[發明專利]在存儲單元堆疊體中具有變化的存儲單元設計的豎直存儲器

在審

• 申請號: 201680069131.2
• 申請日: 2016-11-02
• 公開（公告）號: CN108369947A
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發明（設計）人: R·J·科瓦爾;H·桑達
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L27/11582
• 分類號: H01L27/11582;H01L27/11573;H01L21/3213;H01L27/11519;H01L27/11556;H01L27/11526;H01L27/1157;G11C16/26;H01L27/11524;H01L27/11565;G11C16/08
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝;王英

1.一種設備，包括：

包括存儲單元的豎直堆疊體的存儲器，其中，所述豎直堆疊體的下部層處的第一存儲節點具有與所述豎直堆疊體的較高層處的第二存儲節點不同的結構設計。

2.根據權利要求1所述的設備，其中，所述第一存儲節點具有比所述第二存儲節點淺的橫向深度。

3.根據權利要求1所述的設備，其中，所述第一存儲節點具有比所述第二存儲節點小的豎直寬度。

4.根據權利要求3所述的設備，其中，所述第一存儲節點具有比所述第二存儲節點淺的橫向深度。

5.根據權利要求1所述的設備，其中，所述第一存儲節點具有與所述第二存儲節點不同的形狀。

6.根據權利要求4所述的設備，其中，所述第一存儲節點具有錐形形狀。

7.根據權利要求1所述的設備，其中，所述存儲單元堆疊體包括在沿所述豎直堆疊體向下的方向上越來越薄的多晶硅層。

8.根據權利要求1所述的設備，其中，所述存儲單元堆疊體包括在沿所述豎直堆疊體向下的方向上越來越小的存儲單元節點。

9.一種計算系統，包括：

多個處理內核；

耦合到所述多個處理內核的存儲器控制器；

耦合到所述存儲器控制器的系統存儲器；

顯示器；

非易失性存儲器，所述非易失性存儲器包括存儲單元的豎直堆疊體，其中，所述豎直堆疊體的下部層處的第一存儲節點具有與所述豎直堆疊體的較高層處的第二存儲節點不同的結構設計。

10.根據權利要求9所述的設備，其中，所述第一存儲節點具有比所述第二存儲節點淺的橫向深度。

11.根據權利要求9所述的計算系統，其中，所述第一存儲節點具有比所述第二存儲節點小的豎直寬度。

12.根據權利要求11所述的計算系統，其中，所述第一存儲節點具有比所述第二存儲節點淺的橫向深度。

13.根據權利要求9所述的計算系統，其中，所述第一存儲節點具有與所述第二存儲節點不同的形狀。

14.根據權利要求12所述的計算系統，其中，所述第一存儲節點具有錐形形狀。

15.根據權利要求9所述的計算系統，其中，所述存儲單元堆疊體包括在沿所述豎直堆疊體向下的方向上越來越薄的多晶硅層。

16.根據權利要求9所述的計算系統，其中，所述存儲單元堆疊體包括在沿所述豎直堆疊體向下的方向上越來越小的存儲單元節點。

17.一種方法，包括：

分別在豎直存儲單元堆疊體的下部層級和較高層級處同時沉積存儲節點材料，其中，所述下部層級處的完全形成下部存儲節點所需的存儲節點材料的第一量少于所述較高層級處的完全形成較高存儲節點所需的存儲節點材料的第二量。

18.根據權利要求17所述的方法，還包括在所述同時沉積之前，分別在所述下部層和所述較高層處同時蝕刻第一多晶硅層和第二多晶硅層，其中，所述下部層處的所述第一多晶硅層比所述較高層處的所述第二多晶硅層薄。

19.根據權利要求17所述的方法，其中，所述第一量的存儲節點材料具有錐形形狀，并且所述第二量的存儲節點材料不具有錐形形狀。

20.根據權利要求17所述的方法，其中，所述第一量的存儲節點材料縮回到第一多晶硅層內的深度小于所述第二量的存儲節點材料縮回到第二多晶硅層中的深度。