[發明專利]檢查裝置及檢查方法

有效

• 申請號: 201680070354.0
• 申請日: 2016-11-15
• 公開（公告）號: CN108369211B
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發明（設計）人: 中村共則
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: G01N27/72
• 分類號: G01N27/72;G01R31/302
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦

檢查裝置(1)具備：光輸出部(3)，其輸出具有第1波長的第1光及具有第2波長的第2光；磁光晶體(6)，其以反射膜(13)與測量對象物(D)相對的方式配置；光檢測部(7)，其檢測第1光及上述第2光；及導光光學系統(4A)，其將第1光及第2光向磁光晶體(6)及測量對象物(D)進行導光且將由磁光晶體(6)反射的第1光、與由測量對象物(D)反射的第2光向光檢測部(7)進行導光；導光光學系統(4A)具有以第1光及第2光選擇性地入射至光檢測部(7)的方式切換由多個光學元件形成的光路的光路切換元件(M)。

技術領域

本發明涉及使用了光探測技術的檢查裝置及檢查方法。

背景技術

在檢查半導體器件等測量對象物的光探測技術中，將自光源出射的光照射于測量對象物，并以光傳感器檢測來自測量對象物的測量光(反射光)而取得檢測信號。在作為光探測技術的一種的MOFM(Magneto-Optical Frequency Mapping(磁光頻率映射))法中，將磁光晶體與測量對象物相對地配置，且以光傳感器檢測根據磁光晶體的磁光效應而偏光狀態變化的反射光。在該方法中，基于在測量對象物產生的磁場的分布，進行測量對象物有無異常的檢測。例如在專利文獻1中，公開有一種方法，其對樣品配置磁光薄膜，并以相機取得照射于磁光薄膜的直線偏光的光的反射光的圖像而對樣品的磁場及電流的流動進行映射。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特表2013-544352號公報

發明內容

發明所要解決的技術問題

在測量對象物的檢查中，有對測量對象物也照射自光源出射的光，而取得測量對象物的圖案(電路圖案等)的情況。在該情況下，例如通過將在測量對象物產生的磁場的分布、與測量對象物的圖案重疊，而容易掌握產生異常的位置。

然而，磁光晶體的偏光相對于磁場的旋轉角一般具有波長依賴性。例如在入射的光的波長短于1μm的情況下，隨著波長變短而偏光的旋轉角變大。另一方面，也考慮對所期望的測量對象物而言優選的光的波長區域與在磁光晶體中具有高的靈敏度的波長區域不同的情況。例如在以半導體器件為測量對象物的情況下，對硅具有充分的透過性的光的波長區域為長于1μm的紅外區域。若它們的波長的差變大，則有起因于光學元件的特性或光檢測部的檢測靈敏度的波長依賴性而使測量的精度下降的擔憂。然而，若針對波長不同的光設置個別的光路，則需要多個光學元件，而有裝置結構復雜化的問題。

本發明是為了解決上述技術問題而完成的，其目的在于，提供能夠避免結構的復雜化且能夠使測量對象物的有無異常的檢測與圖案的取得精度良好地兼得的檢查裝置及檢查方法。

解決問題的技術手段

本發明的一個方面所涉及的檢查裝置是進行測量對象物的檢查的檢查裝置，具備：光輸出部，其輸出具有第1波長的第1光、及具有與第1波長不同的第2波長的第2光；磁光晶體，其具有反射第1光的反射面，且以該反射面與測量對象物相對的方式配置；光檢測部，其檢測第1光及第2光；及導光光學系統，其由多個光學元件構成，并將第1光及第2光朝向磁光晶體及測量對象物進行導光，且將以磁光晶體反射的第1光、與以測量對象物反射的第2光朝向光檢測部進行導光；導光光學系統具有以第1光及第2光選擇性地入射至光檢測部的方式，切換由多個光學元件形成的光路的光路切換元件。

在該檢查裝置中，基于以磁光晶體反射的第1光的檢測結果而檢測測量對象物有無異常，且可基于以測量對象物反射的第2光的檢測結果而取得測量對象物的圖案。對第1光及第2光進行導光的導光光學系統具有選擇性地使第1光及第2光入射至光檢測部的光路切換元件。通過該光路切換元件，在導光光學系統使用具有適于第1波長及第2波長的波長依賴性的光學元件，另一方面可將形成第1光的光路的光學元件、與形成第2光的光路的光學元件在一部分共通化。因此，能夠避免結構的復雜化且可使測量對象物的有無異常的檢測與圖案的取得精度良好地兼得。