[發明專利]熱固化性粘接片及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201680070228.5
• 申請日: 2016-12-13
• 公開（公告）號: CN108291115B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發明（設計）人: 森大地;石松朋之
• 申請（專利權）人: 迪睿合株式會社
• 主分類號: C09J7/10
• 分類號: C09J7/10;C09J11/04;C09J11/06;C09J11/08;C09J163/00;H01L21/301;H01L21/304
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;閆小龍

提供能夠減少半導體晶圓的翹曲，并且減少碎片的發生的熱固化性粘接片及半導體裝置的制造方法。在切割之前對半導體晶圓的研磨面粘合熱固化性粘接片并使之固化，該熱固化性粘接片具有由含有包含環氧化合物和固化劑的樹脂成分、和填充劑的樹脂組合物形成的熱固化性粘接層，對環氧化合物的環氧當量的倒數乘以樹脂成分中的環氧化合物的含有率后的值的總和為1.15E－04以上，且填充劑的配合量相對于樹脂成分100質量份而言是50質量份以上。

技術領域

本發明涉及為了防止切割（dicing）工序時的裂縫而增強半導體晶圓的熱固化性粘接片、及半導體裝置的制造方法。本申請以在日本于2015年12月14日申請的日本專利申請號特愿2015－243649為基礎主張優先權，該申請通過被參照，引用至本申請。

背景技術

在半導體芯片制造工序中，切割（小片化）工序對半導體晶圓帶來巨大的應力（stress）。因此，在半導體晶圓中產生被稱為碎片（chipping）的裂縫，從而會提高不良率。

為了事先防止這樣問題的目的，提出了在即將進行切割工序之前（背面研磨（backgrinding）后）粘合增強半導體晶圓的熱固化性粘接片的方案（例如參照專利文獻1。）。

然而，隨著半導體晶圓的薄型化，半導體晶圓的翹曲量變大，因此有時難以粘合切割帶。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2002－280329號公報。

發明內容

發明要解決的課題

本發明鑒于這樣的現有狀況而提出，提供不僅減少半導體晶圓的翹曲，而且能夠減少碎片的發生的熱固化性粘接片及半導體裝置的制造方法。

用于解決課題的方案

為了解決前述的課題，本發明所涉及的熱固化性粘接片，其特征在于：具有由含有包含環氧化合物和固化劑的樹脂成分、和填充劑（filler）的樹脂組合物形成的熱固化性粘接層，對所述環氧化合物的環氧當量的倒數乘以所述樹脂成分中的環氧化合物的含有率后的值的總和為1.15E－04以上，所述填充劑的配合量相對于樹脂成分100質量份而言是50質量份以上。

另外，本發明所涉及的半導體裝置的制造方法，其特征在于具有：研磨半導體晶圓的研磨（grind）工序；對所述半導體晶圓的研磨面粘合熱固化性粘接片并使之固化，減少所述半導體晶圓的翹曲量的固化工序；以及在所述半導體晶圓的熱固化性粘接片面粘合切割帶，并進行切割的切割工序，所述熱固化性粘接片具有由含有包含環氧化合物和固化劑的樹脂成分、和填充劑的樹脂組合物形成的熱固化性粘接層，對所述環氧化合物的環氧當量的倒數乘以所述樹脂成分中的環氧化合物的含有率后的值的總和為1.15E－04以上，所述填充劑的配合量相對于樹脂成分100質量份而言是50質量份以上。

發明效果

依據本發明，對半導體晶圓的研磨面粘合熱固化性粘接片并使之固化，從而使熱固化性粘接片收縮，能夠減少半導體晶圓的翹曲。因此，能夠在使晶圓平坦化的狀態下進行切割，因此減少碎片，能夠得到高質量的半導體裝置。

附圖說明

[圖1]圖1是示出熱固化性粘接片的概要的截面圖。

[圖2]圖2是示出BG帶粘貼工序的概要的截面圖。

[圖3]圖3是示出研磨工序的概要的截面圖。

[圖4]圖4是示出熱固化性粘接片粘貼工序的概要的截面圖。

[圖5]圖5是示出BG帶剝離工序的概要的截面圖。

[圖6]圖6是示出固化工序的概要的截面圖。

[圖7]圖7是示出DC帶粘貼工序的概要的截面圖。