[發明專利]聚酰胺酸、聚酰亞胺、聚酰胺酸溶液、聚酰亞胺層積體、可撓性器件基板、及其制造方法有效
| 申請號: | 201680069904.7 | 申請日: | 2016-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN108291088B | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發明(設計)人: | 宇野真理 | 申請(專利權)人: | 株式會社鐘化 |
| 主分類號: | C08L79/08 | 分類號: | C08L79/08;B32B27/20;C08G73/10;C08K3/36;B32B27/28;B32B7/023 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 聚酰胺 聚酰亞胺 溶液 層積 性器 件基板 及其 制造 方法 | ||
1.一種含納米級二氧化硅的聚酰胺酸,其特征在于:
包含聚酰胺酸及納米級二氧化硅,其中,所述聚酰胺酸是由脂環式四酸二酐和二胺成分反應而得的聚合物,所述二胺成分中具有30mol%以上的含有羧基的芳族二胺,
所述納米級二氧化硅用具有氨基或縮水甘油基的烷氧基硅烷化合物進行了表面處理。
2.根據權利要求1所述的含納米級二氧化硅的聚酰胺酸,其特征在于:
所述脂環式四酸二酐具有選自下式(1)~(4)
的構造。
3.根據權利要求1或權利要求2所述的含納米級二氧化硅的聚酰胺酸,其特征在于:至少1種所述含有羧基的芳族二胺是具有下式(5)或(6)
表達的構造的二胺。
4.根據權利要求1或2所述的含納米級二氧化硅的聚酰胺酸,其特征在于:所述脂環式四酸二酐具有下式(1)
表達的構造,且所述含有羧基的芳族二胺具有下式(5)
表達的構造。
5.根據權利要求1或2所述的含納米級二氧化硅的聚酰胺酸,其特征在于:相對于所述聚酰胺酸100重量份,所述納米級二氧化硅的含量為5重量份以上且50重量份以下。
6.一種含納米級二氧化硅的聚酰胺酸溶液,其特征在于:包含有機溶劑、以及權利要求1~5中任一項所述的含納米級二氧化硅的聚酰胺酸。
7.一種含納米級二氧化硅的聚酰亞胺,其特征在于:
包含聚酰亞胺及納米級二氧化硅,其中,所述聚酰亞胺是由脂環式四酸二酐和二胺成分反應而得的酰亞胺化物,所述二胺成分中具有30mol%以上的含有羧基的芳族二胺,
所述納米級二氧化硅用具有氨基或縮水甘油基的烷氧基硅烷化合物進行了表面處理。
8.權利要求7所述的含納米級二氧化硅的聚酰亞胺,其特征在于:
所述脂環式四酸二酐具有選自下式(1)~(4)
的構造。
9.根據權利要求7或權利要求8所述的含納米級二氧化硅的聚酰亞胺,其特征在于:至少1種所述含有羧基的芳族二胺具有下式(5)或(6)
表達的構造。
10.根據權利要求7或8所述的含納米級二氧化硅的聚酰亞胺,其特征在于:所述脂環式四酸二酐具有下式(1)
表達的構造,且所述含有羧基的芳族二胺具有下式(5)
表達的構造。
11.根據權利要求7或8所述的含納米級二氧化硅的聚酰亞胺,其特征在于:相對于所述聚酰亞胺100重量份,所述納米級二氧化硅的含量為5重量份以上且50重量份以下。
12.根據權利要求7或8所述的含納米級二氧化硅的聚酰亞胺,其特征在于:其膜厚為10μm時,其在400nm波長下的透光率為60%以上。
13.根據權利要求7或8所述的含納米級二氧化硅的聚酰亞胺,其特征在于:其膜厚為10μm時,其截止波長為310nm以上且390nm以下。
14.根據權利要求7或8所述的含納米級二氧化硅的聚酰亞胺,其特征在于:其膜厚為10μm時,其在100~250℃范圍內的線性熱膨脹系數為50ppm/K以下。
15.根據權利要求7或8所述的含納米級二氧化硅的聚酰亞胺,其特征在于:
將最大的面內折射率設為nx,將最小的面內折射率設為ny,且將厚度方向上的折射率設為nz時,滿足nx-ny<0.0010且(nx+ny)/2-nz<0.0150的關系。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社鐘化,未經株式會社鐘化許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201680069904.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:基板的制造方法及使用其的發光元件的制造方法
- 下一篇:硅氧烷樹脂組合物





