圍內(nèi)的高透明度，是用于OLED應(yīng)用的透明電極材料。例如，ITO常用于多種液晶顯示LCD應(yīng)用。然而，透明傳導(dǎo)性氧化物，如ITO，對(duì)于撓性O(shè)LED裝置而言存在問(wèn)題，因?yàn)槠渚哂写嘈圆⑶以趹?yīng)力下容易開(kāi)裂。此外，開(kāi)裂使電極的傳導(dǎo)率降低，并且最終可使OLED退化。這個(gè)具體的缺點(diǎn)限制了ITO在撓性O(shè)LED中的應(yīng)用。由此，ITO的替代性材料如銀納米絲或其它金屬納米絲、金屬納米顆粒、碳納米管、PEDOT：PSS和石墨烯常被用于撓性O(shè)LED應(yīng)用。這些材料具有諸如與基底的強(qiáng)粘附力、潤(rùn)濕性、和高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的優(yōu)勢(shì)性質(zhì)，使其理想作為電極材料。

這些替代性材料已利用真空和非真空方法被應(yīng)用于撓性塑料基底。雖然，真空方法已生產(chǎn)出具有有利性能特征的電極，但真空方法趨于昂貴、復(fù)雜和在極高工藝溫度下進(jìn)行，使其不如非真空方法理想用于電極形成。

在非真空方法中，電極材料最初被涂覆在塑料撓性基底的表面上。在基底上涂覆電極后，利用光刻法或激光圖案化方法圖案化電極。這些圖案化方法是復(fù)雜的方法，并且對(duì)在形成OLED裝置時(shí)可用的基底類(lèi)型有所限制。某些方法，如激光照射圖案化，趨于在圖案化過(guò)程中損壞下方層或塑料基底。此外，用于這些圖案化方法中的蝕刻溶液引起環(huán)境顧慮。

因此，需要改進(jìn)的OLED和形成OLED的方法。還需要改進(jìn)的施加薄膜材料至基底的方法。因此，本公開(kāi)的圖案化遮蔽膜和方法旨在克服當(dāng)前可獲得的OLED的這些缺點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本公開(kāi)的一方面，公開(kāi)了用于施加膜層至基底的圖案化遮蔽膜。該圖案化遮蔽膜包括基層(base layer)和穿透基層的多個(gè)通孔。多個(gè)通孔限定了施加至基底的膜層的預(yù)定圖案。膜層和基層具有至少一個(gè)不同的表面潤(rùn)濕性特征(surface wettabilitycharacteristic)，并且基底和膜層具有至少一個(gè)相同的表面潤(rùn)濕性特征。

根據(jù)本公開(kāi)的一方面，公開(kāi)了在基底上制造圖案化膜層(patterned filmlayer)的方法。方法包括提供圖案化遮蔽膜，其中圖案化遮蔽膜包括基層和穿透基層的多個(gè)通孔。多個(gè)通孔限定了施加至基底的圖案化膜層的預(yù)定圖案。膜層和基層具有至少一個(gè)不同的表面潤(rùn)濕性特征，并且基底和膜層具有至少一個(gè)相同的表面潤(rùn)濕性特征。方法進(jìn)一步包括在基底上定位圖案化遮蔽膜，將膜層材料沉積在基底上和多個(gè)通孔中，和從基底移除圖案化遮蔽膜。

根據(jù)本公開(kāi)的再另一方面，公開(kāi)了用于施加膜層至基底的圖案化遮蔽膜。該圖案化遮蔽膜包括基層和穿透基層的多個(gè)通孔。多個(gè)通孔限定了施加至基底的膜層的預(yù)定圖案。基底和膜層可以是親水的，并且基層可以是疏水的。

附圖說(shuō)明

本公開(kāi)的上述和其它特征和優(yōu)勢(shì)及其獲得方式將通過(guò)結(jié)合附圖參考下文對(duì)本公開(kāi)一方面的描述而變得顯而易見(jiàn)或更好地理解，在附圖中：

圖1是根據(jù)本公開(kāi)一方面的圖案化遮蔽膜的橫截面視圖。